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公开(公告)号:CN111043973A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201911274436.9
申请日:2019-12-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种氢同位素结晶高度及表面粗糙度干涉测量装置及方法,其中,装置包括干涉测量系统、位移系统和计算机处理模块;方法包括:在显微观测模式下,操控位移系统扫描拍摄整个结晶生长面,并进行图像拼接,得到全部区域图像,确认需要监控的精确位置;将测量系统观察视场对准监控区域,切换到干涉测量模式,利用干涉图条纹相位测量技术实现对待测区域生长高度及生长最终状态表面粗糙度测量。利用本发明的装置及方法,可实现对氢同位素低温结晶生长高度及表面粗糙度的非接触式测量,消除真空室玻璃、生长基底强反射光及生长过程边界断裂等对常见干涉显微系统的影响,实现高精度测量。
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公开(公告)号:CN113552094A
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202110823354.6
申请日:2021-07-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种ICF靶丸冰层折射率三维重建的测量装置及测量方法,测量装置包括激光器、激光准直镜、第一偏振分束镜、电动光挡、载有反射镜的PZT、振镜、第一聚焦镜、第二聚焦镜、显微物镜、第二偏振分束镜、线偏振片、CCD图像传感器、高功率LED、光阑和电脑;测量方法包括:利用背光投影光路将靶丸定位,切换到干涉光路,利用振镜扫描靶丸,采集靶丸各角度下的四步移相干涉图,得到各角度下的二维平均折射率分布;其次设定层析过程中各层的阈值;将二维平均折射率分布转换为当前所需的投影折射率分布;应用ART方法逐层层析反演,应用偏折修正方法,得到正确的三维折射率重建。利用本发明,可以实现快速、非接触式三维折射率重建。
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公开(公告)号:CN112577433B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN202011217049.4
申请日:2020-11-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种氢同位素结晶生长高度实时测量装置及方法,其中,测量方法包括:(1)在氢同位素结晶生长最初阶段,控制电动五维调整架进行Z方向调节完成对焦,并控制电动五维调整架在XY平面内移动,直到所需观察记录的区域位于系统视场中心为止;(2)通过电动五维调整架调整干涉测量系统的角度,得到合适的干涉图像;在开始监控之前,选择结晶初始位置背景上一点作为参考点,用于区域分割的基准,设定好监控时间间隔后,开始进行测量;(3)在监控时间节点,使用同步移相干涉测量方法,实时精确地计算出该时刻监控点的相位ΔΦ(t)及监控点绝对高度HDT(x,y)。利用本发明,可以有效且高精度的对氢同位素结晶生长高度进行实时计算。
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公开(公告)号:CN112577433A
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN202011217049.4
申请日:2020-11-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种氢同位素结晶生长高度实时测量装置及方法,其中,测量方法包括:(1)在氢同位素结晶生长最初阶段,控制电动五维调整架进行Z方向调节完成对焦,并控制电动五维调整架在XY平面内移动,直到所需观察记录的区域位于系统视场中心为止;(2)通过电动五维调整架调整干涉测量系统的角度,得到合适的干涉图像;在开始监控之前,选择结晶初始位置背景上一点作为参考点,用于区域分割的基准,设定好监控时间间隔后,开始进行测量;(3)在监控时间节点,使用同步移相干涉测量方法,实时精确地计算出该时刻监控点的相位ΔΦ(t)及监控点绝对高度HDT(x,y)。利用本发明,可以有效且高精度的对氢同位素结晶生长高度进行实时计算。
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公开(公告)号:CN114485429A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202111623863.0
申请日:2021-12-28
Applicant: 浙江大学嘉兴研究院
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种气体结晶薄膜生长高度实时测量装置及方法,包括干涉测量系统和控制处理模块;干涉测量系统包括光纤激光器、单模保偏光纤、双胶合透镜、起偏器、偏振分光棱镜、四分之一波片、平面反射镜、压电陶瓷、检偏器、显微物镜、成像镜和相机;所述的控制处理模块包括移相控制模块、图像采集模块、干涉图数据分析处理模块;移相控制模块与压电陶瓷相连,通过控制加载电压实现固定步长的微小位移,从而引入移相量;图像采集模块与相机相连,每次移相之后采集一张待测薄膜生长干涉图,在获取一组移相干涉图后,将数据传输至干涉图数据分析处理模块进行分析。利用本发明,可以有效且高精度的对稀有气体结晶薄膜的生长高度进行实时计算。
