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公开(公告)号：CN110643353B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201911054024.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 温州大学激光与光电智能制造研究院 , 温州大学
Abstract: 本发明涉及一种反应条件温和、反应时间短、产物稳定性高的一种超声辅助核壳氧化锌量子点的制备方法。采用的技术方案，包括的制备方法如下：步骤1：在超声波环境中将含锌无机盐置于醇类有机溶剂中，形成ZnO前驱体悬浊液A；步骤2：将强碱在搅拌环境中充分溶解在醇类有机溶剂中，获得澄清溶液B；步骤3：在超声波环境中，将步骤2所得的澄清溶液B逐滴加入步骤1所得的悬浊液A中，并任其在超声波环境下实现充分反应，反应时间为10‑40min，获得溶液C；步骤4：将步骤3反应后的溶液C加入到非极性溶剂中，静置沉淀，在一定速度下离心后，移去上清液，获得初始沉淀物，随后加入醇类有机溶剂，在超声环境中分散该沉淀物；步骤5：重复步骤4两次以上，可得到纯净的ZnO量子点沉淀物。
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公开(公告)号：CN112760611A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011524321.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 温州大学激光与光电智能制造研究院 , 温州大学
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种用预沉积形核层提高MOCVD外延薄膜质量的优化生长方法。采用的技术方案包括以下制备方法：步骤1、将衬底或薄膜A放在MOCVD设备的反应腔中，在反应腔充满载气H2的状态下，通入含元素X的化合物作为X源，将温度、反应腔压力、沉积时间均设置在该气体化合物能够分解出X原子的参数范围内，在衬底或薄膜A的表面进行预沉积X原子层，此时X原子层吸附在衬底或者薄膜A上；该X原子层可在后续流程中与其他化合物反应生成薄膜B成分，或者与薄膜A直接形成薄膜B成分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110643353A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911054024.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 温州大学激光与光电智能制造研究院 , 温州大学
Abstract: 本发明涉及一种反应条件温和、反应时间短、产物稳定性高的一种超声辅助核壳氧化锌量子点的制备方法。采用的技术方案，包括的制备方法如下：步骤1：在超声波环境中将含锌无机盐置于醇类有机溶剂中，形成ZnO前驱体悬浊液A；步骤2：将强碱在搅拌环境中充分溶解在醇类有机溶剂中，获得澄清溶液B；步骤3：在超声波环境中，将步骤2所得的澄清溶液B逐滴加入步骤1所得的悬浊液A中，并任其在超声波环境下实现充分反应，反应时间为10-40min，获得溶液C；步骤4：将步骤3反应后的溶液C加入到非极性溶剂中，静置沉淀，在一定速度下离心后，移去上清液，获得初始沉淀物，随后加入醇类有机溶剂，在超声环境中分散该沉淀物；步骤5：重复步骤4两次以上，可得到纯净的ZnO量子点沉淀物。
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公开(公告)号：CN112760611B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202011524321.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 温州大学激光与光电智能制造研究院 , 温州大学
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种用预沉积形核层提高MOCVD外延薄膜质量的优化生长方法。采用的技术方案包括以下制备方法：步骤1、将衬底或薄膜A放在MOCVD设备的反应腔中，在反应腔充满载气H2的状态下，通入含元素X的化合物作为X源，将温度、反应腔压力、沉积时间均设置在该气体化合物能够分解出X原子的参数范围内，在衬底或薄膜A的表面进行预沉积X原子层，此时X原子层吸附在衬底或者薄膜A上；该X原子层可在后续流程中与其他化合物反应生成薄膜B成分，或者与薄膜A直接形成薄膜B成分。
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公开(公告)号：CN110776908A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911055564.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 温州大学激光与光电智能制造研究院 , 温州大学
Abstract: 本发明公开一种溶质非完全溶解方式超声辅助制备氧化锌量子点的方法。采用的技术方案，包括的制备方法如下：步骤1：在超声波环境中将含锌无机盐置于醇类有机溶剂中，形成ZnO前驱体悬浊液A；步骤2：将强碱在搅拌环境中充分溶解在醇类有机溶剂中，获得澄清溶液B；步骤3：在超声波环境中，将步骤2所得的澄清溶液B逐滴加入步骤1所得的悬浊液A中，并任其在超声波环境下实现充分反应，反应时间为10-40min，获得溶液C；步骤4：将步骤3反应后的溶液C加入到非极性溶剂中，静置沉淀，在一定速度下离心后，移去上清液，获得初始沉淀物，随后加入醇类有机溶剂，在超声环境中分散该沉淀物；步骤5：重复步骤4两次以上，可得到纯净的ZnO量子点沉淀物；步骤6：将步骤5得到的ZnO量子点沉淀物置于真空干燥机中进行退火处理，得到ZnO粉末。
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公开(公告)号：CN112501590A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011236149.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 温州大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及一种更好的气流横向轨迹，并能保证沉积区域各个位置工艺温度一致的MOCVD设备。采用的技术方案包括：径向截面均呈圆形的顶盖、顶盖面板、底座和衬托,其特征在于：所述顶盖面板的上表面嵌入所述顶盖底部、下表面为中间薄两边厚的曲面，所述顶盖中心的垂直方向设置气体管道、且所述气体管道的下端延伸至所述底座中心，所述气体管道侧壁设有若干层圆周排列的出气孔。优点：通过新型的顶盖面板设计，使边缘和中心位置受力更为均匀且薄膜的生长速度更为接近，从而改善薄膜的均匀性问题。
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公开(公告)号：CN112501590B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202011236149.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 温州大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及一种更好的气流横向轨迹，并能保证沉积区域各个位置工艺温度一致的MOCVD设备。采用的技术方案包括：径向截面均呈圆形的顶盖、顶盖面板、底座和衬托,其特征在于：所述顶盖面板的上表面嵌入所述顶盖底部、下表面为中间薄两边厚的曲面，所述顶盖中心的垂直方向设置气体管道、且所述气体管道的下端延伸至所述底座中心，所述气体管道侧壁设有若干层圆周排列的出气孔。优点：通过新型的顶盖面板设计，使边缘和中心位置受力更为均匀且薄膜的生长速度更为接近，从而改善薄膜的均匀性问题。
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