-
公开(公告)号：CN119263813A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411368529.9
申请日：2024-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供了一种C0G型介质陶瓷材料及制备方法和应用。形成该C0G型介质陶瓷材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，5摩尔％～10摩尔％的Nd2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3，55摩尔％～70摩尔％的TiO2和0.1摩尔％～5摩尔％的GeO2。该C0G型介质陶瓷材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。同时，该方法在无添加传统玻璃料或助烧剂的情况下有效降低了具有钨青铜结构的BLT体系材料的烧结温度，同时优化了陶瓷材料的整体介电性能。
-
公开(公告)号：CN119038984A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411249674.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出了一种C0G温度稳定型陶瓷介质材料及其制备方法，具体地，本发明提出了一种陶瓷介质材料，其包含BaCO3和/或BaO、Nd2O3、Bi2O3、TiO2以及Dy2O3或Ho2O3或Er2O3。该材料具有高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。
-
公开(公告)号：CN117229052A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311044066.6
申请日：2023-08-18
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , H01G4/30 , H01G4/12 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种C0G型介质陶瓷材料及其制备方法和应用。形成该C0G型介质陶瓷材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，5.5摩尔％～15摩尔％的Nd2O3，3摩尔％～15.5摩尔％的Bi2O3和67摩尔％～68摩尔％的TiO2。该C0G型介质陶瓷材料具有高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。具体地，C0G型介质陶瓷材料的介电常数不小于120，介电损耗不大于0.0004，介电常数温度系数为‑30ppm/℃～+30ppm/℃，介电常数温度系数满足C0G型介质陶瓷规格要求。
-
公开(公告)号：CN114988873B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210691725.4
申请日：2022-06-17
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/48 , C04B35/462 , C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铋基焦绿石介电储能陶瓷及其制备方法，所述铋基焦绿石介电储能陶瓷的化学式为Bi1.5Zn1‑xMxNb1.5‑yM’yO7，其中，M为Mg、Cd或Ni，M’为Ta、W、Hf、Ti、Zr的至少一种，0≤x≤1，0≤y≤1.5，并且x、y不同时为0。发明人发现，具有上述化学式的铋基焦绿石介电储能陶瓷结构稳定、具有优异介电稳定性以及高电介质储能性能，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115010493A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210615524.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/49 , C04B35/457 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种高熵焦绿石介电陶瓷材料及其制备方法与应用，所述高熵焦绿石介电陶瓷材料的化学式为Bi1.5+xLa0.5Ti0.5Zr0.5Hf0.5Sn0.5O7，其中，0.045≤x≤0.15。发明人发现，具有该化学式的高熵焦绿石介电陶瓷材料同时具备线性电介质中较高的介电常数和较为优异的介电储能性能；而且，该高熵焦绿石介电陶瓷材料具有制备工艺简单的优点，具有广泛的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119263811A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411368524.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供了一种无铅高介电低损耗C0G温度稳定型陶瓷介质材料及制备方法和应用。形成该无铅高介电低损耗C0G温度稳定型陶瓷介质材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，7.5摩尔％～10摩尔％的Nd2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3，1.5摩尔％～4摩尔％的Sm2O3和55摩尔％～70摩尔％的TiO2。该介质陶瓷材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。
-
公开(公告)号：CN115010493B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210615524.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 清华大学(CN)
IPC: C04B35/50 , C04B35/49 , C04B35/457 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种高熵焦绿石介电陶瓷材料及其制备方法与应用，所述高熵焦绿石介电陶瓷材料的化学式为Bi1.5+xLa0.5Ti0.5Zr0.5Hf0.5Sn0.5O7，其中，0.045≤x≤0.15。发明人发现，具有该化学式的高熵焦绿石介电陶瓷材料同时具备线性电介质中较高的介电常数和较为优异的介电储能性能；而且，该高熵焦绿石介电陶瓷材料具有制备工艺简单的优点，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN114956816A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210640955.8
申请日：2022-06-07
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种高性能烧绿石储能陶瓷材料及其制备方法与应用，所述高性能烧绿石储能陶瓷材料的化学组成通式为：(1‑x)Cd2Nb2O7‑xBi2Ti2O7，其中，0＜x≤0.2。发明人发现，具有上述化学组成通式的烧绿石储能陶瓷材料同时具有较大的极化和较高的击穿场强，具有优良的储能性能，此外该材料还具有结构稳定的特点，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN119263814A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411368539.2
申请日：2024-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供了一种高介电常数NP0型介质陶瓷材料及制备方法和应用。该高介电常数NP0型介质陶瓷材料通过包含下述物质的原料制备而成：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，2摩尔％～6摩尔％的Nd2O3，2摩尔％～6摩尔％的Sm2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3，和55摩尔％～70摩尔％的TiO2。所提供的陶瓷介质材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻，满足NP0型介质陶瓷规格要求。
-
公开(公告)号：CN119263812A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411368526.5
申请日：2024-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供了一种高介电常数温度稳定型介质陶瓷材料及制备方法和应用。形成该陶瓷介质材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，5摩尔％～15摩尔％的Sm2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3和60摩尔％～80摩尔％的TiO2。所提供的陶瓷介质材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.016 seconds)
