本发明提供一种肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件，通过在N+源区与反型沟道之间引入镇流电阻区及肖特基接触，实现镇流电阻区耗尽自调节：阻断状态时，镇流电阻区上方的肖特基/碳化硅接触界面电场较小，实现低泄漏电流及高击穿电压；正向导通时，镇流电阻区被下方P型基区及上方肖特基接触部分耗尽，电子从N+源区通过未耗尽的中性区输运到反型沟道；短路状态时，镇流电阻区的电位随着电子电流增加而增加，镇流电阻区被下方P型基区及上方肖特基接触耗尽程度显著提升，镇流电阻区内中性区面积迅速缩小，电子电流显著降低。本发明在保证碳化硅MOSFET器件静态及动态参数不产生退化的前提下，有效提升碳化硅MOSFET器件短路能力。