-
公开(公告)号：CN103811263A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410065214.7
申请日：2014-02-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种等离子体约束装置，包括：约束环，约束环包括多个同心圆环，多个同心圆环之间的缝隙形成约束通道，约束环的高度大于等离子体的平均自由程，约束通道用于抑制等离子体通过；第一约束片，第一约束片设置在约束环的顶部，以封闭约束通道，第一约束片上形成有多个约束通孔；以及第二约束片，第二约束片沿约束环的轴向可旋转地设置在第一约束片之上，第二约束片上形成有多个约束通孔。根据本发明实施例的等离子体约束装置具有结构简单，维修成本低且可以有效抑制等离子体扩散的优点。本发明还提出了一种等离子体处理装置。
-
公开(公告)号：CN103811247A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410053269.6
申请日：2014-02-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种用于等离子体刻蚀的聚焦环，包括绝缘体材料的下环、导体材料的中环以及上环。本发明亦提供一种包括该聚焦环的等离子体刻蚀装置，其中，对聚焦环的加载预设电压，该预设电压为针对不同的等离子体放电模型，获取刻蚀腔室中一个射频周期内的平均电压的近似最大值。在等离子体刻蚀过程中，虽然上环逐渐被腐蚀掉，但由于中环限制了晶圆边缘附近的电场分布，上环高度变化对晶圆边缘的等离子体特性影响较小，尤其是对离子入射角度影响较小，能够保证晶圆边缘的刻蚀剖面的垂直度不发生较大变化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811263B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410065214.7
申请日：2014-02-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种等离子体约束装置，包括：约束环，约束环包括多个同心圆环，多个同心圆环之间的缝隙形成约束通道，约束环的高度大于等离子体的平均自由程，约束通道用于抑制等离子体通过；第一约束片，第一约束片设置在约束环的顶部，以封闭约束通道，第一约束片上形成有多个约束通孔；以及第二约束片，第二约束片沿约束环的轴向可旋转地设置在第一约束片之上，第二约束片上形成有多个约束通孔。根据本发明实施例的等离子体约束装置具有结构简单，维修成本低且可以有效抑制等离子体扩散的优点。本发明还提出了一种等离子体处理装置。
-
公开(公告)号：CN107024673B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710362481.4
申请日：2017-05-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提出一种基于陀螺仪辅助的三轴磁强计全误差标定方法，适用于捷联惯性导航系统、手机等便携式导航设备，该方法采用三轴陀螺仪与三轴磁强计固连的传感器组合模块，利用长方体框架与传感器组合模块，对磁强计的软磁误差、硬磁误差、零偏误差、标度因子误差、非正交误差和安装误差进行标定。在有磁环境中，通过改变长方体框架的摆放朝向并旋转，获得三轴磁强计与三轴陀螺仪输出数据。第一步由陀螺仪输出辅助得到等旋转角度间隔的磁强计插值输出，第二步由磁强计插值输出线性运算得到误差系数矩阵和零偏向量标定值。本发明的方法具有设备要求低、操作简单、标定时间短、计算量小、精度高的优点。
-
公开(公告)号：CN104765850A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510187796.0
申请日：2015-04-20
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/30
Abstract: 本发明公开了一种基于关系数据库的本体存储方法及存储系统，其中，方法包括以下步骤：根据本体语言配置与本体语言对应的基于关系数据库的本体存储模式，每种本体语言对应一种本体存储模式，本体存储模式至少包括资源数据表和资源的相互关系数据表；根据本体存储模式建立数据库，并将本体按照本体存储模式存储在数据库中。本发明实施例的存储方法，通过对本体存储模式进行灵活配置，实现不同本体语言构建的本体在关系型数据库中的存储，具备查询效率高，易于理解、维护、扩展，适应不同本体语言的特点。
-
公开(公告)号：CN107024673A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710362481.4
申请日：2017-05-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01R35/00
CPC classification number: G01R35/00
Abstract: 本发明提出一种基于陀螺仪辅助的三轴磁强计全误差标定方法，适用于捷联惯性导航系统、手机等便携式导航设备，该方法采用三轴陀螺仪与三轴磁强计固连的传感器组合模块，利用长方体框架与传感器组合模块，对磁强计的软磁误差、硬磁误差、零偏误差、标度因子误差、非正交误差和安装误差进行标定。在有磁环境中，通过改变长方体框架的摆放朝向并旋转，获得三轴磁强计与三轴陀螺仪输出数据。第一步由陀螺仪输出辅助得到等旋转角度间隔的磁强计插值输出，第二步由磁强计插值输出线性运算得到误差系数矩阵和零偏向量标定值。本发明的方法具有设备要求低、操作简单、标定时间短、计算量小、精度高的优点。
-
公开(公告)号：CN103811247B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410053269.6
申请日：2014-02-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种用于等离子体刻蚀的聚焦环，包括绝缘体材料的下环、导体材料的中环以及上环。本发明亦提供一种包括该聚焦环的等离子体刻蚀装置，其中，对聚焦环的加载预设电压，该预设电压为针对不同的等离子体放电模型，获取刻蚀腔室中一个射频周期内的平均电压的近似最大值。在等离子体刻蚀过程中，虽然上环逐渐被腐蚀掉，但由于中环限制了晶圆边缘附近的电场分布，上环高度变化对晶圆边缘的等离子体特性影响较小，尤其是对离子入射角度影响较小，能够保证晶圆边缘的刻蚀剖面的垂直度不发生较大变化。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.013 seconds)
