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公开(公告)号：CN107238891B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710372174.4
申请日：2017-05-23
申请人： 深圳信息职业技术学院 , 耿煜 , 张运生
摘要： 本发明适用于光电领域，提供了一种可集成的无定型硅波导结构及其制作方法，该结构包括：单晶半导体、第一二氧化硅层、无定型硅层和第二二氧化硅层；第一二氧化硅层通过沉积形成于单晶半导体上，无定型硅层通过沉积形成于第一二氧化硅层上。本发明提供的无定型硅波导结构可以通过控制第一二氧化硅层和无定型硅层厚度，调节无定型硅波导起到波导或是波导上包层作用，并通过光刻工艺或者自校准工艺，严格校准不同无定型硅波导或者无定型硅波导与其他波导之间的水平方向耦合，以降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN107293557B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201710369550.4
申请日：2017-05-23
申请人： 深圳信息职业技术学院 , 耿煜 , 张运生
IPC分类号： H01L27/142
摘要： 本发明适用于光电领域，提供了一种制作集成多种光电器件的基材结构及其制作方法，该基材结构包括：衬底；通过外延生长于衬底上的第一接触层；通过外延生长于第一接触层上的包层；通过外延生长于包层上的第二接触层；通过外延生长于第二接触层上的有源区；通过外延生长于有源区上的第三接触层；通过沉积形成于第三接触层上的无定型硅波导；第一接触层、第二接触层以及包层的导电类型均相同，第三接触层与第一接触层的导电类型相反。本发明提供的制作集成多种光电器件的基材结构能够同时制成集成的多种光电器件，避免使用键合技术和昂贵的SOI衬底实现光电互联，制作工艺简单，有利于大规模低成本生产。
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公开(公告)号：CN107238891A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710372174.4
申请日：2017-05-23
申请人： 深圳信息职业技术学院 , 耿煜 , 张运生
摘要： 本发明适用于光电领域，提供了一种可集成的无定型硅波导结构及其制作方法，该结构包括：单晶半导体、第一二氧化硅层、无定型硅层和第二二氧化硅层；第一二氧化硅层通过沉积形成于单晶半导体上，无定型硅层通过沉积形成于第一二氧化硅层上。本发明提供的无定型硅波导结构可以通过控制第一二氧化硅层和无定型硅层厚度，调节无定型硅波导起到波导或是波导上包层作用，并通过光刻工艺或者自校准工艺，严格校准不同无定型硅波导或者无定型硅波导与其他波导之间的水平方向耦合，以降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN107037534A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710369969.X
申请日：2017-05-23
申请人： 深圳信息职业技术学院 , 耿煜 , 张运生
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/13 , G02B6/134 , G02B6/136 , G02B6/24 , H01L27/144 , H01L27/15 , H01L31/0232 , H01L33/58
摘要： 本发明适用于光电领域，提供了一种可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法，该器件包括：多层结构的基底，基底从底至顶底依次包括衬底以及在衬底上依次逐层生长出的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和无定型硅波导层；硅波导区，硅波导区通过将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构形成，硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层。本发明通过III‑V的直接生长，在III‑V或着Si衬底上一次性直接生长各种III‑V光电器件层状结构，并使用无定型硅和SiO2为光波导，连接各个器件，避免使用键合技术和昂贵的SOI衬底，制作工艺简单，有利于大规模低成本生产。
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公开(公告)号：CN107037534B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710369969.X
申请日：2017-05-23
申请人： 深圳信息职业技术学院 , 耿煜 , 张运生
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/13 , G02B6/134 , G02B6/136 , G02B6/24 , H01L27/144 , H01L27/15 , H01L31/0232 , H01L33/58