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公开(公告)号:CN112697052B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202011230665.3
申请日:2020-11-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种慢化组件气体冷凝薄膜厚度分布测量装置及方法,方法包括:(1)薄膜冷凝前,移动控制模块将基底表面成像至探测器上;(2)采集干涉图并使用移相算法获取整体基底相位分布和系统误差分布;(3)冷凝薄膜形成后,移动控制模块将探测器成像位置对准薄膜最高位置表面;(4)使用移相算法获取干涉图计算不同位置对应的相位信息,进一步得到冷凝薄膜区域包含多光束干涉影响的相位分布;(5)利用建模技术计算薄膜多光束干涉相位与测量光无多光束干涉情况下经过薄膜的理论相位的校正函数关系,并进一步计算校正测量相位;(6)计算得到薄膜厚度分布。利用本发明,可实现对慢化组件气体冷凝薄膜厚度的非接触、快速、高精度测量。
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公开(公告)号:CN111289469B
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202010133607.2
申请日:2020-02-28
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种ICF靶丸内冰层折射率分布的测量装置和方法,测量装置包括光纤激光器、光纤准直镜、第一偏振分束镜、载有反射镜的PZT(压电陶瓷)、分束镜、第二偏振分束镜、待测靶丸、成像镜、线偏振片、CCD图像传感器、LED、光阑、电脑。测量方法包括:利用背光投影光路将靶丸定位好后,通过干涉光路采集靶丸的四步移相干涉图;对移相干涉图进行解相位、解包裹、以及Zernike拟合等操作,在所得的波面上选取两个相近的环带;利用基于OPD的反演方法,依次求出环带折射率、基准折射率,从而得出折射率分布;再次应用坐标转换,即得到靶丸坐标系的折射率分布。利用本发明,可以实现快速、非接触式测量。
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公开(公告)号:CN111289469A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN202010133607.2
申请日:2020-02-28
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种ICF靶丸内冰层折射率分布的测量装置和方法,测量装置包括光纤激光器、光纤准直镜、第一偏振分束镜、载有反射镜的PZT(压电陶瓷)、分束镜、第二偏振分束镜、待测靶丸、成像镜、线偏振片、CCD图像传感器、LED、光阑、电脑。测量方法包括:利用背光投影光路将靶丸定位好后,通过干涉光路采集靶丸的四步移相干涉图;对移相干涉图进行解相位、解包裹、以及Zernike拟合等操作,在所得的波面上选取两个相近的环带;利用基于OPD的反演方法,依次求出环带折射率、基准折射率,从而得出折射率分布;再次应用坐标转换,即得到靶丸坐标系的折射率分布。利用本发明,可以实现快速、非接触式测量。
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公开(公告)号:CN108333145A
公开(公告)日:2018-07-27
申请号:CN201810001451.5
申请日:2018-01-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种ICF靶丸的检测新装置及定位方法。本发明包括激光器、扩束器、第一分束镜、第二分束镜、第三分束镜、平面反射镜、待测靶丸、透镜、CCD图像传感器、电脑、高功率LED、光阑。将靶丸以10μm的间隔移动,采集每个位置处的背光投影图像,进行滤波、孔径提取等图像预处理工作后,计算亮环附近区域的锐度,锐度最大的位置满足物像共轭关系。将靶丸移到该位置后,继续以1μm的间隔,在前后10μm的区间内移动。重复上述采集、图像预处理、锐度计算步骤,将靶丸移到新的锐度最大位置,完成定位。本发明提出的靶丸检测新装置与定位方法,适用于常规的筒状真空空间,并且能实现快速、精确的自动定位。
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公开(公告)号:CN115330672A
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202210564297.9
申请日:2022-05-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于边缘识别与相位分层的靶丸干涉图解包裹方法,包括:(1)对输入的靶丸干涉包裹图进行边缘提取,提取出每一层相位层之间的边缘;(2)选取各相位层的起始点,得到每层相位层起始点序列S(n),并进行去噪处理;(3)遍历选取的起始序列点S(n),对每一个起始点进行广度优先搜索,识别出其所在的整个相位层,并记录下搜索到的像素的相位层数;(4)对识别出的相位层做整体相位移动,纠正相位矩阵中残余的跳变点,由此得到解包裹相位φ。利用本发明,能够快速且精确地对靶丸干涉图图像解包裹。
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