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公开(公告)号:CN114910014B
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202210449402.4
申请日:2022-04-24
Applicant: 浙江大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开一种针对高深宽比曲面构件面形测量的测量系统,其包括双探头测量机构、探头驱动机构、构件移动机构,双探头测量机构包括激光干涉光针及扫描触针,两者探头间隔设置,并依次对曲面构件进行扫描;探头驱动机构驱动双探头测量机构对曲面构件进行随形扫描;构件移动机构带动曲面构件作回转运动。本发明还公开了基于上述测量系统的测量方法,其综合激光干涉光针在曲面轮廓、无损检测方面的优势以及高长径比扫描触针对大曲率、小间隙结构的检测优势,并优化其测量方法,实现了复杂高深宽比曲面构件跨尺度特征的全表面检测。
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公开(公告)号:CN114910014A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202210449402.4
申请日:2022-04-24
Applicant: 浙江大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开一种针对高深宽比曲面构件面形测量的测量系统,其包括双探头测量机构、探头驱动机构、构件移动机构,双探头测量机构包括激光干涉光针及扫描触针,两者探头间隔设置,并依次对曲面构件进行扫描;探头驱动机构驱动双探头测量机构对曲面构件进行随形扫描;构件移动机构带动曲面构件作回转运动。本发明还公开了基于上述测量系统的测量方法,其综合激光干涉光针在曲面轮廓、无损检测方面的优势以及高长径比扫描触针对大曲率、小间隙结构的检测优势,并优化其测量方法,实现了复杂高深宽比曲面构件跨尺度特征的全表面检测。
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公开(公告)号:CN114888733A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210449688.6
申请日:2022-04-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种封闭曲面构件全表面测量换向装夹定位系统,其包括:第一夹具与第二夹具,两者用于分别固定换向前和换向后的封闭曲面构件,两者结构相同且能够进行相对运动;位姿检测单元,用于检测第一夹具、第二夹具以及封闭曲面构件的位置及姿态;位姿调整单元,用于调整第一夹具与第二夹具的相对位置及姿态,其通过多轴联动,并借助夹具位姿检测单元获取的夹具位姿信息,将第一夹具与第二夹具调整为换向装夹位姿。本发明还公开了基于上述换向装夹定位系统的换向装夹定位方法,用于封闭曲面构件的换向,换向装夹精度高,无测量盲区,能够有效提高封闭曲面构件全表面测量效率和测量精度。
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公开(公告)号:CN107887245B
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN201710896938.X
申请日:2017-09-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种可控涡旋电子束生成装置,包括含有加热样品杆、光阑的控温装置,所述电子枪发射平面电子束,其特征在于,所述装置还包括磁针,所述磁针通过加热样品杆的加热芯片置于所述平面电子束通道上,受所述加热芯片控制地产生强度可控的磁场,所述磁场用于调制所述平面电子束的相位,进而获得可控涡旋电子束。本发明还提供了一种利用上述装置产生涡旋电子束的方法,该装置结构简单,成本低,操作方法简单,且获得的涡旋电子束用于材料的表征。
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公开(公告)号:CN114888733B
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202210449688.6
申请日:2022-04-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种封闭曲面构件全表面测量换向装夹定位系统,其包括:第一夹具与第二夹具,两者用于分别固定换向前和换向后的封闭曲面构件,两者结构相同且能够进行相对运动;位姿检测单元,用于检测第一夹具、第二夹具以及封闭曲面构件的位置及姿态;位姿调整单元,用于调整第一夹具与第二夹具的相对位置及姿态,其通过多轴联动,并借助夹具位姿检测单元获取的夹具位姿信息,将第一夹具与第二夹具调整为换向装夹位姿。本发明还公开了基于上述换向装夹定位系统的换向装夹定位方法,用于封闭曲面构件的换向,换向装夹精度高,无测量盲区,能够有效提高封闭曲面构件全表面测量效率和测量精度。
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公开(公告)号:CN116116326A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202211585543.5
申请日:2022-12-09
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明涉及金刚石合成技术领域,特指一种金刚石刀具材料半导体改性的工艺,在腔体的高温端向低温端依次排列碳源、改性触媒、籽晶和晶床,采用高温高压温度梯度法进行硼氢协同掺杂合成金刚石单晶,所述碳源为高纯石墨粉,所述改性触媒由LiAIH4粉末、无定型硼粉、高纯钛粉与FeNiCo合金触媒混合而成;所述LiAIH4作为掺杂的氢源,掺杂质量比例是碳源的0.02wt.%‑0.05wt.%,所述高纯无定型硼粉作为掺杂的硼源,掺杂质量比例是碳源的0.5wt.%‑2.0wt.%;所述高纯钛粉作为除氮剂,掺杂质量比例是所述改性触媒的0.7wt.%‑1.0wt.%。本申请通过添加无定型硼粉作为金刚石半导体改性的硼源,高纯Ti粉作为除氮剂,提高金刚石内部硼掺杂率,LiAIH4作为氢源,有效提高了掺硼金刚石内部载流子输运能力。
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公开(公告)号:CN115847637A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211585437.7
申请日:2022-12-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及超精密加工过程中的测温技术领域,特指一种单点金刚石车削加工过程切削区域温度在线测量装置,包括感温金刚石刀具、刀具壳体和温度采集电路,感温金刚石刀具与温度采集电路之间形成导电通路;所述温度采集电路采集切削过程中所述感温金刚石刀具的电压变化,并转换为温度信号;所述感温金刚石刀具通过硼氢协同掺杂实现金刚石半导体改性,利用半导体化的金刚石刀具材料固有电阻随温度规律变化来实现切削区域温度的测量。本发明能够对微纳米切削尺度下准切削区域、高灵敏度、高响应速度的在线温度测量,该发明具有极强的实用性和广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN107919258A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201710896503.5
申请日:2017-09-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01J37/141 , H01J37/26
Abstract: 本发明公开了一种基于TEM产生可控涡旋电子束的装置,其特征在于,包括电子枪,产生平面电子束;磁场控制器;绕有导电线圈的磁针,通过有电学设备控制的芯片设置于平面电子束通道上,所述磁场控制器产生强度可控的磁场,所述磁场用于调制所述平面电子束的相位。本发明还公开了一种利用上述装置产生可控涡旋电子束的方法。该装置在电子显微镜中形成类磁单极的磁场分布,以获得具有单一轨道角动量、量子数可控的涡旋电子束。
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公开(公告)号:CN116116326B
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202211585543.5
申请日:2022-12-09
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明涉及金刚石合成技术领域,特指一种金刚石刀具材料半导体改性的工艺,在腔体的高温端向低温端依次排列碳源、改性触媒、籽晶和晶床,采用高温高压温度梯度法进行硼氢协同掺杂合成金刚石单晶,所述碳源为高纯石墨粉,所述改性触媒由LiAIH4粉末、无定型硼粉、高纯钛粉与FeNiCo合金触媒混合而成;所述LiAIH4作为掺杂的氢源,掺杂质量比例是碳源的0.02wt.%‑0.05wt.%,所述高纯无定型硼粉作为掺杂的硼源,掺杂质量比例是碳源的0.5wt.%‑2.0wt.%;所述高纯钛粉作为除氮剂,掺杂质量比例是所述改性触媒的0.7wt.%‑1.0wt.%。本申请通过添加无定型硼粉作为金刚石半导体改性的硼源,高纯Ti粉作为除氮剂,提高金刚石内部硼掺杂率,LiAIH4作为氢源,有效提高了掺硼金刚石内部载流子输运能力。
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公开(公告)号:CN115847637B
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202211585437.7
申请日:2022-12-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及超精密加工过程中的测温技术领域,特指一种单点金刚石车削加工过程切削区域温度在线测量装置,包括感温金刚石刀具、刀具壳体和温度采集电路,感温金刚石刀具与温度采集电路之间形成导电通路;所述温度采集电路采集切削过程中所述感温金刚石刀具的电压变化,并转换为温度信号;所述感温金刚石刀具通过硼氢协同掺杂实现金刚石半导体改性,利用半导体化的金刚石刀具材料固有电阻随温度规律变化来实现切削区域温度的测量。本发明能够对微纳米切削尺度下准切削区域、高灵敏度、高响应速度的在线温度测量,该发明具有极强的实用性和广阔的应用前景。
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