摘要： 本发明适用于光电领域，提供了一种可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法，该器件包括：多层结构的基底，基底从底至顶底依次包括衬底以及在衬底上依次逐层生长出的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和无定型硅波导层；硅波导区，硅波导区通过将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构形成，硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层。本发明通过III‑V的直接生长，在III‑V或着Si衬底上一次性直接生长各种III‑V光电器件层状结构，并使用无定型硅和SiO2为光波导，连接各个器件，避免使用键合技术和昂贵的SOI衬底，制作工艺简单，有利于大规模低成本生产。
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公开(公告)号：CN107293557A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710369550.4
申请日：2017-05-23
申请人： 深圳信息职业技术学院 , 耿煜 , 张运生
IPC分类号： H01L27/142
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L27/142
摘要： 本发明适用于光电领域，提供了一种制作集成多种光电器件的基材结构及其制作方法，该基材结构包括：衬底；通过外延生长于衬底上的第一接触层；通过外延生长于第一接触层上的包层；通过外延生长于包层上的第二接触层；通过外延生长于第二接触层上的有源区；通过外延生长于有源区上的第三接触层；通过沉积形成于第三接触层上的无定型硅波导；第一接触层、第二接触层以及包层的导电类型均相同，第三接触层与第一接触层的导电类型相反。本发明提供的制作集成多种光电器件的基材结构能够同时制成集成的多种光电器件，避免使用键合技术和昂贵的SOI衬底实现光电互联，制作工艺简单，有利于大规模低成本生产。
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公开(公告)号：CN106097251B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610458527.8
申请日：2016-06-22
申请人： 深圳信息职业技术学院
摘要： 本发明公开了一种非均匀稀疏采样视频超分辨率方法，属于视频超分辨率技术领域，包括镜头(shot)检测和关键帧提取、原始图像进行模糊处理和下采样、非均匀采样的视觉模型建立、稀疏词典的构建、视频重构等关键技术，采用基于视网膜中央凹视觉的非均匀稀疏采样方法，实现对视频序列进行差异性稀疏采样,大幅度缩减原子个数，实时生成或根据移动终端设备屏幕的分辨率先验计算出具有高低分辨率的双词典(高分辨率参照副本)作为搭载的元数据，利用硬件支持的非线性Mipmap插值方法实时模拟生成Foveation图像，能够获取与高斯金字塔方法类似的结果，且计算开销更低。
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公开(公告)号：CN106097251A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610458527.8
申请日：2016-06-22
申请人： 深圳信息职业技术学院
CPC分类号： G06T3/4053 , G06T5/002 , H04N7/015
摘要： 本发明公开了一种非均匀稀疏采样视频超分辨率方法，属于视频超分辨率技术领域，包括镜头(shot)检测和关键帧提取、原始图像进行模糊处理和下采样、非均匀采样的视觉模型建立、稀疏词典的构建、视频重构等关键技术，采用基于视网膜中央凹视觉的非均匀稀疏采样方法，实现对视频序列进行差异性稀疏采样,大幅度缩减原子个数，实时生成或根据移动终端设备屏幕的分辨率先验计算出具有高低分辨率的双词典(高分辨率参照副本)作为搭载的元数据，利用硬件支持的非线性Mipmap插值方法实时模拟生成Foveation图像，能够获取与高斯金字塔方法类似的结果，且计算开销更低。
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公开(公告)号：CN213366613U
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202021663959.0
申请日：2020-08-10
申请人： 深圳信息职业技术学院
发明人： 耿煜
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/107
摘要： 本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种电流放大器及单光子探测器，所述电流放大器包括衬底、绝缘层、本征半导体、N型阳极掺杂区、N型阴极掺杂区、P型掺杂区、空穴吸收器、阳极电极、阴极电极以及接地电极，其中，绝缘层设于衬底上，本征半导体设于绝缘层上，N型阳极掺杂区和N型阴极掺杂区分别设于所述绝缘层表面、且位于所述本征半导体相对的两侧，P型掺杂区设于N型阴极掺杂区与本征半导体之间，阳极电极与N型阳极掺杂区连接，阴极电极与N型阴极掺杂区连接，接地电极与空穴吸收器连接，从而提高了器件增益，解决了现有的放大器存在的设计复杂、工作环境要求高以及放大倍数不理想的问题。
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