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公开(公告)号：CN117086693B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311360479.5
申请日：2023-10-20
Applicant: 浙江大学 , 浙江联宜电机有限公司
Abstract: 本发明涉及薄壁工件表面微结构精密切削加工技术领域，具体涉及一种薄壁管型工件表面微结构加工用变形补偿系统及补偿方法。一种薄壁管型工件表面微结构加工用变形补偿系统，包括工件旋转机构、刀具组件和检测及控制组件；刀具组件包括刀具、刀具用微驱动器和刀具位移传感器，刀具位移传感器用于检测刀具沿X轴方向的进给或回退位置，检测及控制组件包括反馈控制模块和至少三个工件检测传感器，工件检测传感器用于检测工件变形量，所述反馈控制模块用于接收工件检测传感器所发出的检测信号及刀具位移传感器所发出的检测信号。本发明具有能实时检测补偿加工形变，能提高薄壁管型工件被加工表面微结构的尺寸精度的优点。
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公开(公告)号：CN117102899A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311360478.0
申请日：2023-10-20
Applicant: 浙江大学 , 浙江联宜电机有限公司
IPC: B23Q1/25 , B23Q17/00 , B23Q17/09 , B23Q15/013
Abstract: 本发明涉及超精密伺服加工技术领域，具体涉及一种基于超精密伺服加工系统的曲面光栅加工装置及加工方法。一种基于超精密伺服加工系统的曲面光栅加工装置，包括工件定位机构、X轴运动机构、Y轴运动机构、刀具；还包括Z轴运动机构、力检测模块、伺服微驱动模块、B轴运动机构，伺服微驱动模块与B轴运动机构连接；反馈控制器模块，接收力检测模块的检测数据并与扫描参考力数据或加工参考力数据作比较，进而控制伺服驱动模块的运动使刀具沿Z轴方向进行微运动，从而使刀具所受到的法向切削力趋向扫描参考力或加工参考力。本发明具有能实现精确跟随工件法向进而提高曲面光栅结构加工制造精度的优点。
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公开(公告)号：CN111063536B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201911423881.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 浙江大学 , 浙江英洛华磁业有限公司
Abstract: 本发明公开了一种适用于大块稀土永磁材料的晶界扩散方法。本发明使用放电等离子烧结技术对磁体进行晶界扩散处理，改善磁体的综合磁性能。包括以下步骤：(1)通过烧结或热压或热变形工艺制备得到初始磁体；(2)通过磁控溅射、电镀、化学气相沉积、物理气相沉积、直接物理接触或粘结剂粘结的方法在磁体表面负载晶界扩散合金源；(3)将负载后的初始磁体放入放电等离子装置中，使用放电等离子加热升温进行晶界扩散，得到最终磁体。通过控制放电等离子烧结过程中电流、等离子及压力等，显著提高元素的扩散系数，增强元素的扩散深度。本发明制备的晶界扩散的稀土永磁材料，磁性能增幅更显著，且能使晶界扩散工艺适用于大块磁体，不受磁体厚度的限制，满足工业生产及市场需求。
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公开(公告)号：CN111063536A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911423881.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 浙江大学 , 浙江英洛华磁业有限公司
Abstract: 本发明公开了一种适用于大块稀土永磁材料的晶界扩散方法。本发明使用放电等离子烧结技术对磁体进行晶界扩散处理，改善磁体的综合磁性能。包括以下步骤：(1)通过烧结或热压或热变形工艺制备得到初始磁体；(2)通过磁控溅射、电镀、化学气相沉积、物理气相沉积、直接物理接触或粘结剂粘结的方法在磁体表面负载晶界扩散合金源；(3)将负载后的初始磁体放入放电等离子装置中，使用放电等离子加热升温进行晶界扩散，得到最终磁体。通过控制放电等离子烧结过程中电流、等离子及压力等，显著提高元素的扩散系数，增强元素的扩散深度。本发明制备的晶界扩散的稀土永磁材料，磁性能增幅更显著，且能使晶界扩散工艺适用于大块磁体，不受磁体厚度的限制，满足工业生产及市场需求。
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公开(公告)号：CN108863333A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810732104.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 本发明提供了一种制备高性能NiZn铁氧体的离子联合替代方法，主要通过添加Cu、V、Bi、Co等元素，提升NiZn铁氧体的高频磁性能。添加方式为：先将除Cu之外的主成分一次配料并破碎后，再加入Cu和副成分：V、Bi、Co、Ca、Si等元素。本发明的创新性在于通过Cu、V、Bi、Co等离子的四元、五元或者六元等多元离子联合替代，利用各离子对主成分的影响以及离子间的相互作用，制备得到的NiZn铁氧体材料在25℃下饱和磁通密度高于320mT，初始磁导率高于100，在10mT、100℃、3MHz的测试条件下，其功率损耗低于160kW m‑3，在5mT、100℃、10MHz的测试条件下，其功率损耗低于150kW m‑3，在20～120℃范围内，损耗随温度的变化不超过30％，材料的居里温度大于260℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117232440A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311186700.X
