公开(公告)号：CN102583227A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210064478.1

申请日：2012-03-13

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张宏海 ,  吕建国 ,  叶志镇 ,  胡亮 ,  杨晓朋 ,  黄俊

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法，该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列，通过扩散法把上述阵列转变为一维p型ZnO纳米线阵列，最后通过水热法在p型ZnO纳米阵列上生长径向分布的n型ZnO纳米棒。本发明方法简单易行，重复性高，可通过控制气相反应生长温度和液相溶液浓度来分别调节三维ZnO纳米同质pn结阵列主干和分支的长度和密度，可广泛应用于纳米光电、光催化和能量转换器件等领域。

公开(公告)号：CN102110751A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010545467.6

申请日：2010-11-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 潘新花 ,  黄靖云 ,  叶志镇 ,  丁萍 ,  张宏海

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开的自支撑GaN基发光器件，自下而上依次有GaN保护层、GaN缓冲层、n型GaN层、GaN基发光层和p型GaN层。其制备方法如下：先采用分子束外延技术在SiC衬底上依次生长ZnO层和GaN保护层；然后采用金属有机物化学气相沉积技术在GaN保护层上依次生长GaN缓冲层、n型GaN层、GaN基发光层和p型GaN层；再用酸液腐蚀去掉ZnO层，将SiC衬底和GaN基器件薄膜分离。本发明方法简单，通过在SiC衬底上先生长一层ZnO层，有效地提高了GaN基器件薄膜的质量；同时易于将衬底与器件薄膜分离，使SiC衬底可以重复使用，大大降低器件成本。

公开(公告)号：CN102226297A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201110163536.1

申请日：2011-06-17

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志镇 ,  张宏海 ,  吕建国 ,  杨晓朋 ,  黄俊 ,  李洋

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开的斜向ZnO纳米线阵列，其ZnO纳米线与衬底表面呈55～65°夹角，向相反的方向交叉有序排列。采用热蒸发法生长。本发明的斜向ZnO纳米线阵列的生长方法简单易行，重复性高，通过调节源材料加热温度、衬底与源材料的距离、源材料的质量和生长时间，可以制备尺寸和密度可控且分布均匀的斜向ZnO纳米线阵列。所制备的斜向ZnO纳米线阵列具有高度的有序性和高的晶体质量。

公开(公告)号：CN103137774A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310038167.2

申请日：2013-01-31

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张宏海 ,  吕斌 ,  潘新花 ,  叶志镇 ,  吕建国 ,  黄靖云

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开的非极性取向的p-NiO/n-ZnO异质结构包括衬底和生长在衬底上的非极性取向的pn结，所述的衬底为m面蓝宝石，pn结是自下而上依次生长在衬底上的（100）取向的n型ZnO薄膜和（100）取向的p型NiO薄膜构成的异质pn结。其制备方法如下：首先采用分子束外延法或者脉冲激光沉积法在m面蓝宝石衬底上制备（100）取向的n型ZnO薄膜；然后采用脉冲激光沉积法在ZnO薄膜上制备（100）取向的p-NiO薄膜。本发明的非极性取向p-NiO/n-ZnO异质结构无内建电场存在，有利于提高ZnO基光电器件的发光效率，可广泛应用于紫外探测器、发光二极管和气敏传感器等领域。

公开(公告)号：CN103137774B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201310038167.2

申请日：2013-01-31

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张宏海 ,  吕斌 ,  潘新花 ,  叶志镇 ,  吕建国 ,  黄靖云

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开的非极性取向的p-NiO/n-ZnO异质结构包括衬底和生长在衬底上的非极性取向的pn结，所述的衬底为m面蓝宝石，pn结是自下而上依次生长在衬底上的（100）取向的n型ZnO薄膜和（100）取向的p型NiO薄膜构成的异质pn结。其制备方法如下：首先采用分子束外延法或者脉冲激光沉积法在m面蓝宝石衬底上制备（100）取向的n型ZnO薄膜；然后采用脉冲激光沉积法在ZnO薄膜上制备（100）取向的p-NiO薄膜。本发明的非极性取向p-NiO/n-ZnO异质结构无内建电场存在，有利于提高ZnO基光电器件的发光效率，可广泛应用于紫外探测器、发光二极管和气敏传感器等领域。

公开(公告)号：CN102583227B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201210064478.1

申请日：2012-03-13

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张宏海 ,  吕建国 ,  叶志镇 ,  胡亮 ,  杨晓朋 ,  黄俊

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法，该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列，通过扩散法把上述阵列转变为一维p型ZnO纳米线阵列，最后通过水热法在p型ZnO纳米阵列上生长径向分布的n型ZnO纳米棒。本发明方法简单易行，重复性高，可通过控制气相反应生长温度和液相溶液浓度来分别调节三维ZnO纳米同质pn结阵列主干和分支的长度和密度，可广泛应用于纳米光电、光催化和能量转换器件等领域。