本发明涉及一种更好的气流横向轨迹，并能保证沉积区域各个位置工艺温度一致的MOCVD设备。采用的技术方案包括：径向截面均呈圆形的顶盖、顶盖面板、底座和衬托,其特征在于：所述顶盖面板的上表面嵌入所述顶盖底部、下表面为中间薄两边厚的曲面，所述顶盖中心的垂直方向设置气体管道、且所述气体管道的下端延伸至所述底座中心，所述气体管道侧壁设有若干层圆周排列的出气孔。优点：通过新型的顶盖面板设计，使边缘和中心位置受力更为均匀且薄膜的生长速度更为接近，从而改善薄膜的均匀性问题。