公开(公告)号：CN113838964B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202111080289.9

申请日：2021-09-15

Applicant: 北京量子信息科学研究院 ,  清华大学

Inventor： 何珂 ,  张浩 ,  冯硝 ,  姜钰莹 ,  苗文韬 ,  宋文玉 ,  曹霑 ,  杨帅 ,  李琳 ,  仝冰冰 ,  臧运祎 ,  耿祖汗

IPC: H10N60/10 ,  H10N60/12 ,  H10N60/85 ,  H10N60/01

Abstract: 本发明涉及异质结技术领域，具体而言，涉及一种超导‑半导体纳米线异质结，包括衬底，以及生长在所述衬底上的半导体纳米线和超导体层，所述超导体层至少一部分与所述半导体纳米线直接接触；其中，所述半导体纳米线的材料为化合物半导体PbTe，所述超导体层的材料为元素超导体Pb，所述衬底的材料为化合物半导体

公开(公告)号：CN117199121A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311132003.6

申请日：2023-09-04

Applicant: 清华大学

Inventor： 何珂 ,  张浩 ,  宋文玉 ,  于泽昊 ,  王禹灏 ,  高益淳 ,  杨帅

IPC: H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及量子计算技术领域，特别是涉及一种超导‑半导体纳米线异质结及其衬底、制备方法和器件。可以满足超导‑半导体纳米线异质结对衬底的高平整性、绝缘和耐高温需求。一种超导‑半导体纳米线异质结的衬底，包括：衬底本体，以及设置于所述衬底本体沿其厚度方向一侧的缓冲层；其中，所述缓冲层包括：掺铕碲化铅晶体薄膜。

公开(公告)号：CN113889564A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111081892.9

申请日：2021-09-15

Applicant: 北京量子信息科学研究院 ,  清华大学

Inventor： 张浩 ,  何珂 ,  李琳 ,  冯硝 ,  宋文玉 ,  苗文韬 ,  姜钰莹 ,  杨帅 ,  臧运祎 ,  耿祖汗 ,  仝冰冰

IPC: H01L39/24

Abstract: 本发明涉及异质结制备技术领域，具体而言，涉及一种复合材料异质结的制备方法。该制备方法包括以下步骤：在衬底上镀掩模，在掩模上甩预设厚度的HSQ Fox‑系列电子束光刻胶，经曝光显影后在掩模上形成光刻胶三维图形。在掩模及光刻胶三维图形上甩正性电子束光刻胶，经电子束曝光显影后在掩模上形成凹槽，刻蚀除去凹槽中的掩模，除去正性电子束光刻胶。利用分子束外延技术在所述凹槽中的衬底上生长第一相材料，使光刻胶三维图形相对第二相材料束流方向倾斜预设角度，使光刻胶三维图形的投影部分遮挡部分第一相材料，在未遮挡部分原位生长第二相材料以形成异质结；第一相材料为半导体纳米线。该方法能够进行选区生长半导体纳米线。

公开(公告)号：CN113838964A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111080289.9

申请日：2021-09-15

Applicant: 北京量子信息科学研究院 ,  清华大学

Inventor： 何珂 ,  张浩 ,  冯硝 ,  姜钰莹 ,  苗文韬 ,  宋文玉 ,  曹霑 ,  杨帅 ,  李琳 ,  仝冰冰 ,  臧运祎 ,  耿祖汗

IPC: H01L39/22 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明涉及异质结技术领域，具体而言，涉及一种超导‑半导体纳米线异质结，包括衬底，以及生长在所述衬底上的半导体纳米线和超导体层，所述超导体层至少一部分与所述半导体纳米线直接接触；其中，所述半导体纳米线的材料为化合物半导体PbTe，所述超导体层的材料为元素超导体Pb，所述衬底的材料为化合物半导体CdTe。本发明还涉及所述超导‑半导体纳米线异质结的制备方法。本发明进一步涉及一种包含所述超导‑半导体纳米线异质结的器件。