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公开(公告)号：CN106646860A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611031638.7
申请日：2016-11-18
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G02B26/101 , G02B21/242
Abstract: 本技术方案提供的微动装置，通过压力施加装置与支撑底座来向所述第一移动台和所述第二移动台施加垂直于第一方向和第二方向的力，与具有第一夹角的所述两个第一压电陶瓷接触面，和具有第二夹角的所述两个第二压电陶瓷接触面配合工作，提高了微动装置的准直性。所述微动装置还进一步包括第三方向微动组件，从而使得所述微动装置可以实现三维移动。另外，本技术方案还提供一种采用所述微动装置的显微镜扫描头和显微镜。
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公开(公告)号：CN106646860B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201611031638.7
申请日：2016-11-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本技术方案提供的微动装置，通过压力施加装置与支撑底座来向所述第一移动台和所述第二移动台施加垂直于第一方向和第二方向的力，与具有第一夹角的所述两个第一压电陶瓷接触面，和具有第二夹角的所述两个第二压电陶瓷接触面配合工作，提高了微动装置的准直性。所述微动装置还进一步包括第三方向微动组件，从而使得所述微动装置可以实现三维移动。另外，本技术方案还提供一种采用所述微动装置的显微镜扫描头和显微镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103184513B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310079699.0
申请日：2013-03-13
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种高温超导薄膜的制备方法，其包括以下具体步骤：提供一SrTiO3基底，将该SrTiO3基底置于一超高真空系统中；利用分子束外延生长技术生长一FeSe单晶层于该SrTiO3基底的表面；以及利用分子束外延生长技术生长一具有层状晶体结构的保护层覆盖于该FeSe单晶层的表面。利用本发明方法可制备出高质量、超薄的高温超导薄膜，其超导转变的起始温度在54K以上，在12K时的临界电流密度高于106A/cm2。
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公开(公告)号：CN103203913B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310079700.X
申请日：2013-03-13
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
IPC: B32B9/04
Abstract: 本发明涉及一种高温超导薄膜，其包括一SrTiO3基底、一FeSe单晶层及一具有层状晶体结构的保护层。所述SrTiO3基底、FeSe单晶层和保护层层叠设置，其中，所述FeSe单晶层位于所述SrTiO3基底和保护层之间。所述FeSe单晶层与所述SrTiO3基底之间具有一原子级平整的界面，所述保护层与所述FeSe单晶层之间也具有一原子级平整的界面。本发明提供的高温超导薄膜，其超导转变的起始温度在54K以上，在12K时的临界电流密度高于106A/cm2。
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公开(公告)号：CN103203913A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310079700.X
申请日：2013-03-13
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
IPC: B32B9/04
Abstract: 本发明涉及一种高温超导薄膜，其包括一SrTiO3基底、一FeSe单晶层及一具有层状晶体结构的保护层。所述SrTiO3基底、FeSe单晶层和保护层层叠设置，其中，所述FeSe单晶层位于所述SrTiO3基底和保护层之间。所述FeSe单晶层与所述SrTiO3基底之间具有一原子级平整的界面，所述保护层与所述FeSe单晶层之间也具有一原子级平整的界面。本发明提供的高温超导薄膜，其超导转变的起始温度在54K以上，在12K时的临界电流密度高于106A/cm2。
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公开(公告)号：CN103184513A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310079699.0
申请日：2013-03-13
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种高温超导薄膜的制备方法，其包括以下具体步骤：提供一SrTiO3基底，将该SrTiO3基底置于一超高真空系统中；利用分子束外延生长技术生长一FeSe单晶层于该SrTiO3基底的表面；以及利用分子束外延生长技术生长一具有层状晶体结构的保护层覆盖于该FeSe单晶层的表面。利用本发明方法可制备出高质量、超薄的高温超导薄膜，其超导转变的起始温度在54K以上，在12K时的临界电流密度高于106A/cm2。
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公开(公告)号：CN206573778U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201621247689.9
申请日：2016-11-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本技术方案提供的微动装置，通过压力施加装置与支撑底座来向所述第一移动台和所述第二移动台施加垂直于第一方向和第二方向的力，与具有第一夹角的所述两个第一压电陶瓷接触面，和具有第二夹角的所述两个第二压电陶瓷接触面配合工作，提高了微动装置的准直性。所述微动装置还进一步包括第三方向微动组件，从而使得所述微动装置可以实现三维移动。另外，本技术方案还提供一种采用所述微动装置的显微镜扫描头和显微镜。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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