公开(公告)号：CN117555209A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311807633.9

申请日：2023-12-26

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王依 ,  高金铭 ,  刘天棋

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机，方法包括：提供真空腔室，真空腔室内设置有待处理的器件，器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物，污染物包括碳污染物和/或氢化金属污染物；向真空腔室内持续通入工艺气体；提供X射线，X射线用于激发工艺气体并使工艺气体产生活性粒子，活性粒子用于与待处理的器件上的碳污染物和/或氢化金属污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括：箱体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广应用提出了解决方案，解决了含有机物的金属氧化物型光刻胶的金属性污染与碳沉积的双重污染问题。

公开(公告)号：CN117555209B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202311807633.9

申请日：2023-12-26

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王依 ,  高金铭 ,  刘天棋

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机，方法包括：提供真空腔室，真空腔室内设置有待处理的器件，器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物，污染物包括碳污染物和/或氢化金属污染物；向真空腔室内持续通入工艺气体；提供X射线，X射线用于激发工艺气体并使工艺气体产生活性粒子，活性粒子用于与待处理的器件上的碳污染物和/或氢化金属污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括：箱体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广应用提出了解决方案，解决了含有机物的金属氧化物型光刻胶的金属性污染与碳沉积的双重污染问题。

公开(公告)号：CN119395899A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411841259.9

申请日：2024-12-13

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 包宜骏 ,  董超逸 ,  匡翠方 ,  刘家明 ,  张城玮 ,  赵公铭 ,  徐月暑 ,  徐良 ,  卞殷旭 ,  柏凌 ,  胡慧琴 ,  王依 ,  刘旭

IPC: G02B27/58 ,  G03H1/26 ,  G03H1/12 ,  G02B21/36

Abstract: 本发明公开一种复用SLM实现菲涅尔非相干相关全息超分辨显微系统及方法，系统包括：显微镜模块、起偏模块、空间光调制模块、全息探测模块及图像处理模块；显微镜模块使用光源照射样品并将样品光收集；起偏模块包括透镜及偏振单元，形成偏振样品光；空间光调制模块包括空间光调制器及转换单元，将第二调制样品光输入至全息探测模块中；全息探测模块包括第二四分之一波片、成像透镜单元及偏振相机，图像处理模块获取偏振图像集并进行处理，得到再现图像。本方法保持了波带片图案的完整性，解决了现有菲涅尔非相干相关全息技术中随机误差及像质减弱的问题，同时提高系统的灵活性。

公开(公告)号：CN118092044B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410495703.X

申请日：2024-04-24

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王依 ,  徐月暑 ,  高金铭 ,  包宜骏

IPC: G02F1/21 ,  G02F1/29

Abstract: 本发明属于光学测量领域，具体涉及一种液晶相移点衍射干涉仪及波像差检测方法。所述液晶相移点衍射干涉仪包括条纹对比度调节模块、液晶点衍射模块、波像差检测模块，本发明通过电光调制器、垂直线栅点衍射板和液晶点衍射板的配合使得整个系统共光路，抗振性能得到极大提升，受环境的影响减小，从而提高了待测投影物镜的波像差测量精度，并且可以利用λ/2波片的转动调节参考光和测量光之间的强度比，增强干涉条纹的对比度，进一步提高待测投影物镜的波像差测量精度。

公开(公告)号：CN119065198A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411569858.X

申请日：2024-11-06

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王依 ,  刘天棋 ,  徐月暑 ,  高金铭 ,  包宜骏 ,  匡翠方

IPC: G03F1/82 ,  G03F7/20

Abstract: 本申请公开了光刻掩模版、光刻污染物的处理方法、设备及光刻机，光刻掩模版包括光刻掩模基板及碱性的氮氧化钛催化层。方法包括提供真空腔室和有氢化金属性污染物的光刻掩模版，通入酸性的含氧清洗气体；提供UV光，激发氮氧化钛催化层的光催化活性，使清洗气体产生活性氧原子与氢化金属性污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出。设备用于对光刻掩模版进行氢化金属性污染物的处理，设备包括箱体、真空泵、UV光源以及清洗气体源。碱性的氮氧化钛催化层便于酸性的含氧清洗气体与氮氧化钛催化层相互作用，进一步促进化学反应发生以及进一步提升清洗效果。同时解决了金属氧化物型光刻胶氢化作用产生的金属污染问题。

公开(公告)号：CN118092044A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410495703.X

申请日：2024-04-24

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王依 ,  徐月暑 ,  高金铭 ,  包宜骏

IPC: G02F1/21 ,  G02F1/29

Abstract: 本发明属于光学测量领域，具体涉及一种液晶相移点衍射干涉仪及波像差检测方法。所述液晶相移点衍射干涉仪包括条纹对比度调节模块、液晶点衍射模块、波像差检测模块，本发明通过电光调制器、垂直线栅点衍射板和液晶点衍射板的配合使得整个系统共光路，抗振性能得到极大提升，受环境的影响减小，从而提高了待测投影物镜的波像差测量精度，并且可以利用λ/2波片的转动调节参考光和测量光之间的强度比，增强干涉条纹的对比度，进一步提高待测投影物镜的波像差测量精度。