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公开(公告)号：CN117476760A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311334075.9
申请日：2023-10-16
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种高可靠GaN HEMT结构，包括：P‑Si衬底、AlN过渡层、GaN Buffer层、GaN Channel层、AlGaN势垒层、p‑GaN层、栅源侧钝化层、栅漏侧钝化层、第一AlN埋层、源极金属、漏极金属、栅极金属；本发明通过生长一层AlN埋层，在不显著降低器件击穿电压的情况下，有效的增加了器件的抗SEB能力，十分适用于空间电力电子系统的应用场合。
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公开(公告)号：CN117059652A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311113852.7
申请日：2023-08-29
申请人： 深圳信息职业技术学院
摘要： 本发明提供了一种分段STI的高压三极管结构，该器件包括第二导电类型发射区、第一导电类型阱区、第二导电类型阱区、第二导电类型埋层区、第一导电类型衬底、第一导电类型注入区、浅槽隔离氧化层、第二导电类型发射极注入区、第一导电类型基极注入区、第二导电类型集电极注入区、发射极金属电极、基极金属电极、集电极金属电极；本发明通过在发射结表面使用分段式浅槽隔离区，在浅槽隔离间隙进行高掺杂P型注入，提高了基区表面浓度，削弱了总剂量辐射电荷致发射结耗尽区扩展引起的复合电流的增加，抑制的器件共发射极电流放大系数的退化，提升了三极管抗总剂量辐射的能力。
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公开(公告)号：CN114232009B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111412381.0
申请日：2021-11-25
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： C25B1/04 , C25B11/091
摘要： 本申请属于催化剂制备技术领域，尤其涉及一种双金属MOF衍生的催化剂及其制备方法和应用，所述双金属MOF衍生的催化剂，包括基于双金属MOF构造的纳米合金基体、附着在所述纳米合金基体表面的氮掺杂碳纳米管和分散在所述纳米合金基体之间的金属氟化物。本申请提供的催化剂表面附着有疏松的氮掺杂碳纳米管，极大地提高了催化剂的导电性，分散在纳米合金基体之间的金属氟化物，提高了催化剂的极性，最大化暴露活性位点，纳米合金基体与氮掺杂碳纳米管复合形成多孔框架结构，结构稳定，能够防止金属纳米粒子团聚，实现与电解液的充分接触，大大提高了催化剂的催化活性。
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公开(公告)号：CN116230770A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310227240.4
申请日：2023-02-28
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/47 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件，通过在N+源区与反型沟道之间引入镇流电阻区及肖特基接触，实现镇流电阻区耗尽自调节：阻断状态时，镇流电阻区上方的肖特基/碳化硅接触界面电场较小，实现低泄漏电流及高击穿电压；正向导通时，镇流电阻区被下方P型基区及上方肖特基接触部分耗尽，电子从N+源区通过未耗尽的中性区输运到反型沟道；短路状态时，镇流电阻区的电位随着电子电流增加而增加，镇流电阻区被下方P型基区及上方肖特基接触耗尽程度显著提升，镇流电阻区内中性区面积迅速缩小，电子电流显著降低。本发明在保证碳化硅MOSFET器件静态及动态参数不产生退化的前提下，有效提升碳化硅MOSFET器件短路能力。
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公开(公告)号：CN107144378B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201710423895.3
申请日：2017-06-07
申请人： 深圳信息职业技术学院
摘要： 本发明涉及MEMS技术领域，提供了一种MEMS压力传感器。该MEMS压力传感器包括衬底，所述衬底中部设有上下贯通的空腔；薄膜，设于所述衬底上方且覆盖所述空腔；介质层，设于所述薄膜上方，所述介质层上设有电感线圈；固定电容，与所述电感线圈相连接。本发明提供的MEMS压力传感器，结构简单，灵敏度高，且电感线圈的电感值计算准确，测试方法简单，能够将压力信号转换为电信号，实现精准的压力测量。
