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公开(公告)号：CN118409179A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410555827.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 浙江大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及半导体测试技术领域中的一种压接型IGBT器件的测试装置，包括下压组件、定位组件以及滑动设置于定位组件上的第一压板、第二压板，且第一压板与第二压板相对设置，定位组件固定安装在支撑台上，下压组件固定在定位组件上，并驱动第一压板在定位组件上滑动，第一压板和第二压板相对的端面上均设置有冷却组件，且压接型IGBT器件设置于第二压板上的冷却组件上，冷却组件的进出口流道为漏斗型设置，解决了现有压接型IGBT器件测试工装中，夹具的散热水冷板因采用圆形截面流道而使得流道和流道壁面存在散热不均匀性，进而导致测试结果准确性的问题。
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公开(公告)号：CN118759333A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410757838.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种压接型IGBT单芯片温敏参数的测量装置及测量方法，属于芯片技术领域，解决了在不破坏单芯片封装的基础上，得到准确的芯片温度对应的温敏参数值，缩短温敏参数的测量时间的问题。包括上散热流道、下散热流道、设置于上散热流道和下散热流道之间的集电极金属板和发射极金属板、以及单芯片，所述单芯片设置于集电极金属板和发射极金属板之间，所述上散热流道与集电极金属板之间绝缘设置，所述发射极金属板与下散热流道之间亦绝缘设置，所述单芯片耦接有贯穿集电极金属板和上散热流道至外界的光纤温度传感器。本发明缩短温敏参数的测量时间，节约成本。
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公开(公告)号：CN118707279A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410793682.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 浙江大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种大电流下热响应系数标定和结温推算方法，属于半导体技术领域，解决了TSP标定一般只有条件在初始条件下进行一次，在剩余的整个寿命周期中仅能依靠初次标定的TSP值进行功率器件核心结温的推算的问题。包括如下步骤，步骤1、在特定电流或电压条件下标定一组功率器件的TSP值与温度的对应关系待用；步骤2、功率器件实际工作中，使用与标定条件相同的电流或电压条件测定TSP值；步骤3、利用特定的线性组合，消除内部连接件阻抗(Rcon)的影响，利用实际测试的TSP值获得虚拟TSP值，推算核心结温。本发明可以消除功率器件内部连接件老化的对TSP测量值的影响，从而使单次标定值在整个功率器件寿命周期中都能为结温推算提供准确的参考。
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公开(公告)号：CN118656574A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410798070.X
申请日：2024-06-20
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 浙江大学
Abstract: 本发明涉及器件检测技术领域中的一种基于PSO拟合的结构函数获取方法、系统，包括以下步骤：获取待测器件的降温特性曲线；构建目标初始函数，并基于粒子群寻优算法寻找与降温特性曲线最接近的最优热阻和最优热容，得到一次粒子群寻优算法拟合的目标函数；重复进行粒子群寻优算法拟合，并与一次粒子群寻优算法拟合的目标函数进行整合，得到目标完整阶数函数；基于所述目标完整阶数函数所得到的热阻参数和热容参数，构建Foster热阻网络；将Foster热阻网络转换为Cauer热阻网络，并按照热量传导方向分写对热阻和热容进行累加，获得积分式结构函数曲线，解决了曲线拟合方法在拟合阶数较高后，所出现的因数据存储精度以及算法精度引起的参数不正常问题。
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公开(公告)号：CN118707280A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410798041.3
申请日：2024-06-20
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种压接式IGBT模块的热阻测量方法，属于压接式IGBT模块器件测试技术领域，包括如下步骤：构造与待测压接式IGBT模块适配的测试铜板；根据待测压接式IGBT模块和测试铜板，构造第一测试IGBT模块；在双面散热条件下，测定第一测试IGBT模块的结构函数曲线；根据待测压接式IGBT模块和测试铜板，构造第二测试IGBT模块；在双面散热条件下，测定第二测试IGBT模块的结构函数曲线；根据第一测试IGBT模块的结构函数曲线及第二测试IGBT模块的结构函数曲线，得到待测压接式IGBT模块的热阻数据。本申请通过构造并将适配的测试铜块设置在待测压接式IGBT模块的集电极上，以将双界面法拓展到了压接IGBT双面散热的情况，缩短了测量结壳热阻的时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118707282A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410806231.5
