-
公开(公告)号:CN105679560B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201610106138.9
申请日:2016-02-26
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及镀镍石墨烯增强银基电触头材料的制备方法,步骤包括:石墨烯直流磁控溅射镀镍、银镍合金制粉、镀镍石墨烯与银镍合金粉球磨混粉、冷压成型、烧结、加工成型,其中镀镍石墨烯与银镍合金粉重量比为0.1‑3.0:97.0‑99.9。该方法制备的电触头材料,在银镍合金中添加镀镍石墨烯作为增强体,在不降低其导电性、导热性的同时,提高材料的硬度和耐熔焊性。
-
公开(公告)号:CN107034380B
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:CN201710256364.X
申请日:2017-04-19
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米SiC、Yb增强A356.2合金的方法,包括以下步骤:以纳米级的SiC为颗粒增强体,经过超高温氧化处理后,再采用纳米磁控溅射设备,将高纯金属Ti均匀的包裹在氧化处理后的SiC颗粒表面;采用高纯重稀土变质和连续超声辅助熔炼,进一步提高铸造质量。本发明采用自主研发电阻炉支架为辅助设备,使得SiC颗粒处于悬浮状态就得以浇注。此制备方法简单、成本较低,生产周期短,绿色无毒且铸件具有较高的性能,产业化前景良好。
-
公开(公告)号:CN107034380A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710256364.X
申请日:2017-04-19
Applicant: 济南大学
CPC classification number: C22C1/101 , C22B9/026 , C22C1/06 , C22C1/1036 , C22C21/02 , C22C32/0063 , C22C2001/1047 , C22F1/043
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米SiC、Yb增强A356.2合金的方法,包括以下步骤:以纳米级的SiC为颗粒增强体,经过超高温氧化处理后,再采用纳米磁控溅射设备,将高纯金属Ti均匀的包裹在氧化处理后的SiC颗粒表面;采用高纯重稀土变质和连续超声辅助熔炼,进一步提高铸造质量。本发明采用自主研发电阻炉支架为辅助设备,使得SiC颗粒处于悬浮状态就得以浇注。此制备方法简单、成本较低,生产周期短,绿色无毒且铸件具有较高的性能,产业化前景良好。
-
公开(公告)号:CN105551860B
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201610106140.6
申请日:2016-02-26
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及镀镍石墨烯/银镍电触头材料的制备方法,步骤包括:石墨烯直流磁控溅射镀镍、镀镍石墨烯与银粉和镍粉球磨混粉、冷压成型、烧结、加工成型,其中0.1‑5.0wt%镀镍石墨烯,10%‑40wt%镍粉,余量为银粉球磨混粉。该方法制备的电触头材料,通过在银粉、镍粉中加入镀镍石墨烯增强体,在不降低其导电性、导热性的同时,提高银的硬度、耐磨性和抗熔焊性。
-
-
-