申请日：2023-09-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本技术方案属于超精密加工技术领域，具体涉及一种超精密切削加工表面粗糙度在线测量系统与方法，包括透明刀具、激光发生装置以及散射光检测装置；透明刀具安装于刀架用于加工被安装在主轴的工件表面；激光发生装置具有发射端，发射端与透明刀具相对固定，发射端用于射出入射光并使入射光穿过透明刀具后聚焦于工件表面测量点，测量点为工件被透明刀具切削后形成；散射光检测装置包括处理器以及与处理器连接的光电探测器，光电探测器具有散射接收端，散射接收端用于接收经测量点散射后的散射光，处理器用于输出光电探测器获取的散射光光强P；其中，测量点的粗糙度 K为常数。实时测量超精密切削加工表面的轮廓，提高工件表面的测量效率。
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公开(公告)号：CN116116326A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211585543.5
申请日：2022-12-09
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明涉及金刚石合成技术领域，特指一种金刚石刀具材料半导体改性的工艺，在腔体的高温端向低温端依次排列碳源、改性触媒、籽晶和晶床，采用高温高压温度梯度法进行硼氢协同掺杂合成金刚石单晶，所述碳源为高纯石墨粉，所述改性触媒由LiAIH4粉末、无定型硼粉、高纯钛粉与FeNiCo合金触媒混合而成；所述LiAIH4作为掺杂的氢源，掺杂质量比例是碳源的0.02wt.％‑0.05wt.％，所述高纯无定型硼粉作为掺杂的硼源，掺杂质量比例是碳源的0.5wt.％‑2.0wt.％；所述高纯钛粉作为除氮剂，掺杂质量比例是所述改性触媒的0.7wt.％‑1.0wt.％。本申请通过添加无定型硼粉作为金刚石半导体改性的硼源，高纯Ti粉作为除氮剂，提高金刚石内部硼掺杂率，LiAIH4作为氢源，有效提高了掺硼金刚石内部载流子输运能力。
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公开(公告)号：CN108863333B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810732104.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 本发明提供了一种制备高性能NiZn铁氧体的离子联合替代方法，主要通过添加Cu、V、Bi、Co等元素，提升NiZn铁氧体的高频磁性能。添加方式为：先将除Cu之外的主成分一次配料并破碎后，再加入Cu和副成分：V、Bi、Co、Ca、Si等元素。本发明的创新性在于通过Cu、V、Bi、Co等离子的四元、五元或者六元等多元离子联合替代，利用各离子对主成分的影响以及离子间的相互作用，制备得到的NiZn铁氧体材料在25℃下饱和磁通密度高于320mT，初始磁导率高于100，在10mT、100℃、3MHz的测试条件下，其功率损耗低于160kW m‑3，在5mT、100℃、10MHz的测试条件下，其功率损耗低于150kW m‑3，在20～120℃范围内，损耗随温度的变化不超过30％，材料的居里温度大于260℃。
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公开(公告)号：CN109231978B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810948155.6
申请日：2018-08-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高频高磁导率铁氧体片及其制备方法。主要通过掺杂工艺和低压低温烧结，避免磁片烧结时粘连，提升铁氧体片使用频率和磁导率。本发明的制备工艺为其主要步骤为：1)原料混合，2)预烧，3)掺杂、制浆，4)流延，5)低压低温烧结。本发明制备的铁氧体片截止频率高于5MHz，200KHz时起始磁导率高于600，13.56MHz时，磁导率高于100，可以同时满足无线充电和近场通信的应用，同时解决叠片烧结时的粘片问题。
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公开(公告)号：CN111161949A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911417801.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 浙江大学 , 浙江英洛华磁业有限公司
IPC: H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种YCe共掺的纳米晶稀土永磁体及其制备方法，在高YCe取代量下同时获得高磁性能和高温度稳定性。通过快淬方式制备磁体的主粉条带和辅粉条带，经破碎制备主粉和辅粉，将一定质量比的主粉和辅粉混合均匀后热压和热变形制备得到纳米晶稀土永磁体。本发明中纳米尺寸晶粒有效解决了富Ce烧结磁体中晶粒异常长大的难题，YCe共掺可以提高富Ce磁体的磁性能和温度稳定性，辅粉可以优化磁体的微观组织结构。本发明在提高磁性能的同时极大降低稀土原材料成本，平衡稀土资源的利用。
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