公开(公告)号：CN119551989A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411759528.7

申请日：2024-12-03

Applicant: 河南省科学院碳基复合材料研究院 ,  中国矿业大学

Inventor： 任宣儒 ,  陈跃星 ,  吉祥 ,  冯培忠 ,  徐磊华 ,  赵俊 ,  陈龙 ,  何昌林

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622 ,  C04B35/66

Abstract: 本发明涉及超高温陶瓷涂层前驱粉体领域，具体是一种ZrB2‑SiC‑ZrSix梯度化超高温陶瓷涂层前驱粉体的制备方法。本发明首先以Zr、B4C、Si为原料，按比例混合后压块。将压块材料放入燃烧合成炉中，在真空环境中启动燃烧合成反应。待燃烧合成反应完毕后，取出产物，经二次破碎后得到ZrB2‑SiC‑ZrSix梯度化超高温陶瓷涂层前驱粉体。本发明避免了传统合金化体系组元与石墨基体的热膨胀系数差异较大引起的高温开裂问题。本发明克服了传统SiC基体系难以合金化的难题，并协同不定型过金属硅化物ZrSix的合金化复合，具有利用粉体的复相合金化实现高阻氧强化的优势。

公开(公告)号：CN119569468A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411758801.4

申请日：2024-12-03

Applicant: 河南省科学院碳基复合材料研究院

Inventor： 吉祥 ,  任宣儒 ,  陈跃星 ,  王佩佩 ,  何昌林 ,  陈龙 ,  石大林

IPC: C04B35/66 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明涉及航空航天结构新材料领域，具体是一种碳基结构材料表面疏松化原位快速自修复SiC‑HfSi2‑HfB2涂层及其制备方法，本发明涂层的原子桥连方式为Si‑Hf‑B。制作方法包括配置并均匀混合Hf、B、Si单质，利用自蔓延燃烧法制备HfSi2‑HfB2复合粉体，混合SiC粉，低温热压技术进行在碳基体表面进行涂层致密化处理以及表面打磨。本发明的涂层采用Si‑Hf‑B的桥连方式。相较于现有技术中存在的硼化物与硅化物组分的分离化分布导致修复过程时效性差的缺陷，本发明可以有效缩短Si元素对于Hf氧化疏松化的修复路径，实现针对Hf氧化疏松化的原位修复效果，且修复时效快，效果显著。经对照实验验证，本发明的氧化增重曲线拟合数据显著降低，具有提高修复效率、增强动态氧阻隔能力的效果。