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公开(公告)号：CN114700007A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210390280.6
申请日：2022-04-14
申请人： 深圳信息职业技术学院
摘要： 本发明涉及一种口罩再生设备，包括箱体、静电发生装置、固定组件、消毒装置以及第一驱动组件；静电发生装置、固定组件以及消毒装置均设置于箱体的内部，固定组件与箱体固定连接，静电发生装置与箱体滑动连接，且位于固定组件的一侧，第一驱动组件与静电发生装置连接，以驱动静电发生装置远离或接近固定组件。相较于现有技术，本发明提供的口罩再生设备的有益效果为：一方面，该装置不仅可对口罩进行消毒，还可对口罩的静电进行补充，从而可使再生后的口罩具有更好的防护效果；另一方面，该装置在处理不同类型的口罩时，可使静电发生装置更加贴近口罩，进而实现更高的静电补充效率。
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公开(公告)号：CN114289334A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111501672.7
申请日：2021-12-09
申请人： 深圳信息职业技术学院
摘要： 本发明公开了一种具有自动化分拣功能的智能制造用物料传送设备，涉及物料传送设备技术领域。该具有自动化分拣功能的智能制造用物料传送设备，包括第一支撑部，所述第一支撑部与驱动电机传动连接，所述第一支撑部通过输送带与第二支撑部传动连接，所述第一支撑部与第二支撑部之间设置有用于对输送带进行支撑的支撑件，所述支撑件的表面连接有控制柜；所述第二支撑部的表面设置有用于对物料进行纠偏的纠偏部。本发明通过设置第一扫描仪、压力传感器、分拣部以及纠偏部，达到了可以自动检测并分拣的效果，解决了不便实现对物料的尺寸以及重力进行自动检测，难以将不合格的物料进行自动分拣，导致在后续加工时，可能会造成产生较多的残次品的问题。
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公开(公告)号：CN114289049A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111515507.7
申请日：2021-12-10
申请人： 深圳信息职业技术学院
摘要： 本发明公开了一种铷单原子修饰的氮化碳及其制备方法，该铷单原子修饰的氮化碳的制备方法包括以下步骤：将氮化碳前驱体与氯化铷进行混合制得混合物；在静态空气下针对所述混合物进行热聚合反应，以制备得到铷单原子修饰的氮化碳。本发明不仅实现了铷单原子一步原位修饰氮化碳光催化剂，简化了氮化碳材料的制备过程，提高了氮化碳材料的制备效率，同时还提高了氮化碳材料的结晶度以及光吸收效率和利用效率。
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公开(公告)号：CN114232009A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111412381.0
申请日：2021-11-25
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： C25B1/04 , C25B11/091
摘要： 本申请属于催化剂制备技术领域，尤其涉及一种双金属MOF衍生的催化剂及其制备方法和应用，所述双金属MOF衍生的催化剂，包括基于双金属MOF构造的纳米合金基体、附着在所述纳米合金基体表面的氮掺杂碳纳米管和分散在所述纳米合金基体之间的金属氟化物。本申请提供的催化剂表面附着有疏松的氮掺杂碳纳米管，极大地提高了催化剂的导电性，分散在纳米合金基体之间的金属氟化物，提高了催化剂的极性，最大化暴露活性位点，纳米合金基体与氮掺杂碳纳米管复合形成多孔框架结构，结构稳定，能够防止金属纳米粒子团聚，实现与电解液的充分接触，大大提高了催化剂的催化活性。
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公开(公告)号：CN111276869A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010091088.8
申请日：2020-02-13
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： H01S5/34
摘要： 本发明属于激光器技术领域，具体涉及一种量子点激光器及其制备方法。本发明量子点激光器由下至上依次包括：多孔单晶硅衬底、填充层、下电极、第一超晶格波导层、有源区、第二超晶格波导层、上电极。由于单晶硅衬底与有源区存在晶格失配，使器件的制作和性能都带来不利影响，因此，本发明量子点激光器通过采用多孔单晶硅衬底，利用多孔结构将单晶硅衬底与有源区的晶格失配造成的大量位错缺陷释放掉，从而提升所得量子点激光器的性能。
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