一种双相镶嵌中熵氧化物的抗烧蚀陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN118851753A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410849658.3

    申请日:2024-06-27

    Abstract: 本发明涉及一种双相镶嵌中熵氧化物的抗烧蚀陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料技术领域,该方法首先采用高温热处理制得不同比例的双相中熵氧化物陶瓷粉体((Hf,Zr,Ti)O2和(Hf,Zr)TiO4),然后借助无压烧结制备复相镶嵌结构陶瓷。该方法不仅为Hf‑Zr‑Ti基多元超高温陶瓷最优抗循环烧蚀性能成分设计提供了理论基础,所制备的陶瓷粉体还可为其以后在基体改性和涂层制备的应用奠定物质基础。此外,无压烧结制备双相镶嵌中熵氧化物抗烧蚀陶瓷块体可实现低成本、大规模的生产。该工艺不仅可实现低成本、大规模的生产,还可获得均匀分布的双相中熵氧化物,充分发挥多元氧化物间的相互协同作用,同步提升陶瓷块体抵抗循环热冲击和抗烧蚀性能。

    一种表面具有长寿命超高温微烧蚀(Hf-Zr-Ta)C固溶体陶瓷涂层的碳基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118420381A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410620150.6

    申请日:2024-05-20

    Abstract: 本发明公开了一种表面具有长寿命超高温微烧蚀(Hf‑Zr‑Ta)C固溶体陶瓷涂层的碳基复合材料及其制备方法,碳基复合材料包括基体和涂层,其方法包括采用包埋熔渗法在碳基复合材料表面制备了SiC过渡层,然后采用SAPS在SiC过渡层上制备了(Hf‑Zr‑Ta)C固溶体陶瓷涂层;本发明采用SAPS在包覆有SiC过渡层的碳基复合材料表面制备出(Hf‑Zr‑Ta)C固溶体陶瓷涂层;(Hf‑Zr‑Ta)C在烧蚀环境下形成由高熔点(Hf,Zr)O2和低氧扩散系数(Hf,Zr)6Ta2O17组成的复合氧化物,不仅能抵抗高速气流的冲刷,而且能阻碍氧气向涂层内部的扩散;另外,在冷却过程中,(Hf,Zr)O2和Ta为主的熔融氧化物向(Hf,Zr)6Ta2O17的包晶转变抵消了t‑(Hf,Zr)O2到m‑(Hf,Zr)O2的相变引发的体积膨胀,减少了涂层中裂纹的萌生和扩展。致密、稳定的氧化层使得(Hf‑Zr‑Ta)C固溶体陶瓷涂层表现出优异的抗烧蚀性能。

    一种碳基复合材料表面耐高温氧化SiC/SiC-CrSi2-ZrB2复合涂层及制备方法

    公开(公告)号:CN119569481A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411777025.2

    申请日:2024-12-05

    Abstract: 本发明涉及碳基复合材料抗氧化技术领域,具体为一种碳基复合材料表面耐高温氧化SiC/SiC‑CrSi2‑ZrB2复合涂层及制备方法。首先采用化学气相渗透法在碳基复合材料表面沉积一层热解碳。其次采用浆料涂刷结合热处理制备了带有纳米线的SiC多孔层。最后以Si、C、Cr、ZrB2为原料,采用包埋熔渗法在上述基础上获得SiC/SiC‑CrSi2‑ZrB2涂层。本发明可以有效提高材料的弯曲强度,并且Cr和Zr原子能够以共掺杂形式共同稳定存在于SiO2晶格结构,提高了SiO2晶格界面间的结合力。此外,高熔点的ZrO2和Cr2O3作为“钉住相”,抑制微裂纹的产生和扩展。氧化后形成的复合玻璃层具有较高的高温稳定性、较低的氧扩散速率以及自愈合能力,能够为碳基复合材料提供长时间的氧化防护。

    一种一步制备SiC纳米线与超高温陶瓷协同改性碳基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN119409517A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411572668.3

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种一步制备SiC纳米线与超高温陶瓷协同改性碳基复合材料的方法。本发明在低密度C/C上下均匀铺设一定质量的加入催化剂的硅化物粉料,然后置于SPS炉中,按照设定程序进行高温热处理,然后经表面处理后得到产品。本方法可通过一步法制备出SiC纳米线与超高温陶瓷协同改性碳基复合材料,利用低熔点相硅化物促进熔渗的同时原位生成SiC纳米线/颗粒和碳化物超高温陶瓷相,仅需一步即可同时引入纳米增强体和抗氧化/烧蚀组元,能够实现碳基复合材料力学和抗氧化/烧蚀性能的同步提升,该方法制备周期仅需1~2小时,有效降低了实验成本,可实现改性组元的高通量快速筛选。

    一种快速制备小直径纳米级SiC短纤维的方法

    公开(公告)号:CN119100391A

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202411442480.7

    申请日:2024-10-16

    Abstract: 本发明涉及纳米技术领域,公开了一种快速制备小直径纳米级SiC短纤维的方法,包括以下步骤:将硅粉和无定型碳混合均匀然后置于碳载体容器内;然后将盛有粉体的碳载体放置于样品架上,抽真空然后充入保护气体;随后调节电压加热至目标温度,保温一段时间,随后待其冷却,得到所述的小直径纳米级SiC短纤维。本发明与现有技术相比的优点在于:原材料廉价易得,在极短时间内实现小直径、表面光滑的SiC短纤维的制备。本发明的技术方案不仅大幅缩短了制备时间,降低了能耗和设备成本。所得到的小直径纳米级SiC短纤维表面光滑,直径小于500nm,具有显著的尺寸均匀性,有望应用于高性能复合材料等领域。

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