一种杂化纳米金刚石的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN112808259A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202110109817.2

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本发明提供了一种杂化纳米金刚石的制备方法及其应用,步骤如下:(1)将纳米金刚石酸洗提纯;(2)将酸洗提纯后的纳米金刚石置于管式炉中,氩气气氛下加热煅烧,自然冷却至室温;(3)将步骤(2)管式炉气氛改为氢气,再次加热煅烧,自然冷却至室温得到杂化纳米金刚石。本发明通过结构优化,制备新颖高效的杂化纳米金刚石材料,使其具有较高的光催化活性,具有较大的研究意义。本发明制备的杂化纳米金刚石中的sp2碳的比例明显升高。与未处理的纳米金刚石相比,在模拟太阳光(AM1.5)辐照下,杂化纳米金刚石的光催化降解罗丹明B(RhB)活性明显提高。而且具有较好的循环稳定性。

    钠离子电池过渡金属磷化物负极的改性方法

    公开(公告)号:CN118899406A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410829907.2

    申请日:2024-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种钠离子电池过渡金属磷化物负极的改性方法,利用具有稳定二维层状结构的MXene相材料提供有效的活性位点,限域过渡金属磷化物的生长;所述过渡金属磷化物是包含磷和过渡金属的化合物,其表达式为MP;其中M是指铁或钴或镍,P指磷;所述MXene相的化学通式为Mn+1XnTx,其中1≤n≤3;M代表过渡金属,采用钛或钼或铌等;X代表C或N元素,Tx是表面官能团,Tx为‑OH或‑O。过渡金属磷化物通过溶剂热法原位生长在MXene相的层间域。本发明通过调控MXene相的层间距,为过渡金属磷化物的原位生长提供活性位点,使过渡金属与柔性官能团形成化学键合作用,实现对过渡金属磷化物的限域,避免过渡金属磷化物在嵌钠/脱钠的过程中发生转化反应或合金化反应,而是发生高度可逆的赝电容反应,解决了过渡金属磷化物因体积效应带来的界面问题,提升电极材料的循环稳定性和电化学性能。

    一种白光发射的铈基金属-有机框架材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116574272A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310690699.8

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 本发明属于发光材料技术领域,涉及一种白光发射的铈基金属‑有机框架及其制备方法和应用,以解决传统白光LED需要利用多金属复合或多基质复合并经高温烧结才能制得多色荧光粉并需要搭配相应的LED芯片才能发射白光以及相应的制备条件复杂、成本高的问题。将4,4'‑(1H‑吡唑‑1,3‑二基)二苯甲酸加入N,N‑二甲基甲酰胺中;将铈盐加入到水中;然后将上述两种溶液混合之后再加入硝酸,水热反应,得到白光发射的铈基金属‑有机框架材料。本发明公开的制备方法简单,产率较高(≥82%)。制得的铈基金属‑有机框架材料可以实现单一基质、单一金属离子的全光谱白光发射,其发光色坐标值接近白光发射区域(0.33,0.33)。

    一种三明治多层高熵无铅电介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN119462080A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411646319.1

    申请日:2024-11-18

    Abstract: 本发明提出了一种三明治多层高熵无铅电介质材料及其制备方法,属于储能陶瓷的技术领域,用以解决多层陶瓷烧结不致密、耐击穿场强不高、储能性能较低的技术问题。本发明三明治多层高熵无铅电介质材料包括上下介质层和中间的高熵介电陶瓷层;所述上下介质层的材料均为Mg2SiO4,高熵介电陶瓷层的材料为Ba0.2Sr0.2Na0.2Bi0.2Ca0.2Ti0.25Nb0.25Zr0.25Mg0.25O3。本发明制备的三明治多层高熵无铅电介质材料具有较高的致密度,具有较高的耐击穿场强和较高的介电性能、储能密度及良好的放电效率,耐击穿场强达1200kV/cm,最大储能密度达6J/cm3,同时具有较好的温度稳定性。该方法具有简单易行、成本低、方便快速、可大规模化生产等优点。

    一种高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN119430929A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411817919.X

    申请日:2024-12-11

    Abstract: 本发明提出了一种高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料的技术领域,用以解决储能陶瓷耐击穿场强和储能密度低的技术问题。本发明采用B位离子掺杂结合第二相复合的方法提升铌酸银陶瓷的储能性能,首先通过微波水热反应法制备AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3和ZrSiO4纳米粉体,利用震荡压力烧结法获得AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷。本发明制备的高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷具有较高的耐击穿场强和较高的介电性能、储能密度及良好的放电效率,耐击穿场强达750kV/cm,最大储能密度达7.73J/cm3,同时具有较好的温度稳定性。该方法制备的AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷具有成本低、纳米级颗粒、储能性能优异等优点,适合大规模生产,在脉冲功率储能电容器展现出良好的应用前景。

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