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公开(公告)号：CN118707280A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410798041.3
申请日：2024-06-20
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种压接式IGBT模块的热阻测量方法，属于压接式IGBT模块器件测试技术领域，包括如下步骤：构造与待测压接式IGBT模块适配的测试铜板；根据待测压接式IGBT模块和测试铜板，构造第一测试IGBT模块；在双面散热条件下，测定第一测试IGBT模块的结构函数曲线；根据待测压接式IGBT模块和测试铜板，构造第二测试IGBT模块；在双面散热条件下，测定第二测试IGBT模块的结构函数曲线；根据第一测试IGBT模块的结构函数曲线及第二测试IGBT模块的结构函数曲线，得到待测压接式IGBT模块的热阻数据。本申请通过构造并将适配的测试铜块设置在待测压接式IGBT模块的集电极上，以将双界面法拓展到了压接IGBT双面散热的情况，缩短了测量结壳热阻的时间。
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公开(公告)号：CN118707282A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410806231.5
申请日：2024-06-21
Applicant: 浙江大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，公开一种基于IGBT饱和压降拐点的结温检测方法，包括以下步骤：根据不同结温下的饱和压降和集电极电流信息，获得IGBT饱和压降拐点电压和拐点电流信息；根据拐点电压和拐点电流信息，获得等效压降；建立数据库，该数据库包括等效压降、集电极电流、结温的对应关系；根据测得的饱和压降、集电极电流、以及所述拐点电压和拐点电流信息，获得等效压降，再根据等效压降、集电极电流信息在所述数据库中获得对应的结温数据。本发明的方法可以消除IGBT饱和压降测量值中连接件阻抗所造成的误差，有效提高IGBT在线结温检测的精度。
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公开(公告)号：CN118409179A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410555827.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 浙江大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及半导体测试技术领域中的一种压接型IGBT器件的测试装置，包括下压组件、定位组件以及滑动设置于定位组件上的第一压板、第二压板，且第一压板与第二压板相对设置，定位组件固定安装在支撑台上，下压组件固定在定位组件上，并驱动第一压板在定位组件上滑动，第一压板和第二压板相对的端面上均设置有冷却组件，且压接型IGBT器件设置于第二压板上的冷却组件上，冷却组件的进出口流道为漏斗型设置，解决了现有压接型IGBT器件测试工装中，夹具的散热水冷板因采用圆形截面流道而使得流道和流道壁面存在散热不均匀性，进而导致测试结果准确性的问题。
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公开(公告)号：CN118759333A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410757838.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种压接型IGBT单芯片温敏参数的测量装置及测量方法，属于芯片技术领域，解决了在不破坏单芯片封装的基础上，得到准确的芯片温度对应的温敏参数值，缩短温敏参数的测量时间的问题。包括上散热流道、下散热流道、设置于上散热流道和下散热流道之间的集电极金属板和发射极金属板、以及单芯片，所述单芯片设置于集电极金属板和发射极金属板之间，所述上散热流道与集电极金属板之间绝缘设置，所述发射极金属板与下散热流道之间亦绝缘设置，所述单芯片耦接有贯穿集电极金属板和上散热流道至外界的光纤温度传感器。本发明缩短温敏参数的测量时间，节约成本。
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公开(公告)号：CN118707279A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410793682.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 浙江大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种大电流下热响应系数标定和结温推算方法，属于半导体技术领域，解决了TSP标定一般只有条件在初始条件下进行一次，在剩余的整个寿命周期中仅能依靠初次标定的TSP值进行功率器件核心结温的推算的问题。包括如下步骤，步骤1、在特定电流或电压条件下标定一组功率器件的TSP值与温度的对应关系待用；步骤2、功率器件实际工作中，使用与标定条件相同的电流或电压条件测定TSP值；步骤3、利用特定的线性组合，消除内部连接件阻抗(Rcon)的影响，利用实际测试的TSP值获得虚拟TSP值，推算核心结温。本发明可以消除功率器件内部连接件老化的对TSP测量值的影响，从而使单次标定值在整个功率器件寿命周期中都能为结温推算提供准确的参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118656574A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410798070.X
申请日：2024-06-20
