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公开(公告)号：CN108330468B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201810208478.1
申请日：2018-03-14
申请人： 深圳市志橙半导体材料有限公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本发明公开一种化学气相沉积炉中的基体支撑装置，包括支撑架、若干个沿着圆周方向设在支撑架上的滚动槽以及设在每个滚动槽中用于支撑基体的滚球，所述支撑架上设有用于限制基体离心甩出的挡块。该基体支撑装置不但可以支撑质量大小不同的基体，且支撑处不会产生无薄膜的缺口，使得基体表面能均匀地一次沉积到所需的薄膜，既提高了基体的表面质量，也降低了生产成本。本发明还公开一种化学气相沉积炉中的基体旋转驱动装置，包括转盘、驱动转盘转动的转盘驱动机构以及若干个基体支撑装置，其中，所述转盘的转动中心构成公转中心，支撑架与转盘之间的转动结构的中心构成自转中心；所述转盘上设有驱动支撑架绕着自转中心转动的自转驱动机构。
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公开(公告)号：CN108302040A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810208477.7
申请日：2018-03-14
申请人： 深圳市志橙半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开一种干式真空泵的防卡死方法，当干式真空泵停止工作后，利用附加的自动驱动装置，带动干式真空泵中的螺杆按设定的速度继续转动，防止螺杆卡死；本发明还公开一种用于实现所述干式真空泵的防卡死方法的干式真空泵的防卡死装置，包括机架和设在机架上的电机，所述电机的动力输出轴与干式真空泵的螺杆连接。本发明能够让停止作业后的干式真空泵的螺杆继续保持转动，从而保证干式真空泵内的温度不会过低，避免泵内的颗粒凝结，确保干式真空泵的螺杆不会被卡死；另外，还能够减少能耗，节省人力。
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公开(公告)号：CN108302040B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201810208477.7
申请日：2018-03-14
申请人： 深圳市志橙半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开一种干式真空泵的防卡死方法，当干式真空泵停止工作后，利用附加的自动驱动装置，带动干式真空泵中的螺杆按设定的速度继续转动，防止螺杆卡死；本发明还公开一种用于实现所述干式真空泵的防卡死方法的干式真空泵的防卡死装置，包括机架和设在机架上的电机，所述电机的动力输出轴与干式真空泵的螺杆连接。本发明能够让停止作业后的干式真空泵的螺杆继续保持转动，从而保证干式真空泵内的温度不会过低，避免泵内的颗粒凝结，确保干式真空泵的螺杆不会被卡死；另外，还能够减少能耗，节省人力。
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公开(公告)号：CN115561259A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211409017.3
申请日：2022-11-11
申请人： 深圳市志橙半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及人工智能领域，公开了一种碳化硅涂层石墨盘的性能测试方法及相关装置，用于提高碳化硅涂层石墨盘的性能测试的准确率。所述方法包括：根据多个检测区域设置温度检测点位，得到多个温度检测点位；根据多个温度检测点位对目标碳化硅涂层石墨盘进行温度测试，得到每个检测区域对应的温度数据；调用石墨盘表面检测模型对目标碳化硅涂层石墨盘进行石墨盘表面数据提取，得到石墨盘表面特征数据；根据石墨盘表面特征数据计算摩擦力评价指标；根据摩擦力评价指标和每个检测区域对应的温度数据构建性能测试向量；将性能测试向量输入预置的石墨盘性能测试模型进行石墨盘性能测试，得到石墨盘性能测试结果。
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公开(公告)号：CN115420756A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211381855.4
申请日：2022-11-07
申请人： 深圳市志橙半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及人工智能领域，公开了一种碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法及装置，用于提高碳化硅涂层石墨盘的检测准确率。所述方法包括：将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的碳化硅涂层检测模型进行表面涂层检测，得到每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果；将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的石墨盘形变检测模型进行石墨盘形变检测，得到每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果；根据每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果生成目标表面检测曲线，并根据每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果生成目标形变检测曲线；根据目标表面检测曲线和目标形变检测曲线生成最佳工作温度数据。
