发明公开
- 专利标题: 半导体封装、形成半导体封装的方法和功率模块
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申请号: CN202310489424.8申请日: 2023-04-28
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公开(公告)号: CN118866857A公开(公告)日: 2024-10-29
- 发明人: 刘谦 , R·蒂齐亚尼
- 申请人: 深圳赛意法微电子有限公司 , 意法半导体国际有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市福田区福保街道福田保税区桃花路16号;
- 专利权人: 深圳赛意法微电子有限公司,意法半导体国际有限公司
- 当前专利权人: 深圳赛意法微电子有限公司,意法半导体国际有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市福田区福保街道福田保税区桃花路16号;
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 张宁; 张昊
- 主分类号: H01L23/498
- IPC分类号: H01L23/498 ; H01L23/538 ; H01L25/07 ; H01L21/48 ; H01L21/768
摘要:
本公开的实施例涉及半导体封装、形成半导体封装的方法和功率模块。例如,提供了一种半导体封装。该半导体封装可以包括芯片层级,具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,所述芯片层级包括多个功率管,每个功率管在第一侧处布置有源极和栅极。此外,该半导体封装还可以包括第一导电层级,第一导电层级包括与栅极电连接的栅极连接部和与源极电连接的源极连接部。该半导体封装进一步包括第二导电层级,包括与栅极连接部电连接的栅极引出部和与源极连接部电连接的源极引出部,第一导电层级位于第二导电层级和芯片层级之间。本公开的实施例可以通过改善半导体封装中的每个功率管的栅极和源极到达相应点位的导电路径的一致性来提升产品的工作性能表现。
IPC分类: