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公开(公告)号：CN118366592A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410196376.8
申请日：2024-02-22
IPC: G16H10/60 , G16H50/20 , G16H20/70 , G06F18/10 , G06F40/35 , G06F16/332 , G06F16/335 , G06N5/022
Abstract: 本发明提供一种信息处理方法、装置及设备，所述方法包括：获取目标数据，所述目标数据包含目标用词的疾病特征信息和目标用户基本信息；对所述目标数据进行数据清洗和过滤处理，得到至少一个关键词并为所述至少一个关键词分配权重；根据所述至少一个关键词的权重，将所述关键词和预设数据库中存储的至少一个疾病问答对进行匹配，得到候选数据；将所述至少一个关键词组合为包含关键词的问题，根据所述候选数据和包含关键词的问题的相关性，得到目标医疗信息。本发明的方案可以基于计算机技术、检索算法、语义匹配模型以及医疗知识图谱，自动化进行精神心理健康评估以及生成个性化医疗建议。
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公开(公告)号：CN108384792B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810334244.1
申请日：2018-04-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及生物技术领域，具体而言，本发明公开了一种提高番茄抗旱性和对细菌性斑点病抗性的基因SlCYP724B2，该基因的核苷酸序列如SEQ ID No：1所示。本发明还同时公开了上述基因编码的蛋白质，该蛋白质的氨基酸序列如SEQ ID No：2所示。本发明还同时提供了上述基因或蛋白质在提高番茄抗旱性和提高番茄对细菌性斑点病抗性中的应用。
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公开(公告)号：CN106879720A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710160122.0
申请日：2017-03-17
Applicant: 浙江大学
IPC: A23B7/152
Abstract: 本发明公开了一种樱桃番茄果实采后品质改良方法，包括以下步骤：1)、调节密闭容器内茉莉酸甲酯的浓度为0.01μM～0.05μM、以及调节密闭容器内无水乙醇的浓度为0.5～1ml/L，于室温下将绿熟期樱桃番茄放入所述密闭容器内熏蒸处理22～26小时；2)、将步骤1)所得的处理后樱桃番茄果实从密闭容器内取出，然后自然通风。本发明的方法以植物激素和乙醇相结合，提高樱桃番茄采后果实品质(包括类胡萝卜素、维生素C、可溶性糖等)。
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公开(公告)号：CN105762243A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610201685.5
申请日：2016-03-31
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0087 , H01L33/14 , H01S5/347 , H01S2301/173 , H01S2304/02
Abstract: 本发明公开了一种p?GaN/ZnO基多量子阱/n?ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法，该发光二极管及激光器包括p?GaN层、ZnO/ZnMgO多量子阱层、n?ZnO层和金属电极。其制备方法如下：首先采用分子束外延法在p?GaN薄膜上先后制备ZnO/ZnMgO多量子阱层和n?ZnO层；然后分别在p?GaN及n?ZnO区镀上金属电极。本发明所制备的器件采用ZnO/ZnMgO多量子阱作为有源层，可降低发光二极管及激光器的阈值并提高其发光效率；此外，为解决同质结构中高效稳定的p?ZnO难以实现的问题，本发明采用p?GaN作为空穴注入层；同时，相比于其它p型材料，GaN具有与ZnO结构相同、外延失配低的优势。
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公开(公告)号：CN104451867B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410661515.6
申请日：2014-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明公开的高质量ZnMgBeO薄膜的方法，采用的是等离子体辅助分子束外延方法。将经清洗处理的衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至400～700 ℃，将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，调节生长室压力为1×10‑6～1×10‑5 Torr，以纯金属Zn源、Mg源和Be源为反应源，在衬底上生长ZnMgBeO薄膜。采用本发明方法Be掺杂浓度易控，能有效保证薄膜的质量，制备的ZnMgBeO薄膜具有优异的光学性能和电学性能。Be掺杂有效地抑制了缺陷发光，极大地提高了ZnMgBeO薄膜的发光性能，同时，降低了ZnMgBeO薄膜的本底电子浓度，为制备高发光性能的ZnO基光电器件奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101719470A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910153797.8
申请日：2009-11-09
Applicant: 浙江大学 , 杭州立昂电子有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种消除功率肖特基二极管电子沟道漏电流的方法，包括：将含有由电子束蒸发正面金属层导致的电子沟道的功率二极管芯片在300-400℃退火，退火时间为30-60分钟。退火的气氛可以为如下任一种：(1)气压小于5×10-3Pa的真空；(2)氩气氛，工作气压不超过1标准大气压；(3)氢气氛，工作气压不超过10000Pa。本发明方法简单、易操作，可以有效消除正面金属为Ti/Ni/Ag的功率肖特基二极管由于电子束蒸发导致的电子沟道漏电流，提高正面金属为Ti/Ni/Ag的肖特基二极管芯片成品率。
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公开(公告)号：CN104451867A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410661515.6
申请日：2014-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明公开的高质量ZnMgBeO薄膜的方法，采用的是等离子体辅助分子束外延方法。将经清洗处理的衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至400～700℃，将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，调节生长室压力为1×10-6～1×10-5Torr，以纯金属Zn源、Mg源和Be源为反应源，在衬底上生长ZnMgBeO薄膜。采用本发明方法Be掺杂浓度易控，能有效保证薄膜的质量，制备的ZnMgBeO薄膜具有优异的光学性能和电学性能。Be掺杂有效地抑制了缺陷发光，极大地提高了ZnMgBeO薄膜的发光性能，同时，降低了ZnMgBeO薄膜的本底电子浓度，为制备高发光性能的ZnO基光电器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN104332540A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410618510.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明公开的高发光性能p型ZnO薄膜的方法，步骤包括：采用分子束外延设备，将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，以纯金属Zn源为反应源，以固体纯NaF粉末为p型掺杂源，在衬底上生长p型ZnO薄膜；将获得的p型ZnO薄膜放置在离子溅射系统中，调节溅射电流至10～15mA，在薄膜表面溅射沉积Pt或Au金属颗粒，溅射时间为20～100s。本发明方法简单可控，在增强p型ZnO薄膜带边发射的同时，有效地抑制了缺陷发光，极大地提高了p型ZnO的发光性能，为制备高发光性能的ZnO基光电器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN108384792A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810334244.1
申请日：2018-04-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及生物技术领域，具体而言，本发明公开了一种提高番茄抗旱性和对细菌性斑点病抗性的基因SlCYP724B2，该基因的核苷酸序列如SEQ ID No：1所示。本发明还同时公开了上述基因编码的蛋白质，该蛋白质的氨基酸序列如SEQ ID No：2所示。本发明还同时提供了上述基因或蛋白质在提高番茄抗旱性和提高番茄对细菌性斑点病抗性中的应用。
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公开(公告)号：CN107177565A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710429303.9
申请日：2017-06-08
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C12N9/1029 , C12N15/8282 , C12Y203/0105
Abstract: 本发明公开了一种提高番茄对链格孢菌引起的茎枯病抗性的蛋白mLCB2b，本发明还同时公开了编码上述蛋白质的基因mLCB2b；该基因mLCB2b能用于提高番茄对链格孢菌的抗性；即，用于构建转基因番茄，使转基因番茄对链格孢菌的抗性得以提高。
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