公开(公告)号：CN114920213A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210686584.7

申请日：2022-06-17

Applicant: 济南大学

Inventor： 逄金波 ,  杨嘉丽 ,  孙德辉 ,  刘晓燕 ,  周伟家 ,  刘宏

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明公开了一种二硒化钨的制备方法，包括：在基底上沉积金属钨得到钨薄膜；将硒粉分散于溶剂中得到含硒分散液，将含硒分散液旋涂于钨薄膜上，干燥后在保护气氛下利用微波活化辅助电阻丝加热，得到基底/二硒化钨薄膜；在基底/二硒化钨薄膜旋涂PDMS溶液，干燥后得到基底/二硒化钨/PDMS薄膜，然后进行碱刻蚀去掉基底，将剩下的二硒化钨/PDMS薄膜转移到目标基底上，用溶剂将PDMS薄膜溶掉，得到二硒化钨薄膜。本发明利用金属薄膜蒸镀‑后续硒化热处理的方法，不但硒分子前驱体与钨金属膜固相反应合成成本低廉，还利用金属薄膜预制层的全覆盖特点，得到全覆盖的少层或多层二硒化钨薄膜，实现高质量晶圆级二硒化钨的大规模生产。

公开(公告)号：CN116913762A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310899535.6

申请日：2023-07-21

Applicant: 济南大学

Inventor： 逄金波 ,  杨嘉丽 ,  周伟家 ,  刘瑞 ,  刘宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/388 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明涉及一种基于路易斯酸浓度实现PdSe2的p型掺杂定量方法，包括：在衬底上沉积一层Pd薄膜，然后在Ar/H2气氛下，在管式炉中对Pd薄膜进行后硒化处理形成PdSe2，即得沉积有PdSe2的衬底；配制不同浓度的SnCl4‑乙醇溶液，之后将沉积有PdSe2的衬底分别浸泡在不同SnCl4‑乙醇溶液中，浸泡后取出备用；将样品分别制成晶体管PdSe2，之后测试各晶体管PdSe2的阈值电压；将测得的阈值电压与SnCl4掺杂浓度之间进行线性拟合，得到阈值电压偏移与掺杂浓度的相关方程，利用相关方程反推即实现PdSe2的p型定量掺杂。同时本发明还涉及上述方法在晶体管中的应用。本发明为二维材料的可控掺杂提供了普适性的技术，为助力新一代信息技术所需要的新型p型材料及其电子元器件的发展提供重要基础。