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公开(公告)号：CN101971408A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980107272.9
申请日：2009-07-24
IPC: H01M10/0562 , H01M6/18 , H01B1/08
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0567 , H01M2300/0088
Abstract: 提供一种含硅的锂镧钛氧(LLTO)复合固态电解质材料及其合成方法。其特征在于：在材料的晶粒(1)间的晶界处含有非晶质的Si或Si化合物(2)。采用湿化学方法将该Si或Si化合物(2)引入晶界处，该方法通过将有机硅化物作为添加物加入到锂镧钛氧固态复合电解质材料中，在按Si计相对于锂镧钛氧化合物的质量比为0.27％～1.35％时，烧结即可合成得到的这种含硅的锂镧钛氧复合固态电解质材料。
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公开(公告)号：CN101971408B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN200980107272.9
申请日：2009-07-24
IPC: H01M10/0562 , H01M6/18 , H01B1/08
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0567 , H01M2300/0088
Abstract: 提供一种含硅的锂镧钛氧(LLTO)复合固态电解质材料及其合成方法。其特征在于：在材料的晶粒(1)间的晶界处含有非晶质的Si或Si化合物(2)。采用湿化学方法将该Si或Si化合物(2)引入晶界处，该方法通过将有机硅化物作为添加物加入到锂镧钛氧固态复合电解质材料中，在按Si计相对于锂镧钛氧化合物的质量比为0.27％～1.35％时，烧结即可合成得到的这种含硅的锂镧钛氧复合固态电解质材料。
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公开(公告)号：CN101325094B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810117183.X
申请日：2008-07-25
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0567 , H01M2300/0088
Abstract: 本发明提供一种含无定形硅氧化物晶界层的锂镧钛氧(LLTO)复合固态电解质材料及其合成方法，属于锂离子电池领域。其特征在于：在材料晶粒1间的晶界处含有无定形纳米硅氧化物层2的复合陶瓷，并且采用湿化学方法实现了该无定形纳米硅氧化物晶界层2的引入，该湿化学方法使用廉价的有机硅化物作为添加物加入到锂镧钛氧固态电解质材料中，在硅含量为1～10％时，经过烧结即可合成得到的这种含硅氧化物晶界层的锂镧钛氧复合固态电解质材料。其晶界电导率得到显著的提高，从而提高了材料的总电导率。本复合固态电解质材料制备过程简单易操作，且大大缩短了实验周期、降低了合成温度、节省了能耗和生产成本。
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公开(公告)号：CN101325094A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810117183.X
申请日：2008-07-25
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0567 , H01M2300/0088
Abstract: 本发明提供一种含无定形硅氧化物晶界层的锂镧钛氧(LLTO)复合固态电解质材料及其合成方法，属于锂离子电池领域。其特征在于：在材料晶粒1间的晶界处含有无定形纳米硅氧化物层2的复合陶瓷，并且采用湿化学方法实现了该无定形纳米硅氧化物晶界层2的引入，该湿化学方法使用廉价的有机硅化物作为添加物加入到锂镧钛氧固态电解质材料中，在硅含量为1～10％时，经过烧结即可合成得到的这种含硅氧化物晶界层的锂镧钛氧复合固态电解质材料。其晶界电导率得到显著的提高，从而提高了材料的总电导率。本复合固态电解质材料制备过程简单易操作，且大大缩短了实验周期、降低了合成温度、节省了能耗和生产成本。
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公开(公告)号：CN119263811A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411368524.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供了一种无铅高介电低损耗C0G温度稳定型陶瓷介质材料及制备方法和应用。形成该无铅高介电低损耗C0G温度稳定型陶瓷介质材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，7.5摩尔％～10摩尔％的Nd2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3，1.5摩尔％～4摩尔％的Sm2O3和55摩尔％～70摩尔％的TiO2。该介质陶瓷材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117602933B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202311595028.X
申请日：2023-11-27
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基储能陶瓷及其制备方法和应用。钛酸钡基储能陶瓷的化学组成包括(Ba0.47‑2xBi0.32Ca0.11SmxNaxSr0.1)(Ti0.68‑yFe0.32Zry)O3，其中，0＜x≤0.14，0≤y≤0.10。该钛酸钡基储能陶瓷不仅具有高的储能密度，而且还保持了高的储能效率，能够更大限度地满足使用需要，具体地，室温100Hz下，钛酸钡基储能陶瓷的储能密度为8J/cm3～10J/cm3，储能效率为85％～93.5％。
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公开(公告)号：CN114907117B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210420785.2
申请日：2022-04-21
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/50 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及一种钛酸铋基陶瓷材料及其制备方法和应用。所述钛酸铋基陶瓷材料，的化学通式为Bi3.25La0.75Ti3‑3x(HfxZrxSnx)O12，其中x表示摩尔分数，且0﹤x≤0.5。上述钛酸铋基陶瓷材料能够实现以下优点：1)获得热力学上稳定的烧绿石纯相结构；2)呈现高度的原子无序和晶格扭曲，一方面可以增强电子散射，细化晶粒和获得部分非晶相，有利于获得更高的击穿场强，另一方面还会打破了局部的对称性，引起离子位移和偶极子团簇的产生，从而贡献较大的极化值。综上，上述钛酸铋基陶瓷材料能够同时具有高极化和高击穿，从而获得优异的储能密度，且无铅，可以作为环境友好的储能介质材料。
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公开(公告)号：CN115010493B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210615524.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 清华大学(CN)
IPC: C04B35/50 , C04B35/49 , C04B35/457 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种高熵焦绿石介电陶瓷材料及其制备方法与应用，所述高熵焦绿石介电陶瓷材料的化学式为Bi1.5+xLa0.5Ti0.5Zr0.5Hf0.5Sn0.5O7，其中，0.045≤x≤0.15。发明人发现，具有该化学式的高熵焦绿石介电陶瓷材料同时具备线性电介质中较高的介电常数和较为优异的介电储能性能；而且，该高熵焦绿石介电陶瓷材料具有制备工艺简单的优点，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114956816A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210640955.8
申请日：2022-06-07
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种高性能烧绿石储能陶瓷材料及其制备方法与应用，所述高性能烧绿石储能陶瓷材料的化学组成通式为：(1‑x)Cd2Nb2O7‑xBi2Ti2O7，其中，0＜x≤0.2。发明人发现，具有上述化学组成通式的烧绿石储能陶瓷材料同时具有较大的极化和较高的击穿场强，具有优良的储能性能，此外该材料还具有结构稳定的特点，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114914353A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210656309.0
申请日：2022-06-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种BiCuSeO/石墨烯复合热电材料及其制备方法和应用，其中，该BiCuSeO/石墨烯复合热电材料的化学表达式为Bi0.88Pb0.06Ca0.06CuSeO/石墨烯，该BiCuSeO/石墨烯复合热电材料具有较高的电导率，较低的热导率和较高的热电性能，具有广阔的应用前景。具体的，该BiCuSeO/石墨烯复合热电材料ZT值不低于1.13。
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