微型、纳米钙钛矿发光二极管和晶体管驱动的微型、纳米钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN118265399A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410198153.5

    申请日:2024-02-22

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了微型、纳米钙钛矿发光二极管和晶体管驱动的微型、纳米钙钛矿发光二极管及其制备方法,本发明利用低成本、简易制备的钙钛矿材料制备微型和纳米钙钛矿发光二极管,得到的百微米到数微米及以下尺寸的微型钙钛矿发光二极管表现出非常弱的尺寸效应,具体表现为微型钙钛矿发光二极管随尺寸减小其效率降低不显著,能够保持和常规毫米尺寸器件相似的高外量子效率。此外,本发明实现了目前最小像素尺寸的纳米钙钛矿发光二极管,像素边长或直径可达到100纳米及以下。基于本发明实现的纳米钙钛矿发光二极管阵列每英寸像素点密度可以达到127000PPI以上。本发明的微型及纳米钙钛矿发光二极管也可以结合被动和主动驱动技术方案。

    基于垂直场效应调控的有机钙钛矿叠层器件及制备方法

    公开(公告)号:CN118265312A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410359780.2

    申请日:2024-03-27

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了基于垂直场效应调控的有机钙钛矿叠层器件及制备方法。所述器件由垂直场效应晶体管与有机‑钙钛矿叠层光电器件堆叠而成,由下到上依次为:栅极、介电层、阴极、电子传输层、钙钛矿层、复合层、有机活性层、空穴传输层、阳极。所述栅极位于衬底之上,为金属氧化物、超薄金属或导电有机材料PEDOT:PSS。该器件可以利用外加垂直电场对器件中的载流子分离及传输行为进行有效调控,为减小光电器件内能量损失、提高器件性能提供了一种新的方法。且所述基于垂直场效应调控的有机钙钛矿叠层器件具有多功能性,可用于制备高响应度、高探测率的宽光谱光电探测器、高性能光电晶体管及高效率的叠层太阳能电池。

    一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法与装置

    公开(公告)号:CN118960986B

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411442222.9

    申请日:2024-10-16

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法与装置;所述方法为:达到热平衡后,施加不大于最大工作电流密度值5%的初始电流密度获得电致发光光谱;对满足要求的电致发光光谱数据进行非线性函数的最小二乘法拟合,计算温度修正系数#imgabs0#;在任意工作状态下,再次采集电致发光光谱,对满足要求的电致发光光谱数据进行非线性函数的最小二乘法拟合,并结合#imgabs1#,获得待测的半导体电致发光器件中半导体在目标电流密度下的温度。所述装置包括积分球、光纤和光谱仪。本发明采用非接触式测量方法,不受器件封装影响,提高了测量的准确性和可靠性。

    连续波钙钛矿极化激元激光器与激光芯片及制作方法

    公开(公告)号:CN117712823B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202311741014.4

    申请日:2023-12-18

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了连续波钙钛矿极化激元激光器与激光芯片及制作方法。所述连续波钙钛矿极化激元激光器的增益介质为钙钛矿材料或包含钙钛矿材料的混合材料,形式为薄膜、微晶、荧光粉、纳米晶体、量子点或单晶。通过溶液法或真空镀膜法制备钙钛矿增益介质,与光学谐振腔结合,利用激子与光子之间的强相互作用形成稳态激子极化激元凝聚,可在无需达到传统激光器粒子束反转条件的前提下,获得低阈值的连续波极化激元激光出射。所述激光器可以在各类相干、非相干光源或电激发泵浦下实现室温低阈值连续波或脉冲激光发射,比传统半导体激光器的阈值低1‑3个数量级,优化后的阈值可达到0.1‑1W/cm2或以下,是一种超低功耗的新型相干光源技术。

    光电器件及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113161499A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110392494.2

    申请日:2021-04-13

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及光电器件,涉及半导体器件,光电器件的单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸小于等于500微米,包括:半导体衬底,其第一部分区域上形成有第一传输层,位于第一部分区域周围的第二部分区域上形成有第一层绝缘层,并在第一层绝缘层上形成有第一传输层;第一传输层上形成有一层界面层;界面层上形成有一层包含钙钛矿材料的发光材料层;第二部分区域内的发光材料层上及第一部分区域内的临近第二部分区域侧的发光材料层上形成有第二层绝缘层,以实现单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸可调,且其制备成本低、工艺复杂度低、器件光谱纯度高,可有效解决小型与微型光电器件外量子效率低、亮度低和漏电流大的问题。

    缺陷检测装置、方法及发光信号的获得方法

    公开(公告)号:CN113155843A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110275757.1

    申请日:2021-03-15

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及缺陷检测装置,涉及缺陷检测技术,包括:激发装置,用于向被检测结构施加不同激发源,而使被检测结构在不同激发源下产生不同的发光信号;接受装置,用于获得被检测结构产生的发光信号;以及计算单元,接收接受装置输出的发光信号,并根据被检测结构在不同激发源下产生的不同的发光信号计算获得被检测结构的某一层的发光信号,而为被检测结构的优化指明方向,且快速、无损。

    制备钙钛矿半导体光电器件的在线实时监测系统

    公开(公告)号:CN112748218A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202011512648.9

    申请日:2020-12-20

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种制备钙钛矿半导体光电器件的在线实时监测系统,属于新型能源、材料和电子技术领域。本发明的目的是通过在现有制备钙钛矿半导体的手套箱系统上做一定的改进,从而将光源系统、光谱仪系统、光学显微镜及摄像头系统、热像仪系统各个子系统整合到一起的制备钙钛矿半导体光电器件的在线实时监测系统。本发明分为机械部分和电子控制部分。本发明对比分析基于不同时间尺度的多个设备的监测结果,有助于明确钙钛矿半导体生长过程中的形貌变化,对钙钛矿半导体生长过程进行清晰研究,为实现高性能的钙钛矿光电器件提供了监测技术,有利于加快钙钛矿光电器件应用进程。

    基于光子限制效应的太阳能电池及光电器件

    公开(公告)号:CN111737851A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010426684.7

    申请日:2020-05-19

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种基于光子限制效应的太阳能电池及光电器件,属于新型能源、材料和电子技术领域。本发明的目的是基于光子限制效应的理论模型,设计了基于理论模型的一种太阳能电池结构模型,从而有效减少电池内光子逃逸出电池概率的基于光子限制效应的太阳能电池及光电器件。本发明的步骤是:获得光电流密度与入射光子能量的关系,获得辐射复合光电流与入射光能量的关系,确定辐射复合电流密度与总的复合光电流密度的关系,获得标准太阳光的光电流密度、总的复合光电流密度、太阳能电池输出电流的关系,获得电池输出开路电压,获得电池输出短路电流,获得最大填充因子FF,获得最大效率PCE。本发明最终提高效率,为简单操作、低成本、高效率的单结太阳能电池拓宽研究视野。

    一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法与装置

    公开(公告)号:CN118960986A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411442222.9

    申请日:2024-10-16

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法与装置;所述方法为:达到热平衡后,施加不大于最大工作电流密度值5%的初始电流密度获得电致发光光谱;对满足要求的电致发光光谱数据进行非线性函数的最小二乘法拟合,计算温度修正系数#imgabs0#;在任意工作状态下,再次采集电致发光光谱,对满足要求的电致发光光谱数据进行非线性函数的最小二乘法拟合,并结合#imgabs1#,获得待测的半导体电致发光器件中半导体在目标电流密度下的温度。所述装置包括积分球、光纤和光谱仪。本发明采用非接触式测量方法,不受器件封装影响,提高了测量的准确性和可靠性。

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