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公开(公告)号：CN111455453B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010400032.6
申请日：2020-05-13
Abstract: 本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶，将籽晶沿着Z向为提拉方向固定，通过温场设计和功率控制，逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶，该种制备方式相较于传统的制备方式，不仅更加简单，同时，制备的局限性小，可使用的范围也更加大。
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公开(公告)号：CN111575791A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010400009.7
申请日：2020-05-13
Abstract: 本发明公开了一种自泵浦光参量振荡基质晶体，该晶体为将稀土掺杂激光晶体与MgO:PPLN非线性光参量振荡晶体合并形成Re:Mg:LN复合晶体，然后将Re:Mg:LN复合晶体进行铁电畴周期性反转处理制成。本发明的周期极化双掺铌酸锂晶体，将激光晶体和非线性晶体合并成一块多功能复合晶体，简化了中红外激光器的光路，减小了中红外激光器的体积，且既具有MgO:PPLN的非线性光参量振荡的作用，又具有稀土激光晶体的发光特性。
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公开(公告)号：CN118880433A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411118802.2
申请日：2024-08-15
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种用于熔体易挥发的晶体生长装置及方法，包括单晶炉，所述单晶炉由外向内依次包括炉体、保温筒和坩埚，所述保温筒外围设有加热线圈，保温筒顶部设有保温盖板，所述炉体上方设有秤体，秤体通过提拉杆连接有籽晶杆，籽晶杆穿过保温盖板的下种孔伸入坩埚内，炉体内设有通气管和排气管，所述通气管的出气端和排气管的进气端位于下种孔的正上方且在籽晶杆两侧相对设置，所述排气管的出气端和炉体外部连通，通气管的进气端和供气设备连接。本发明通过定位吹排的方法，极大降低了挥发物对籽晶杆和秤体的腐蚀，同时又降低炉体内杂质的产生，极大避免了挥发物对熔体原料和晶体的破坏，改进了熔体法晶体生长环境的稳定性。
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公开(公告)号：CN114920213A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210686584.7
申请日：2022-06-17
Applicant: 济南大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明公开了一种二硒化钨的制备方法，包括：在基底上沉积金属钨得到钨薄膜；将硒粉分散于溶剂中得到含硒分散液，将含硒分散液旋涂于钨薄膜上，干燥后在保护气氛下利用微波活化辅助电阻丝加热，得到基底/二硒化钨薄膜；在基底/二硒化钨薄膜旋涂PDMS溶液，干燥后得到基底/二硒化钨/PDMS薄膜，然后进行碱刻蚀去掉基底，将剩下的二硒化钨/PDMS薄膜转移到目标基底上，用溶剂将PDMS薄膜溶掉，得到二硒化钨薄膜。本发明利用金属薄膜蒸镀‑后续硒化热处理的方法，不但硒分子前驱体与钨金属膜固相反应合成成本低廉，还利用金属薄膜预制层的全覆盖特点，得到全覆盖的少层或多层二硒化钨薄膜，实现高质量晶圆级二硒化钨的大规模生产。
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公开(公告)号：CN111962155B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202010784697.1
申请日：2020-08-06
Abstract: 本发明公开了一种基于介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法，其中提出在周期极化铁电晶体材料的抛光表面首先制备介质层。该介质层是各向同性的透明材料，然后对该透明介质层进行抛光。由于介质层的存在，可以得到特别平整的表面，有利于形成高质量的键合晶体。介质层的厚度相对晶体厚度来说几乎可以忽略不计，不会对晶体的性能尤其是非线性光学性能造成影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113373518A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110804218.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于超大尺寸长等径铌酸锂生长的装置和方法，所述装置包括生长装置与加料装置；生长装置包括第一坩埚及第一保温层；第一保温层和第一坩埚之间设有生长加热器；第一坩埚上方设有可旋转升降的籽晶杆，籽晶杆贯穿第一保温层的顶部；加料装置包括第二坩埚及第二保温层，第二坩埚与第二保温层之间设有化料加热器；第二坩埚的上方设有加料管，加料管穿过第二保温层；第一坩埚的底部通过输料管与第二坩埚的底部连通；输料管的外壁上设有输料加热器。本发明采用化料与生长相分离的方法，通过输料管的热量带入生长区熔体中心使得生长区域温度更均匀，以及及时补充原料的方法，避免了生长界面过冷导致的大尺寸铌酸锂晶体拖尾现象。
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公开(公告)号：CN111455453A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010400032.6
申请日：2020-05-13
Abstract: 本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶，将籽晶沿着Z向为提拉方向固定，通过温场设计和功率控制，逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶，该种制备方式相较于传统的制备方式，不仅更加简单，同时，制备的局限性小，可使用的范围也更加大。
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公开(公告)号：CN115074670B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202210703529.4
申请日：2022-06-21
Applicant: 济南大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/35 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种二硒化钯的制备方法，包括以下步骤：(1)在基底表面进行钯金属镀膜，得到基底/钯薄膜；(2)在基底/钯薄膜的表面旋涂含硒分散液，干燥后在保护气氛中，利用等离子体辅助热退火制备得到二硒化钯薄膜。所述制备方法还包括：将步骤(2)得到的二硒化钯薄膜转移至目标基底的步骤。本发明利用钯薄膜蒸镀‑硒分子涂覆‑加热反应制备二硒化钯薄膜的方法，不但钯金属膜与硒分子膜固相反应制备方法简单直接、生长速率快，而且利用了钯薄膜前驱体的完整涂覆特点，可以得到完整的二硒化钯薄膜，可获取晶圆级二硒化钯的规模化生产。
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公开(公告)号：CN111190024A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010115975.4
申请日：2020-02-25
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了基于柔性非对称薄膜的气体流向和流速的检测装置。所述柔性非对称薄膜正面为蜂窝状多孔结构，反面为平面结构；并给出了柔性非对称薄膜的制备方法。所述检测装置包括柔性非对称薄膜；所述柔性非对称薄膜的正面与带叉指电极的第一柔性薄膜相对放置；所述柔性非对称薄膜的反面与第二柔性薄膜相对放置；所述叉指电极位于柔性非对称薄膜的正面和第一柔性薄膜之间；所述叉指电极的两端分别与第一导线和第二导线连接。本发明的气体流向和流速的检测装置测试气体流速和流向的原理与现有传感器不同，利用非对称薄膜形变方向和形变量所引起的电阻变化，测量气体的流向和流速；利用同一装置可以同时实现流向和流速测定。
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公开(公告)号：CN117729833A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311754538.7
申请日：2023-12-20
Applicant: 济南大学
IPC: H10N15/00 , B23K26/352
Abstract: 本发明公开了一种在空气中实现铌酸锂/钽酸锂晶片热释电压增强的方法。将抛光后的晶片置于空气氛围中，按照设定的图形，使激光聚焦照射铌酸锂/钽酸锂晶片，得到表层被黑化的铌酸锂/钽酸锂晶片。本发明在空气氛围内，采用激光聚焦照射铌酸锂/钽酸锂晶片，能够快速实现铌酸锂/钽酸锂晶片表层氧空位诱导，同时还可以对表层氧空位诱导的区域进行选择，能使晶片具有热释电性能，用于提高热释电传感器的灵敏度。
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