公开(公告)号：CN120058363A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510230877.8

申请日：2025-02-28

Applicant: 河南工程学院

Inventor： 王娇 ,  陈铃 ,  刘少辉 ,  王振领 ,  岳丹 ,  唐仲丰 ,  郝好山 ,  赵霞 ,  李龙 ,  白旭春 ,  刘兴博

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/624 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明提出了一种高储能密度铌酸锶钡钙/CaAl2Si2O8电介质复合陶瓷及其制备方法，属于复合陶瓷材料技术领域，针对复合陶瓷储能密度低的技术难题。本发明利用高熵陶瓷结合第二相复合技术来增强铌酸锶钡钙电介质陶瓷的储能特性，首先通过微波溶胶凝胶法制备Sr1/3Ba1/3Ca1/3Nb1‑0.2xZr0.2xMg0.2xTi0.2xHf0.2xTa0.2xO3纳米粉体，利用放电等离子烧结法制备铌酸锶钡钙/CaAl2Si2O8电介质复合陶瓷。本发明制备的复合电介质陶瓷具有较高的耐击穿场强和较高的介电性能、储能密度及良好的放电效率，耐击穿场强达850kV/cm，最大储能密度达8.23J/cm3。

公开(公告)号：CN119430929A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411817919.X

申请日：2024-12-11

Applicant: 河南工程学院

Inventor： 王振领 ,  王娇 ,  刘少辉 ,  陈铃 ,  岳丹 ,  唐仲丰 ,  郝好山 ,  赵霞

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提出了一种高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料的技术领域，用以解决储能陶瓷耐击穿场强和储能密度低的技术问题。本发明采用B位离子掺杂结合第二相复合的方法提升铌酸银陶瓷的储能性能，首先通过微波水热反应法制备AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3和ZrSiO4纳米粉体，利用震荡压力烧结法获得AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷。本发明制备的高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷具有较高的耐击穿场强和较高的介电性能、储能密度及良好的放电效率，耐击穿场强达750kV/cm，最大储能密度达7.73J/cm3，同时具有较好的温度稳定性。该方法制备的AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷具有成本低、纳米级颗粒、储能性能优异等优点，适合大规模生产，在脉冲功率储能电容器展现出良好的应用前景。