公开(公告)号：CN1029694C

公开(公告)日：1995-09-06

申请号：CN93112445.X

申请日：1993-05-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨德仁 ,  杨建松 ,  李立本 ,  姚鸿年 ,  阙端磷 ,  张锦心 ,  樊瑞新 ,  张奚文

IPC: C30B33/02

Abstract: 一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和半导体器件制造。

公开(公告)号：CN1083874A

公开(公告)日：1994-03-16

申请号：CN93112445.X

申请日：1993-05-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨德仁 ,  杨建松 ,  李立本 ,  姚鸿年 ,  阙端磷 ,  张锦心 ,  樊瑞新 ,  张奚文

IPC: C30B33/02

Abstract: 一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和半导体器件制造。

公开(公告)号：CN1014727B

公开(公告)日：1991-11-13

申请号：CN89105564.9

申请日：1989-08-10

Applicant: 浙江大学

Inventor： 李立本 ,  张锦心 ,  阙端麟

IPC: C30B29/06 ,  C03B15/02

CPC classification number: Y02P40/57

Abstract: 一种控制直拉硅单晶中氮含量的方法，用99.99%以上的纯氮作为保护气体，采用分段控制炉内氮气压力，特别是熔硅阶段的氮气压力严格控制在266～1995Pa范围内，获得硅单晶中氮含量为1.0×1014～7.0×1014/cm3，且保证该硅单晶的成品率达到80%以上。

公开(公告)号：CN1040400A

公开(公告)日：1990-03-14

申请号：CN89105564.9

申请日：1989-08-10

Applicant: 浙江大学

Inventor： 李立本 ,  张锦心 ,  阙端麟

IPC: C30B27/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: Y02P40/57

Abstract: 一种控制直拉硅单晶中氮含量的方法，用99.99％以上的纯氮作为保护气体，采用分段控制炉内氮气压力，特别是熔硅阶段的氮气压力严格控制在2～15托范围内，获得硅单晶中氮含量为1.0×1014～7.0×1014/cm3，且保证该硅单晶的成品率达到80％以上。