一种低辐射镀膜玻璃的光学参数检测方法

    公开(公告)号:CN103323403B

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201310201073.2

    申请日:2013-05-27

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种低辐射镀膜玻璃的光学参数检测方法,该低辐射镀膜玻璃为SnO2:F/SiCxOy,0<x<1,1<y<4,属于镀膜玻璃检测领域。该方法是在获得SnO2:F/SiCxOy节能镀膜玻璃椭圆偏振光谱的基础之上,引入五层膜层结构以及光学色散方程,通过迭代来回归实测椭偏光谱,最终获得SnO2:F/SiCxOy镀膜玻璃的膜层结构及其每一层的光学参数,利用该方法实现镀膜玻璃光学性能的在线实时监控。本发明仅采用光学测试手段来获得准确的膜层结构及光学参数,对样品无损伤、测量耗时少、测试方法简便,对被测样品表面无特殊要求,十分适合于SnO2:F/SiCxOy节能镀膜玻璃的性能检测。

    一种Si基缓冲层镀膜玻璃的光学参数检测方法

    公开(公告)号:CN103884494A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410108173.5

    申请日:2014-03-21

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种Si基缓冲层镀膜玻璃的光学参数检测方法,该缓冲层镀膜为SiCxOy,0<x<1,1<y<4,属于镀膜玻璃检测领域。该方法是在获得SiCxOy缓冲层镀膜玻璃椭圆偏振光谱的基础之上,引入三层膜层结构以及光学色散方程,通过迭代来回归实测椭偏光谱,最终获得SiCxOy镀膜玻璃的膜层结构及其每一层的光学参数,利用该方法实现镀膜玻璃光学性能的在线监控。本发明仅采用椭偏光学测试手段便可准确地获得薄膜的膜层结构及光学参数,对样品无损伤、测量耗时少、测试方法简便、对被测样品表面无特殊要求,十分适合于SiCxOy节能镀膜玻璃的性能检测及监控。

    一种具有柱状晶形貌的掺氟二氧化钛薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103084191A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201310032340.8

    申请日:2013-01-25

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种柱状晶形貌的掺氟二氧化钛薄膜的制备方法。该方法通过用溶胶-凝胶法在基板上逐次旋涂镀膜,然后对每层薄膜进行空气中热处理形成锐钛矿型柱状晶形貌的掺氟二氧化钛薄膜,其表现出更好的光催化性能。本发明制备工艺简单,不需要任何昂贵的设备,成本低,可以在任意形状的基板上镀膜,非常适合于二氧化钛光催化以及建筑节能镀膜玻璃的工业化应用。

    一种低辐射镀膜玻璃的光学参数检测方法

    公开(公告)号:CN103323403A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310201073.2

    申请日:2013-05-27

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种低辐射镀膜玻璃的光学参数检测方法,该低辐射镀膜玻璃为SnO2:F/SiCxOy,0<x<1,1<y<4,属于镀膜玻璃检测领域。该方法是在获得SnO2:F/SiCxOy节能镀膜玻璃椭圆偏振光谱的基础之上,引入五层膜层结构以及光学色散方程,通过迭代来回归实测椭偏光谱,最终获得SnO2:F/SiCxOy镀膜玻璃的膜层结构及其每一层的光学参数,利用该方法实现镀膜玻璃光学性能的在线实时监控。本发明仅采用光学测试手段来获得准确的膜层结构及光学参数,对样品无损伤、测量耗时少、测试方法简便,对被测样品表面无特殊要求,十分适合于SnO2:F/SiCxOy节能镀膜玻璃的性能检测。

    一种二氧化钛基选择吸收薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102888598A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN201210385538.X

    申请日:2012-10-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种二氧化钛基选择吸收薄膜的制备方法,该方法通过用溶胶—凝胶法在基板上镀膜,然后对薄膜进行高真空下的热处理导致薄膜前驱体中的有机物部分或完全碳化,在TiO2基体中形成导电网络以及分立碳颗粒,获得的二氧化钛基薄膜具有较好光谱选择吸收性,即在可见光谱区具有较好吸收率,在中远红外具有较高的反射率。本发明制备工艺简单,不需要任何昂贵的设备,成本低,可在任意形状的基板上涂膜,适合于大面积工业化生产。

