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公开(公告)号：CN117233231A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310628741.3
申请日：2023-05-31
Applicant: 济南大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/32 , G01N27/30 , G01N27/36
Abstract: 本发明涉及一种基于Se@Re@BiVO4/Cu2MoS4异质结构建的光电化学传感器的制备方法。本发明以Se@Re@BiVO4/Cu2MoS4作为基底材料增强了光电流响应，Se@Re@BiVO4与Cu2MoS4可以形成了能级匹配的异质结结构，这种异质结结构的形成，能够有效提高光生电子的传递速度，减少电子和空穴的复合率，极大的提高了可见光利用率，Pt八面体的滴加与修饰有巯基的DNA I形成稳定的Pt‑S，使得DNA适配体更好地与基底材料结合同时促进了电子的转移，提高检测灵敏度，实现了对汞离子的灵敏检测，其检测线性范围为0.1 nM~1.0 mM，检测限为8.3 pM。
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公开(公告)号：CN104941696B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510291363.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米TiO2混晶薄膜的制备方法及所得产品，步骤为：采用溶胶-凝胶法制备TiO2胶体，将TiO2胶体采用浸渍提拉法镀在基体上，在镀膜的同时进行多次焙烧，焙烧温度随薄膜厚度的增加而降低，最后一次焙烧后所得的薄膜为纳米TiO2混晶薄膜。本发明所得薄膜为锐钛矿相和金红石相的混晶结构，层与层间存在明显的界面效应，且锐钛矿相含量从基体向表面逐渐增加，呈梯度分布。薄膜的这些特殊的结构特点不仅可促进纳米TiO2混晶薄膜中电子和空穴的有效分离，而且可拓宽薄膜的光响应范围，因而具有优异的光催化性能。
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公开(公告)号：CN104941696A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510291363.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米TiO2混晶薄膜的制备方法及所得产品，步骤为：采用溶胶-凝胶法制备TiO2胶体，将TiO2胶体采用浸渍提拉法镀在基体上，在镀膜的同时进行多次焙烧，焙烧温度随薄膜厚度的增加而降低，最后一次焙烧后所得的薄膜为纳米TiO2混晶薄膜。本发明所得薄膜为锐钛矿相和金红石相的混晶结构，层与层间存在明显的界面效应，且锐钛矿相含量从基体向表面逐渐增加，呈梯度分布。薄膜的这些特殊的结构特点不仅可促进纳米TiO2混晶薄膜中电子和空穴的有效分离，而且可拓宽薄膜的光响应范围，因而具有优异的光催化性能。
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