申请日：2024-06-21
Applicant: 浙江大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，公开一种基于IGBT饱和压降拐点的结温检测方法，包括以下步骤：根据不同结温下的饱和压降和集电极电流信息，获得IGBT饱和压降拐点电压和拐点电流信息；根据拐点电压和拐点电流信息，获得等效压降；建立数据库，该数据库包括等效压降、集电极电流、结温的对应关系；根据测得的饱和压降、集电极电流、以及所述拐点电压和拐点电流信息，获得等效压降，再根据等效压降、集电极电流信息在所述数据库中获得对应的结温数据。本发明的方法可以消除IGBT饱和压降测量值中连接件阻抗所造成的误差，有效提高IGBT在线结温检测的精度。
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公开(公告)号：CN119420149A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411542188.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: H02M1/00 , H02M1/12 , H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种SiC MMC子模块电容电压波动抑制方法及系统，属于电子电力技术领域；根据针对SiC MMC子模块的最优宽频谐波环流注入边界和次数的分析结果，确定了同时注入2次、4次和8次谐波环流和3次谐波电压的子模块电容电压波动优化模型，能够充分利用SiC MMC具有更高控制带宽的特性；通过求解子模块电容电压波动优化模型，确定需要注入的2次、4次和8次谐波环流参考值的幅值和相位及相应3次谐波电压的幅值和相位，进而通过注入2次、4次和8次谐波环流，并联合3次谐波电压注入实现宽频谐波联合注入，减小了子模块电容电压波动，实现了针对SiC MMC子模块的电容电压波动抑制方法，具有较高的抑制效果。
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公开(公告)号：CN119024156A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411322333.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 广东电网有限责任公司 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明公开了一种柔直换流阀工况模拟装置，其特征在于，包括：三相电流发生器、第一控制模块、相内对拖电流发生器、被测模块和第二控制模块；所述三相电流发生器与所述第一控制模块、相内对拖电流发生器及被测电连接；所述相内对拖电流发生器与所述被测模块电连接；所述第二控制模块与所述相内对拖电流发生器、被测模块电连接。本发明能同时测试多种工况，同时利用相内对拖电流发生器配合三相电流发生器测试电流，降低了三相逆变器的电压，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN115032233B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210654885.1
申请日：2022-06-10
Applicant: 广东电网有限责任公司 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
Inventor： 庞小峰 , 郝艳捧 , 姚聪伟 , 孙帅 , 李兴旺 , 宋坤宇 , 赵晓凤 , 王增彬 , 李盈 , 刘琳 , 杨贤 , 陈祖伟 , 蔡玲珑 , 洪刚 , 丘欢 , 黄盛龙 , 张滢滢 , 邰彬 , 李端姣 , 郑尧
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种环氧与金属复合结构的导热性能测试装置及系统。通过改变测试时的热通量方向以获取第二方向热阻，并根据预设的调和平均公式对第一方向热阻和第二方向热阻进行调和平均处理，以消除定向效应带来的加性误差，该导热性能测试装置及系统提升了环氧与金属复合结构的导热性能的测试精度。
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公开(公告)号：CN117849566B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311720624.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于故障检测技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET栅极开路故障检测方法及系统，包括：S1：提取开通脉冲和关断脉冲；S2：提取实际内部栅极状态信号；S3：检查驱动信号与实际内部栅极状态的不一致性；S4：对信号进行低通滤波；S5：锁存故障信号；S6：生成最终驱动信号。本发明结构简单、成本低，只需要通用运算放大器、二极管、逻辑器件等成本低廉的元器件，无需高性能的微控制器，大大降低了总体成本。本发明设计步骤简单、使用方便、原理巧妙，设计过程简单，无需复杂的电路参数设计过程。本发明检测速度快，由于使用的都是模拟电路器件和逻辑电路器件，无需微控制器等复杂的检测或控制单元，所以检测速度很快。
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