公开(公告)号：CN100593852C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200710067900.8

申请日：2007-04-09

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王德苗 ,  苏达 ,  徐文彬 ,  任高潮 ,  李侃 ,  王耀民 ,  陈洪璆

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明专利涉及一种半导体照明器件，特别是涉及高功率LED兼容集成封装模块；它包括金属散热器和LED芯片，其特征在于所述金属散热器上设有反光杯，金属散热器和反光杯表面依次设置有用薄膜技术制作的绝缘膜层和多层膜系电极层，在金属散热器上还设置了薄膜电阻，反光杯内设有LED芯片，该LED芯片倒装焊接在反光杯中的多层膜系电极层上，多层膜系电极层上设有缝隙；本发明的结构设计合理、紧凑，制作方便、成本低廉，是一种集散热器、绝缘层、内部热沉、限流电阻、反光杯、LED于一体的LED兼容集成封装模块。

公开(公告)号：CN101334153A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810063733.4

申请日：2008-07-28

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王德苗 ,  苏达 ,  金浩 ,  王耀明

IPC: F21V29/00 ,  F21V23/06 ,  H01L23/36 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体照明器件，特别是涉及自散热式发光二极管日光灯：它包括金属散热器本体、管帽、LED芯片和透明灯罩，其特征在于所述的金属散热器本体为带有敞口的槽形体，该金属散热器本体的表面依次设有绝缘层和电极层，所述LED芯片焊接在电极层上，所述透明灯罩与金属散热器本体相连接，在金属散热器本体的两端连接有管帽，该管帽上设有接触电极，管帽上的接触电极能够与金属散热器本体表面的电极层电学连接。本发明散热性能好、成本低廉、寿命长，是一种适用于大功率发光二极管照明的自散热式发光二极管日光灯。

公开(公告)号：CN103355169B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310307591.2

申请日：2013-07-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程方民 ,  苏达 ,  王复标 ,  潘刚

IPC: A01H4/00

Abstract: 本发明公开了一种直穗型水稻的穗离体培养方法，包括：于灌浆初期取水稻离体穗置入净水中，经预处理后对穗茎节以下部位进行表面消毒；将完成表面消毒的水稻离体穗插入装有无菌培养液的培养容器内，插入培养液的茎段长度为水稻离体穗茎长的1/5～1/4；穗器官露出培养容器外，用无菌脱脂棉固定水稻离体穗并封闭培养容器开口；将固定有水稻离体穗的培养容器置于2～3℃水浴中，低温水面低于水稻离体穗的茎基部；穗器官层的温度为20～27℃；定期更换培养液至水稻籽粒成熟。本发明中离体穗的前处理及“高温高压灭菌—表面消毒—亚硫酸—低温水浴”的配套措施对减少离体穗的过度蒸腾以及微生物的生长起到了良好的抑制效果，污染率低，离体穗成活率高。

公开(公告)号：CN103355169A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310307591.2

申请日：2013-07-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程方民 ,  苏达 ,  王复标 ,  潘刚

IPC: A01H4/00

Abstract: 本发明公开了一种直穗型水稻的穗离体培养方法，包括：于灌浆初期取水稻离体穗置入净水中，经预处理后对穗茎节以下部位进行表面消毒；将完成表面消毒的水稻离体穗插入装有无菌培养液的培养容器内，插入培养液的茎段长度为水稻离体穗茎长的1/5～1/4；穗器官露出培养容器外，用无菌脱脂棉固定水稻离体穗并封闭培养容器开口；将固定有水稻离体穗的培养容器置于2～3℃水浴中，低温水面低于水稻离体穗的茎基部；穗器官层的温度为20～27℃；定期更换培养液至水稻籽粒成熟。本发明中离体穗的前处理及“高温高压灭菌—表面消毒—亚硫酸—低温水浴”的配套措施对减少离体穗的过度蒸腾以及微生物的生长起到了良好的抑制效果，污染率低，离体穗成活率高。

公开(公告)号：CN101348896A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810120619.0

申请日：2008-08-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 金浩 ,  王德苗 ,  任高潮 ,  冯斌 ,  苏达 ,  顾为民

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明属于溅射镀膜技术领域，特别是涉及一种卷绕式双面镀膜设备；它包括真空腔体和盖板，其特征是所述盖板与真空腔体的端面相配合，在真空腔体内设有送料辊、收料辊、第一至第三展平辊、第一至第五过渡辊，所述真空腔体分别与高真空抽气装置和惰性气体充气器相连通，所述真空腔体内设有第一滚筒和第二滚筒，这两个滚筒的一侧分别设有与之相对应的等离子发生器和磁控溅射装置，所述磁控溅射装置由溅射过渡膜的磁控溅射靶和溅射导电膜的磁控溅射靶构成，所述第一滚筒的另一侧设置有第一展平辊和第三过渡辊，第二滚筒的另一侧设置有第二展平辊和第四过渡辊；具有结构紧凑、设计合理、能同时对聚合物薄膜两面进行镀覆膜层的特点。

公开(公告)号：CN101294272A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810062053.0

申请日：2008-05-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王德苗 ,  苏达 ,  金浩 ,  任高潮

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，特别是涉及一种柔性衬底室温下溅射制备氧化铟锡透明导电薄膜的方法；其步骤包括：清洗、充工作气体、紫外线辐照、阻挡层制备、溅射氧化铟锡膜；通过在线紫外辐照，在氩氧比为(6.0～7.5)∶0.2，采用射频溅射或直流溅射，实现在室温下，在预先镀覆二氧化硅层作为扩散阻挡层的有机柔性衬底上高效无损伤制备氧化铟锡薄膜。氧化铟锡薄膜的厚度为700nm时，电阻率为3.5×10－4Ωcm，方块电阻为5Ω，可见光透过率为88％，且膜层均匀平整，不起皱，不脱落。与传统的柔性氧化铟锡薄膜制备工艺相比，本发明无需加热、工艺控制简单、对基体无损伤，适用于大面积生产，且具有良好的光电特性。

公开(公告)号：CN101043029A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710067900.8

申请日：2007-04-09

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王德苗 ,  苏达 ,  徐文彬 ,  任高潮 ,  李侃 ,  王耀民 ,  陈洪璆

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及一种半导体照明器件，特别是涉及高功率LED兼容集成封装模块；它包括金属散热器和LED芯片，其特征在于所述金属散热器上设有反光杯，金属散热器和反光杯表面依次设置有用薄膜技术制作的绝缘膜层和多层膜系电极层，在金属散热器上还设置了薄膜电阻，反光杯内设有LED芯片，该LED芯片倒装焊接在反光杯中的多层膜系电极层上，多层膜系电极层上设有缝隙；本发明的结构设计合理、紧凑，制作方便、成本低廉，是一种集散热器、绝缘层、内部热沉、限流电阻、反光杯、LED于一体的LED兼容集成封装模块。