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公开(公告)号：CN118866857A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310489424.8
申请日：2023-04-28
申请人： 深圳赛意法微电子有限公司 , 意法半导体国际有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/07 , H01L21/48 , H01L21/768
摘要： 本公开的实施例涉及半导体封装、形成半导体封装的方法和功率模块。例如，提供了一种半导体封装。该半导体封装可以包括芯片层级，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述芯片层级包括多个功率管，每个功率管在第一侧处布置有源极和栅极。此外，该半导体封装还可以包括第一导电层级，第一导电层级包括与栅极电连接的栅极连接部和与源极电连接的源极连接部。该半导体封装进一步包括第二导电层级，包括与栅极连接部电连接的栅极引出部和与源极连接部电连接的源极引出部，第一导电层级位于第二导电层级和芯片层级之间。本公开的实施例可以通过改善半导体封装中的每个功率管的栅极和源极到达相应点位的导电路径的一致性来提升产品的工作性能表现。
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公开(公告)号：CN220821559U
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202321027620.5
申请日：2023-04-28
申请人： 深圳赛意法微电子有限公司 , 意法半导体国际有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/07 , H01L21/48 , H01L21/768
摘要： 本公开的实施例涉及半导体封装和功率模块。例如，提供了一种半导体封装。该半导体封装可以包括芯片层级，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述芯片层级包括多个功率管，每个功率管在第一侧处布置有源极和栅极。此外，该半导体封装还可以包括第一导电层级，第一导电层级包括与栅极电连接的栅极连接部和与源极电连接的源极连接部。该半导体封装进一步包括第二导电层级，包括与栅极连接部电连接的栅极引出部和与源极连接部电连接的源极引出部，第一导电层级位于第二导电层级和芯片层级之间。本公开的实施例可以通过改善半导体封装中的每个功率管的栅极和源极到达相应点位的导电路径的一致性来提升产品的工作性能表现。
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公开(公告)号：CN116072630A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111275853.2
申请日：2021-10-29
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 深圳赛意法微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本公开的实施例涉及半导体封装、封装形成方法、和电子设备。例如，该半导体封装可以包括第一基板组件，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。该半导体封装还可以包括一个或多个芯片，通过第一导热连接材料被接合至第一基板组件的第一表面。此外，该半导体封装还可以包括第二基板组件，包括第三表面和与第三表面相对的第四表面，第三表面与第一表面被设置为彼此面对，并且第三表面通过第二导热连接材料被接合至一个或多个芯片。其中第一表面与第三表面中的至少一个表面被成型为具有台阶图案，以与一个或多个芯片的表面相配合。本公开的实施例至少能够简化双面散热结构，改善芯片散热效果。
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公开(公告)号：CN216624256U
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202122638056.8
申请日：2021-10-29
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 深圳赛意法微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/31 , H01L21/48
摘要： 本公开的实施例涉及半导体封装和电子设备。例如，该半导体封装可以包括第一基板组件，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。该半导体封装还可以包括一个或多个芯片，通过第一导热连接材料被接合至第一基板组件的第一表面。此外，该半导体封装还可以包括第二基板组件，包括第三表面和与第三表面相对的第四表面，第三表面与第一表面被设置为彼此面对，并且第三表面通过第二导热连接材料被接合至一个或多个芯片。其中第一表面与第三表面中的至少一个表面被成型为具有台阶图案，以与一个或多个芯片的表面相配合。本公开的实施例至少能够简化双面散热结构，改善芯片散热效果。
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