公开(公告)号：CN102583227A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210064478.1

申请日：2012-03-13

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张宏海 ,  吕建国 ,  叶志镇 ,  胡亮 ,  杨晓朋 ,  黄俊

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法，该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列，通过扩散法把上述阵列转变为一维p型ZnO纳米线阵列，最后通过水热法在p型ZnO纳米阵列上生长径向分布的n型ZnO纳米棒。本发明方法简单易行，重复性高，可通过控制气相反应生长温度和液相溶液浓度来分别调节三维ZnO纳米同质pn结阵列主干和分支的长度和密度，可广泛应用于纳米光电、光催化和能量转换器件等领域。

公开(公告)号：CN102320758A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110217851.8

申请日：2011-08-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志镇 ,  杨晓朋 ,  吕建国

IPC: C03C17/23 ,  C04B41/50 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及核壳结构ZnO纳米同质节阵列的制备方法，该ZnO纳米同质节阵列在衬底上自下而上依次有ZnO薄膜，内层ZnO纳米棒阵列和外层ZnO包覆层，制备步骤：1）在衬底上沉积一层（002）取向的ZnO薄膜；2）将纯ZnO粉、纯石墨和掺杂源混合作为源材料，放入石英舟的密闭端一侧，将衬底置于石英舟的开口端一侧，石英舟放在水平管式炉反应室中，生长内层ZnO纳米棒阵列；3）将Zn(NO3)·6H2O和C6H12N4配制成溶液倒入反应釜中，ZnO纳米棒阵列浸在溶液中，于95℃下生长核壳结构的外层包覆层。本发明方法设备简单，易于操作；ZnO纳米同质结阵列结晶质量好，尺寸均一，分布均匀；利用水热包覆，可直接在阵列上制作电极。

公开(公告)号：CN102260907B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201110163518.3

申请日：2011-06-17

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕建国 ,  杨晓朋 ,  叶志镇

IPC: H01L21/04 ,  C30B25/00 ,  C30B25/14 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62 ,  C23C14/08 ,  H01L21/36

Abstract: 本发明涉及ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法，先在衬底上沉积一层（002）取向的ZnO薄膜；然后将Zn粉、ZnO粉、石墨和掺杂源混合作为源材料，放入一端开口的石英舟的密闭端一侧，将衬底置于石英舟的开口端一侧，石英舟放在水平管式炉反应室中，石英舟开口端处于气流的下方向，反应室抽真空，源材料加热到550～650℃，向反应室通入Ar或N2为载气，O2为反应气体，保温生长下层ZnO纳米棒阵列；停止通入气体，继续升温至850～950℃，通入载气和O2，保温生长上层ZnO纳米棒阵列，形成ZnO纳米同质p-n结阵列。本发明方法仅由一次升温过程完成，简单易行，可实现不同掺杂的ZnO纳米同质p-n结阵列，同质结高度一致，性能优异，尺寸均一，分布均匀，有利于提高ZnO纳米器件的特性。

公开(公告)号：CN102226297A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201110163536.1

申请日：2011-06-17

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志镇 ,  张宏海 ,  吕建国 ,  杨晓朋 ,  黄俊 ,  李洋

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开的斜向ZnO纳米线阵列，其ZnO纳米线与衬底表面呈55～65°夹角，向相反的方向交叉有序排列。采用热蒸发法生长。本发明的斜向ZnO纳米线阵列的生长方法简单易行，重复性高，通过调节源材料加热温度、衬底与源材料的距离、源材料的质量和生长时间，可以制备尺寸和密度可控且分布均匀的斜向ZnO纳米线阵列。所制备的斜向ZnO纳米线阵列具有高度的有序性和高的晶体质量。

公开(公告)号：CN102583227B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201210064478.1

申请日：2012-03-13

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张宏海 ,  吕建国 ,  叶志镇 ,  胡亮 ,  杨晓朋 ,  黄俊

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法，该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列，通过扩散法把上述阵列转变为一维p型ZnO纳米线阵列，最后通过水热法在p型ZnO纳米阵列上生长径向分布的n型ZnO纳米棒。本发明方法简单易行，重复性高，可通过控制气相反应生长温度和液相溶液浓度来分别调节三维ZnO纳米同质pn结阵列主干和分支的长度和密度，可广泛应用于纳米光电、光催化和能量转换器件等领域。

公开(公告)号：CN102260907A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110163518.3

申请日：2011-06-17

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕建国 ,  杨晓朋 ,  叶志镇

IPC: C30B25/00 ,  C30B25/14 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62 ,  C23C14/08 ,  H01L21/36

Abstract: 本发明涉及ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法，先在衬底上沉积一层（002）取向的ZnO薄膜；然后将Zn粉、ZnO粉、石墨和掺杂源混合作为源材料，放入一端开口的石英舟的密闭端一侧，将衬底置于石英舟的开口端一侧，石英舟放在水平管式炉反应室中，石英舟开口端处于气流的下方向，反应室抽真空，源材料加热到550～650℃，向反应室通入Ar或N2为载气，O2为反应气体，保温生长下层ZnO纳米棒阵列；停止通入气体，继续升温至850～950℃，通入载气和O2，保温生长上层ZnO纳米棒阵列，形成ZnO纳米同质p-n结阵列。本发明方法仅由一次升温过程完成，简单易行，可实现不同掺杂的ZnO纳米同质p-n结阵列，同质结高度一致，性能优异，尺寸均一，分布均匀，有利于提高ZnO纳米器件的特性。