一种基于多参数的交通冲突安全性分析的修正方法

    公开(公告)号:CN106056975A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201610619469.2

    申请日:2016-07-29

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: G08G1/166 G06Q10/0639 G06Q50/26

    Abstract: 本发明公开了一种基于多参数的交通冲突安全性分析的修正方法包括以下步骤:(1)选择交通冲突频繁的道路口收集行人车辆的位置坐标和运动参数,计算{TTC;TAdv;DST}数据,利用K‑均值聚类方法,以点到聚类中心的欧氏距离之和作为测度,对TTC、TAdv和DST参数进行聚类分析,得到聚类中心。根据聚类中心的参数值划分安全、一般危险和危险的交通冲突;(2)对基于TDTC的瞬时冲突安全变量的计算方法和冲突过程安全性的判断方法进行修正,将多参数修正结果作为修正因子M加入到冲突过程安全函数f1中,得到修正的冲突过程安全函数f2;(3)计算修正的冲突过程安全因子SPF2,得到冲突安全级别。

    一种改进型热刺激电流测量装置

    公开(公告)号:CN103424599A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310296811.6

    申请日:2013-07-16

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种改进型热刺激电流测量装置,属于介质物理测量技术领域,该装置主要包括密封室,高压源,静电计,温控仪与计算机;密封室内放置固定有上电极、下电极和测量样品的支架,高压源和静电计分别通过带有开关的电缆接入密封室内与上电极、下电极连接成环路,温控仪测量并控制密封室内的温度,静电计和温控仪分别与计算机连接,将测量的电流信号和温度信号采集并存储。该热刺激电流测量装置可以施加较高的电压(25kV以上),实现对大尺寸厚材料(1mm以上)的测量,密封性及电磁屏蔽性能良好,测量结果精确度较高。

    一种离子注入表面改性控制碳纳米管生长的方法

    公开(公告)号:CN100386471C

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200510098717.5

    申请日:2005-09-07

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 张政军 岳阳 刘超

    Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种离子注入表面改性控制碳纳米管生长的方法。离子注入所用的粒子源为惰性气体。制备时,首先在洁净的硅基底上覆盖适当的掩膜,置于离子注入装置中,调节注入粒子种类、注入能量和注入粒子数后进行离子注入。随后将按上述过程处理的硅片置于石英真空管式炉中,利用二茂铁和二甲苯作为反应物,通过化学气相沉积法制备碳纳米管。此方法可在离子注入改性的硅基底上获得明显选择性生长的碳纳米管,改变硅基底的部分表面形态,达到控制碳纳米管二维分布生长的目的。此方法在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。

    利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法

    公开(公告)号:CN1321886C

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN200510098719.4

    申请日:2005-09-07

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 张政军 周雅 岳阳

    Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法。以金或银等贵金属为靶材,在洁净的硅基底上覆盖适当形状和层数的掩膜,在真空镀膜机内,喷镀贵金属膜层,随后将按上述过程处理的硅片置于石英真空管式炉中,利用二茂铁和二甲苯作为反应物,通过化学气相沉积法制备碳纳米管,控制生长时间,可在硅基底上获得三维图形化生长的碳纳米管阵列,该制备方法简单,容易控制,图形化效果好。此方法在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。

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