    用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN104022159B

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201410270566.6

    申请日:2014-06-17

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法,所述非晶氧化物薄膜化学式为Zn4AlxSn7O1.5x+18(0≦x≦0.5)。制备步骤为:将称量好的Zn(NO3)2·6H2O、Al(NO3)3·9H2O及SnCl2+NH4NO3分别溶解于二甲氧基乙醇、乙酰丙酮以及氨水组成的混合溶液中,配成前驱体溶液,并在常温~50℃下搅拌6~24h,经过滤后按Zn:Al:Sn=4:x:7(0≦x≦0.5)比例混合均匀,陈化4~24h;在衬底上旋涂成膜,并进行退火处理,得到薄膜的厚度为10~50nm;本发明制得的薄膜表面粗糙度RMS小于5nm、载流子浓度1014~1017cm-3、透过率>80%;将其用作沟道层制得薄膜晶体管,阈值电压为-4~3V、迁移率为2~10cm2V-1S-1。本发明制备的用作薄膜晶体管的非晶氧化物薄膜具有迁移率高、环境友好、方法简单、成本低等优点。

    一种应用于非晶Si太阳能电池的ZnO:Al绒面薄膜

    公开(公告)号:CN104022164B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201410271526.3

    申请日:2014-06-17

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种利用CH3COONH4溶液腐蚀制备的应用于非晶Si太阳能电池中的绒面ZnO:Al透明导电薄膜的方法。该类绒面ZnO:Al薄膜由磁控溅射方法制备,靶材由高纯度的ZnO粉末和Al2O3粉末按一定比例混合烧结而成,薄膜生长温度为400℃,溅射功率为200W,溅射时间为45min。其次利用CH3COONH4溶液腐蚀得到的表面具有陨石坑的绒面ZnO:Al薄膜,其中CH3COONH4溶液的浓度为0.5~7.0wt%,腐蚀时间为5~30min。最后利用等离子体化学气相沉积(PECVD)沉积太阳能电池的吸光层(pin-Si层)。本发明制备的绒面ZnO:Al薄膜具有制备方法简单,易于操作,并且可以作为很好的非晶Si太阳能电池中的散光层,有利于提高非晶Si太阳能电池的效率。

    用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN104022159A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201410270566.6

    申请日:2014-06-17

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法,所述非晶氧化物薄膜化学式为Zn4AlxSn7O1.5x+18(0≦x≦0.5)。制备步骤为:将称量好的Zn(NO3)2·6H2O、Al(NO3)3·9H2O及SnCl2+NH4NO3分别溶解于二甲氧基乙醇、乙酰丙酮以及氨水组成的混合溶液中,配成前驱体溶液,并在常温~50℃下搅拌6~24h,经过滤后按Zn:Al:Sn=4:x:7(0≦x≦0.5)比例混合均匀,陈化4~24h;在衬底上旋涂成膜,并进行退火处理,得到薄膜的厚度为10~50nm;本发明制得的薄膜表面粗糙度RMS小于5nm、载流子浓度1014~1017cm-3、透过率>80%;将其用作沟道层制得薄膜晶体管,阈值电压为-4~3V、迁移率为2~10cm2V-1S-1。本发明制备的用作薄膜晶体管的非晶氧化物薄膜具有迁移率高、环境友好、方法简单、成本低等优点。

    一种测量在线低辐射节能镀膜玻璃辐射率的方法

    公开(公告)号:CN103884657A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410109931.5

    申请日:2014-03-21

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种测量在线低辐射节能镀膜玻璃辐射率的方法,能够实现在线低辐射玻璃辐射率的在线、实时测量。该方法是在获得低辐射镀膜的可见-近红外波段椭圆偏振光谱的基础之上,引入四层膜层结构以及Drude色散方程来回归实测椭偏光谱,最终获得薄膜材料的物理参数,从而通过一个半经验公式计算薄膜的辐射率。本发明仅采用椭偏光学测试手段便可测量薄膜辐射率,对样品无损伤、测量耗时少、测试方法简便、对被测样品表面无特殊要求,十分适合于在线低辐射节能镀膜玻璃的性能在线检测及监控。

    一种应用于非晶Si太阳能电池的ZnO:Al绒面薄膜

    公开(公告)号:CN104022164A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201410271526.3

    申请日:2014-06-17

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/02168 H01L31/202

    Abstract: 本发明公开了一种利用CH3COONH4溶液腐蚀制备的应用于非晶Si太阳能电池中的绒面ZnO:Al透明导电薄膜的方法。该类绒面ZnO:Al薄膜由磁控溅射方法制备,靶材由高纯度的ZnO粉末和Al2O3粉末按一定比例混合烧结而成,薄膜生长温度为400℃,溅射功率为200W,溅射时间为45min。其次利用CH3COONH4溶液腐蚀得到的表面具有陨石坑的绒面ZnO:Al薄膜,其中CH3COONH4溶液的浓度为0.5~7.0wt%,腐蚀时间为5~30min。最后利用等离子体化学气相沉积(PECVD)沉积太阳能电池的吸光层(pin-Si层)。本发明制备的绒面ZnO:Al薄膜具有制备方法简单,易于操作,并且可以作为很好的非晶Si太阳能电池中的散光层,有利于提高非晶Si太阳能电池的效率。

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