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公开(公告)号：CN115069055A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210709214.0
申请日：2022-06-21
申请人： 深圳市志橙半导体材料有限公司
IPC分类号： B01D50/60 , B01D45/16 , B01D53/00 , B01D53/047 , B01D53/68 , B01D53/78 , B01D53/81 , H01M8/04082
摘要： 本发明涉及尾气处理与能量回收的技术领域，公开了一种氯基碳化硅制程的尾气处理与能量回收设备，包括：依次连接设置的固体颗粒处理装置、尾气分流处理装置、氢气提纯装置、氢气再利用装置；本发明令尾气依次通过固体颗粒处理装置、尾气分流处理装置、氢气提纯装置，获取高纯度的氢气，并将尾气中的固体颗粒、酸性物质分别进行分离与处理，再通过氢气再利用装置将氢气的化学能转化为电能，为反应炉提供电能，实现了对尾气的更高效率的利用，解决了尾气直接排放至大气中导致原料浪费的问题。
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公开(公告)号：CN108359958B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810213134.X
申请日：2018-03-14
申请人： 深圳市志橙半导体材料有限公司
IPC分类号： C23C16/32
摘要： 本发明公开一种CVD法碳化硅涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)启动沉积炉的加温箱，使温度达到100‑160℃；(2)将石墨基体放入沉积炉内的转盘上，然后带动石墨基体旋转；(3)对沉积炉内抽真空，再充入氩气；如此循环多次；(4)启动炉腔加热系统，对沉积炉内进行加热，同时对沉积炉内进行抽真空，达到沉积温度后，保温一定时间，再充入氩气，使沉积炉内的压力达到40‑60Kpa，再抽真空；(5)将氢气、氩气以及烷烃通入加温箱中，并通入液态氯硅烷，进而将带有氯硅烷的混合气体通入到沉积炉内；(6)沉积完，停止输送氢气、氯硅烷以及烷烃，保持氩气的输送，对沉积炉进行冲洗和降温，然后充气，打开炉体，取出带有碳化硅涂层的石墨工件。
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公开(公告)号：CN108277476B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201810232208.4
申请日：2018-03-14
申请人： 深圳市志橙半导体材料有限公司
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/455
摘要： 本发明公开一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体、气液输送装置、炉腔加热装置、工件放置装置、真空抽气装置以及电气控制系统，其中：所述气液输送装置包括气液混合预热装置以及进气管网，所述进气管网一端与气液混合预热装置连接，另一端设有连接在炉体上；所述炉体的底部设有炉门，所述炉门与驱动该炉门做升降运动的炉门升降机构连接；所述工件放置装置包括工件托盘以及驱动工件托盘转动的托盘驱动机构，该工件放置装置设置于炉门上；所述电气控制系统包括控制器，该控制器分别与气液输送装置、炉腔加热装置、炉门升降机构以及托盘驱动机构进行电连接。该碳化硅沉积处理设备能实现碳化硅薄膜的自动化大批量生产。
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公开(公告)号：CN108359958A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810213134.X
申请日：2018-03-14
申请人： 深圳市志橙半导体材料有限公司
IPC分类号： C23C16/32
摘要： 本发明公开一种CVD法碳化硅涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)启动沉积炉的加温箱，使温度达到100-160℃；(2)将石墨基体放入沉积炉内的转盘上，然后带动石墨基体旋转；(3)对沉积炉内抽真空，再充入氩气；如此循环多次；(4)启动炉腔加热系统，对沉积炉内进行加热，同时对沉积炉内进行抽真空，达到沉积温度后，保温一定时间，再充入氩气，使沉积炉内的压力达到40-60Kpa，再抽真空；(5)将氢气、氩气以及烷烃通入加温箱中，并通入液态氯硅烷，进而将带有氯硅烷的混合气体通入到沉积炉内；(6)沉积完，停止输送氢气、氯硅烷以及烷烃，保持氩气的输送，对沉积炉进行冲洗和降温，然后充气，打开炉体，取出带有碳化硅涂层的石墨工件。
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公开(公告)号：CN108330468A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810208478.1
申请日：2018-03-14
申请人： 深圳市志橙半导体材料有限公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本发明公开一种化学气相沉积炉中的基体支撑装置，包括支撑架、若干个沿着圆周方向设在支撑架上的滚动槽以及设在每个滚动槽中用于支撑基体的滚球，所述支撑架上设有用于限制基体离心甩出的挡块。该基体支撑装置不但可以支撑质量大小不同的基体，且支撑处不会产生无薄膜的缺口，使得基体表面能均匀地一次沉积到所需的薄膜，既提高了基体的表面质量，也降低了生产成本。本发明还公开一种化学气相沉积炉中的基体旋转驱动装置，包括转盘、驱动转盘转动的转盘驱动机构以及若干个基体支撑装置，其中，所述转盘的转动中心构成公转中心，支撑架与转盘之间的转动结构的中心构成自转中心；所述转盘上设有驱动支撑架绕着自转中心转动的自转驱动机构。
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