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 浙江大学
Abstract: 本发明涉及器件检测技术领域中的一种基于PSO拟合的结构函数获取方法、系统，包括以下步骤：获取待测器件的降温特性曲线；构建目标初始函数，并基于粒子群寻优算法寻找与降温特性曲线最接近的最优热阻和最优热容，得到一次粒子群寻优算法拟合的目标函数；重复进行粒子群寻优算法拟合，并与一次粒子群寻优算法拟合的目标函数进行整合，得到目标完整阶数函数；基于所述目标完整阶数函数所得到的热阻参数和热容参数，构建Foster热阻网络；将Foster热阻网络转换为Cauer热阻网络，并按照热量传导方向分写对热阻和热容进行累加，获得积分式结构函数曲线，解决了曲线拟合方法在拟合阶数较高后，所出现的因数据存储精度以及算法精度引起的参数不正常问题。
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公开(公告)号：CN118746740A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410786194.6
申请日：2024-06-18
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26 , G06N3/0442 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06F18/20 , G06F18/213 , G06F18/25 , G06F123/02
Abstract: 本发明提供了一种基于混合模型与功率循环试验的变换器用IGBT器件剩余寿命评估方法和相关装置，包括记录变换器用IGBT模块进行功率循环试验过程中的时序数据和功率循环次数以及达到失效标准时的失效循环次数；将所记录的时序数据进行预处理后由RNN提取变换器用IGBT模块达到失效标准时的动态特征；将时序数据随时间的变化映射到热图中；通过卷积神经网络CNN处理热图并提取时序数据间的关联特征；将两种特征融合处理后，由LSTM网络得到变换器用IGBT模块的预测寿命，从而实现对变换器用IGBT器件剩余寿命的评估。本发明通过结合功率循环试验和混合模型方法，提升了剩余寿命预测的准确性和精细度。
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公开(公告)号：CN117350215B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202311180307.X
申请日：2023-09-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , H02M7/219 , H02M1/088 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种单桥臂模块化多电平换流器的解析仿真模型和方法，属于电力系统电磁暂态实时解析仿真技术领域，所述解析仿真模型包括：单桥臂模块化多电平换流器等效电路、平均值模型和调制与均压控制模块；通过平均值模型将单桥臂模块化多电平换流器转化为了每相具有两个桥臂的等效电路；每个电压源的输出通过平均值模型计算得到，也即将由大量电子元件组成的桥臂模型转化为了一个由函数控制的可控电压源，提升了仿真的速度，使仿真模型可用于均压控制、损耗计算以及谐波分析等研究，由此解决现有的单桥臂模块化多电平换流器的仿真模型的解析仿真效率低且应用范围有限的技术问题。
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公开(公告)号：CN118641917A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410774184.0
申请日：2024-06-17
Applicant: 广东电网有限责任公司 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种二极管双极退化测试方法、设备及装置，分别对第一二极管与第二二极管进行静态特性测试，得到第一静态特性测试结果和第二静态测试结果；设置脉冲测试电流、脉冲测试时间和脉冲循环时间，以使功率半导体脉冲电流测试设备根据脉冲测试电流、脉冲测试时间和脉冲循环时间，对第一二极管进行正常温度条件下的重复短脉冲电流功率循环测试，对第二二极管在高温条件下进行重复短脉冲电流功率循环测试，进而进行静态测试，得到多个静态特性测试结果，对各个静态特性测试结果得到二极管的双极退化测试结果。通过上述方法，通过实现了对二极管双极退化进行测试，提高测试结果准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117316925B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311165911.5
申请日：2023-09-11
Applicant: 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01L23/538 , H01L23/482
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种多芯片SiC功率模块动态均流的布局布线优化方法及系统，首先，针对功率模块基板铜图案与芯片布局优化，提出三条设计原则，在DBC基板尺寸、功率/驱动端子尺寸、键合线直径及高度、芯片各电极的并联键合线数量及间距、并联芯片数量均不变的前提下，提出了多芯片SiC功率模块基板铜图案与芯片布局设计流程；然后，以布局优化后的功率模块为研究对象，提出了一种调整芯片键合线连接点位置的布线优化方案，该方案结合响应面建模法和动态均流等式，精确调控并联SiC MOSFET芯片功率源极键合线的长度与角度，提高了布线优化的精度。
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