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公开(公告)号：CN112760611A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011524321.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 温州大学激光与光电智能制造研究院 , 温州大学
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种用预沉积形核层提高MOCVD外延薄膜质量的优化生长方法。采用的技术方案包括以下制备方法：步骤1、将衬底或薄膜A放在MOCVD设备的反应腔中，在反应腔充满载气H2的状态下，通入含元素X的化合物作为X源，将温度、反应腔压力、沉积时间均设置在该气体化合物能够分解出X原子的参数范围内，在衬底或薄膜A的表面进行预沉积X原子层，此时X原子层吸附在衬底或者薄膜A上；该X原子层可在后续流程中与其他化合物反应生成薄膜B成分，或者与薄膜A直接形成薄膜B成分。
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公开(公告)号：CN112760611B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202011524321.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 温州大学激光与光电智能制造研究院 , 温州大学
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种用预沉积形核层提高MOCVD外延薄膜质量的优化生长方法。采用的技术方案包括以下制备方法：步骤1、将衬底或薄膜A放在MOCVD设备的反应腔中，在反应腔充满载气H2的状态下，通入含元素X的化合物作为X源，将温度、反应腔压力、沉积时间均设置在该气体化合物能够分解出X原子的参数范围内，在衬底或薄膜A的表面进行预沉积X原子层，此时X原子层吸附在衬底或者薄膜A上；该X原子层可在后续流程中与其他化合物反应生成薄膜B成分，或者与薄膜A直接形成薄膜B成分。
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公开(公告)号：CN112501590A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011236149.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 温州大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及一种更好的气流横向轨迹，并能保证沉积区域各个位置工艺温度一致的MOCVD设备。采用的技术方案包括：径向截面均呈圆形的顶盖、顶盖面板、底座和衬托,其特征在于：所述顶盖面板的上表面嵌入所述顶盖底部、下表面为中间薄两边厚的曲面，所述顶盖中心的垂直方向设置气体管道、且所述气体管道的下端延伸至所述底座中心，所述气体管道侧壁设有若干层圆周排列的出气孔。优点：通过新型的顶盖面板设计，使边缘和中心位置受力更为均匀且薄膜的生长速度更为接近，从而改善薄膜的均匀性问题。
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公开(公告)号：CN112501590B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202011236149.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 温州大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及一种更好的气流横向轨迹，并能保证沉积区域各个位置工艺温度一致的MOCVD设备。采用的技术方案包括：径向截面均呈圆形的顶盖、顶盖面板、底座和衬托,其特征在于：所述顶盖面板的上表面嵌入所述顶盖底部、下表面为中间薄两边厚的曲面，所述顶盖中心的垂直方向设置气体管道、且所述气体管道的下端延伸至所述底座中心，所述气体管道侧壁设有若干层圆周排列的出气孔。优点：通过新型的顶盖面板设计，使边缘和中心位置受力更为均匀且薄膜的生长速度更为接近，从而改善薄膜的均匀性问题。
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