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公开(公告)号：CN117555209B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311807633.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机，方法包括：提供真空腔室，真空腔室内设置有待处理的器件，器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物，污染物包括碳污染物和/或氢化金属污染物；向真空腔室内持续通入工艺气体；提供X射线，X射线用于激发工艺气体并使工艺气体产生活性粒子，活性粒子用于与待处理的器件上的碳污染物和/或氢化金属污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括：箱体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广应用提出了解决方案，解决了含有机物的金属氧化物型光刻胶的金属性污染与碳沉积的双重污染问题。
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公开(公告)号：CN118778380B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411280459.1
申请日：2024-09-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于可控多点阵灰度刻写的双光子高通量直写装置和方法，该装置通过对微透镜阵列和数字微镜阵列的协同调控得到强度均一的焦点阵列，还通过像旋模块控制并行直写光斑阵列的旋向角度，通过控制旋向角度和刻线间距实现高精度的灰度刻写。该方法能够根据实际的灰度刻写需求调整设备的刻写策略，且刻写曝光过程位移台仅需保持匀速扫描，节省了平台重复加减速的时间，同时充分利用了飞秒激光光斑的入瞳能量，使得该方法兼具高通量大面积与2.5D高精度灰度刻写的优势，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118778380A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411280459.1
申请日：2024-09-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于可控多点阵灰度刻写的双光子高通量直写装置和方法，该装置通过对微透镜阵列和数字微镜阵列的协同调控得到强度均一的焦点阵列，还通过像旋模块控制并行直写光斑阵列的旋向角度，通过控制旋向角度和刻线间距实现高精度的灰度刻写。该方法能够根据实际的灰度刻写需求调整设备的刻写策略，且刻写曝光过程位移台仅需保持匀速扫描，节省了平台重复加减速的时间，同时充分利用了飞秒激光光斑的入瞳能量，使得该方法兼具高通量大面积与2.5D高精度灰度刻写的优势，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117555209A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311807633.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机，方法包括：提供真空腔室，真空腔室内设置有待处理的器件，器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物，污染物包括碳污染物和/或氢化金属污染物；向真空腔室内持续通入工艺气体；提供X射线，X射线用于激发工艺气体并使工艺气体产生活性粒子，活性粒子用于与待处理的器件上的碳污染物和/或氢化金属污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括：箱体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广应用提出了解决方案，解决了含有机物的金属氧化物型光刻胶的金属性污染与碳沉积的双重污染问题。
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公开(公告)号：CN119065198A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411569858.X
申请日：2024-11-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请公开了光刻掩模版、光刻污染物的处理方法、设备及光刻机，光刻掩模版包括光刻掩模基板及碱性的氮氧化钛催化层。方法包括提供真空腔室和有氢化金属性污染物的光刻掩模版，通入酸性的含氧清洗气体；提供UV光，激发氮氧化钛催化层的光催化活性，使清洗气体产生活性氧原子与氢化金属性污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出。设备用于对光刻掩模版进行氢化金属性污染物的处理，设备包括箱体、真空泵、UV光源以及清洗气体源。碱性的氮氧化钛催化层便于酸性的含氧清洗气体与氮氧化钛催化层相互作用，进一步促进化学反应发生以及进一步提升清洗效果。同时解决了金属氧化物型光刻胶氢化作用产生的金属污染问题。
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