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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115741290A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211431521.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开一种碳化硅晶圆抛光表面压力监测装置及方法，包括抛光盘、抛光垫、压力传感器以及无线采集装置，抛光盘和抛光垫相互抵接配合，压力传感器设置在抛光盘的表面，无线采集装置设置在抛光盘的内腔中，并与压力传感器信号连接。本发明通过多点分布压力传感器对碳化硅晶圆抛光过程中晶圆表面受到的压力进行在线监测并通过物联网系统实时显示。因此，使得操作者可以根据测得的抛光状态采取合适的操作，提供加工效率和质量。
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公开(公告)号：CN116197818A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211638338.0
申请日：2022-12-19
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明属于超精密机械加工领域，具体涉及一种基于声发射信号的高硬脆材料抛光状态检测方法，包括：构建预测模型、数据采集、信号处理与分析、特征提取、加工状态检测等步骤。本发明采用了利用声发射信号在线实时的对加工状态进行检测，并给予加工反馈的方法，可使得高硬脆材料抛光加工效率提高，成品率提高，节约成本。
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公开(公告)号：CN116214369A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211638438.3
申请日：2022-12-19
Applicant: 浙江工业大学
IPC: B24B49/00 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/27 , B24B27/00 , G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 本发明属于超精密机械加工领域，具体涉及一种基于图像的高硬脆材料研磨状态在线监测装置及方法，包括抛光机构、图像采集装置、晶圆承载装置、及控制处理装置，抛光机构其用以对晶圆进行抛光，图像采集装置用以采集晶圆加工面的图像，晶圆承载装置用以承载晶圆，并能够带动晶圆在抛光工位和采集工位之间来回切换，控制处理装置用以对采集的图像进行实时分析处理，判断晶圆当前的加工状态并根据加工状态反馈控制加工。本发明适用高硬脆材料精密研磨加工状态下采集图像，避免加工过程中将工件取下检测造成的负面影响，无需对下抛光盘结构改造，不影响加工平面度，对研磨加工过程影响小，提高加工质量。
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公开(公告)号：CN115922553A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211480337.8
申请日：2022-11-24
Applicant: 浙江工业大学
IPC: B24B37/005 , G06F18/10 , G06F18/213
Abstract: 本发明公开一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法，包括以下步骤：采集碳化硅晶片研磨抛光完整工况的周期振动信号数据，构建碳化硅晶片研磨抛光材料去除特征数据集；建立加工试验工况库，并将振动信号测试值放入匹配的工况库中；对振动信号进行变分模态分解，获取IMF主分量能量谱；构建实际加工特征指数；建立粒子滤波状态估计模型；通过粒子点进行新特征指数构建，并以此迭代实现碳化硅晶片抛光加工状态在线监测。本发明通过对原始振动信号进行变分模态分解，可以有效去除噪声，获得主能量谱，使得后续分析更加准确，抗干扰能力增强。
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公开(公告)号：CN115714098A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211427667.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种碳化硅抛光过程温度监测装置及方法，温度监测装置设置在抛光盘的表面，温度监测装置包括壳体，壳体的底面设置有若干开孔，红外温度传感器设置在开孔中，壳体的内腔中固定设置有控制器，控制器与温度传感器信号连接，壳体的顶面中心处设置有装配孔，抛光头连接件固定在装配孔中。本发明提供的温度在线监测装置能够在不影响碳化硅晶片抛光过程的前提下实时检测出抛光界面的温度，该监测装置能较为准确的反映抛光界面的温度。通过对碳化硅抛光过程的温度信息进行采集，对其可视化，并与预设报警温度对比，当温度信息大于或等于预设报警温度时，上位机屏幕上显示警报信号。
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