一种高纯度GHK-Cu的合成方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115124593A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202110325006.6

    申请日:2021-03-25

    发明人: 唐青林 谢肖萍

    摘要: 本发明涉及一种高纯度GHK‑Cu的合成方法,其包括以下步骤:S1、在GHK产品的溶液中加入铜盐,搅拌均匀后得到混合溶液,其中,所述GHK产品中含有副产物阴离子;S2、将混合溶液加入到阴离子交换树脂中反应,然后过滤得到反应后的混合溶液;S3、将反应后的混合溶液浓缩后,加入乙醇水溶液加热到40℃~70℃超声溶解,得到再溶解溶液;S4、将再溶解溶液降温,得到GHK‑Cu晶体。本发明方法所得GHK‑Cu产品纯度较高、收率较高、结晶方便,同时本发明操作简单,成本低,效率高。

    一种GCGR/GLP-1R双靶点激动多肽的合成方法

    公开(公告)号:CN114790236A

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN202210224017.X

    申请日:2022-03-09

    发明人: 唐青林 邓强

    IPC分类号: C07K14/72 C07K1/04 C07K1/08

    摘要: 本发明公开了一种GCGR/GLP‑1R双靶点激动多肽的合成方法,该方法包括:固相合成GCGR/GLP‑1R双靶点激动多肽S1‑S4片段树脂,经裂解,纯化作为第一片段;合成GCGR/GLP‑1R双靶点激动多肽带侧链基团的赖氨酸,作为第二片段;按照GCGR/GLP‑1R双靶点激动多肽的肽序依次偶联氨基酸或肽片段,得到GCGR/GLP‑1R双靶点激动多肽的肽树脂,然后裂解,纯化得到GCGR/GLP‑1R双靶点激动多肽精肽。本发明能够降低D‑His、D‑Thr、D‑Phe等消旋杂质及+Gly杂质的产生,显著降低了粗品纯化的难度,大大提高了GCGR/GLP‑1R双靶点激动多肽的纯度和收率,降低了生产成本。