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公开(公告)号：CN113053768A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110264099.6
申请日：2021-03-11
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明提供了一种线宽的测量方法，通过将光刻胶层的显影区域图案转移到测试基材上，进而通过对测试基材进行测量即能完成对显示区域进行测量的目的。并且，由于测试基材覆盖光刻胶层且填充光刻胶层的显影区域的部分的热膨胀系数小于光刻胶层的热膨胀系数，测试基材该部分出现受热形变的情况较小，进而在采用电子显微镜采集测试基材上线宽数据时出现尺寸失真的情况有所改善，亦即改善了对光刻胶层的显影区域的线宽进行测量时出现的尺寸失真的情况，保证线宽的测量准确度高。
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公开(公告)号：CN112541205A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011389935.5
申请日：2020-12-01
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明提供了一种建模方法，包括：获取预设量测图形；在所述预设量测图形的周边设计对准图形，形成具有对准功能的中间量测图形；基于所述中间量测图形进行仿真；获取仿真后图形影像上的轮廓图形；基于所述轮廓图形和所述中间量测图形上的对准图形进行漂移校准；基于校准结果对所述预设量测图形进行模型修正，得到目标建模图形。该建模方法通过在预设量测图形的周边设计对准图形，基于该对准图形进行漂移校准，进而对预设量测图形进行模型修正得到目标建模图形，解决了现有技术中存在漂移的问题。
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公开(公告)号：CN111915624A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010806692.4
申请日：2020-08-12
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明提供一种图形拆分方法及装置，在对图形拆分之前，确认图形中违反拆分规则的区域，拆分规则是根据图形的尺寸和间距确定的，选择包括违反拆分规则的区域进行切割。而后对图形中违反拆分规则之外的其他区域进行拆分。这样，先将违反拆分规则的区域切割成能够拆分的图形，而后对没有违反拆分规则的区域进行拆分，避免在图形拆分中由于违反拆分规则的区域而需要对图形进行多次拆分，提高图形拆分的效率，降低图形拆分的成本。
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公开(公告)号：CN112433442B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011399617.7
申请日：2020-12-01
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本申请提供一种掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质，涉及半导体制程技术领域。本申请通过对待修正掩模版图案中各掩模图案降序地进行对称性能排序，并依次针对得到的图案排序结果中每个图案次序，确定该图案次序处的校验掩模版图案以及包括该图案次序及其以前的掩模图案的漂移校准图案。接着，根据该漂移校准图案在该校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓中的轮廓分布状况，对该真实曝光图形轮廓进行漂移补偿后构建OPC模型，并通过构建的模型输出下一图案次序处的校验掩模版图案，从而实现步进式建模并在每次建模时通过轮廓漂移补偿提升图案矫正精准度，确保最终输出的目标掩模版图案能够达到预期曝光效果。
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公开(公告)号：CN112541205B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202011389935.5
申请日：2020-12-01
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明提供了一种建模方法，包括：获取预设量测图形；在所述预设量测图形的周边设计对准图形，形成具有对准功能的中间量测图形；基于所述中间量测图形进行仿真；获取仿真后图形影像上的轮廓图形；基于所述轮廓图形和所述中间量测图形上的对准图形进行漂移校准；基于校准结果对所述预设量测图形进行模型修正，得到目标建模图形。该建模方法通过在预设量测图形的周边设计对准图形，基于该对准图形进行漂移校准，进而对预设量测图形进行模型修正得到目标建模图形，解决了现有技术中存在漂移的问题。
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公开(公告)号：CN112925172A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110083384.8
申请日：2021-01-21
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明提供了一种光刻胶层的形貌检测方法及系统，包括：提供待测样品，所述待测样品包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧上的光刻胶层，所述光刻胶层包括待检测区；对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理；沿裂片线对所述待测样品进行裂片，裸露所述光刻胶层在所述待测区的截面，其中，所述待检测区位于所述裂片线的延伸路径上；对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在对待测样品进行裂片前，对光刻胶层的待检测区进行了冷脆处理，进而能够降低光刻胶层的待检测区处的截面在裂片时发生形变的情况，保证对光刻胶层在待检测区的截面处形貌检测的准确性高。
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公开(公告)号：CN112749424B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110049978.7
申请日：2021-01-14
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种光刻胶的轮廓三维建模方法、系统和可读存储介质，涉及半导体技术领域。光刻胶的轮廓三维建模方法包括：多次收集规律图型在多个位置的光刻胶轮廓；将光刻胶轮廓重叠在一起，形成复数轮廓；获取复数轮廓的白边宽度和差异量；根据白边宽度和差异量，建立光刻胶三维模型。这样，可以从复数轮廓的灰阶图像中获取白边宽度和差异量，根据白边宽度和差异量，即可得出光刻胶侧墙的三维尺寸信息，从而建立光刻胶三维模型，不需要再单独调整系统参数来收集光刻胶侧墙的三维尺寸信息，能够显著提高建模效率和精度。而且，建立的光刻胶三维模型能够用于预测其它图型中光刻胶的三维尺寸。
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公开(公告)号：CN113066724B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110275282.6
申请日：2021-03-15
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，对至少一个所述第二光刻胶层进行曝光显影，以在所述第二光刻胶层上形成第三沟槽，所有所述第三沟槽沿所述第一方向排列；其中，在所述第一方向上，所述第三沟槽的宽度与所述第一光刻胶层在所述第一沟槽侧边所有实体部的宽度相同；以及，在所述第一方向上，所述第二光刻胶层在所述第三沟槽侧边的实体部的宽度相同或不同。进而，在去除牺牲层后以第二光刻胶层为掩膜制作鳍部，使得制作出的所有鳍部之间间距相同，且所有鳍部的线宽相同或至少一个鳍部的线宽与其余鳍部的线宽不同。由此优化鳍式场效应晶体管的制作工艺，进而使得鳍式场效应晶体管的鳍部的线宽可调。
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公开(公告)号：CN112925172B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110083384.8
申请日：2021-01-21
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明提供了一种光刻胶层的形貌检测方法及系统，包括：提供待测样品，所述待测样品包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧上的光刻胶层，所述光刻胶层包括待检测区；对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理；沿裂片线对所述待测样品进行裂片，裸露所述光刻胶层在所述待测区的截面，其中，所述待检测区位于所述裂片线的延伸路径上；对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在对待测样品进行裂片前，对光刻胶层的待检测区进行了冷脆处理，进而能够降低光刻胶层的待检测区处的截面在裂片时发生形变的情况，保证对光刻胶层在待检测区的截面处形貌检测的准确性高。
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公开(公告)号：CN113970875A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010709933.3
申请日：2020-07-22
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： G03F1/38
摘要： 本发明提供了一种光掩模及其制作方法，光掩模包括主图形和至少一个散射条图形，由于所述散射条图形包括多个间隔设置的子散射条图形，且所述多个子散射条图形依次排列在所述主图形的一侧，因此，即便增大子散射条图形在垂直于其排列方向的方向上的宽度，散射条图形也不会随主图形一同被刻蚀出，从而可以通过增大子散射条图形在垂直于其排列方向的方向上的宽度，增大主图形的聚焦深度，提高其工艺窗口的质量。
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