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公开(公告)号：CN103590103A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310505537.9
申请日：2013-10-24
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多晶硅铸锭炉氩气导流系统及其导流方法，包括氩气进口直管、石墨坩埚和盖板，石墨坩埚的开口边缘开有凹槽，顶部盖板上绕氩气进口直管对称分布盖板排气口，氩气进口直管出口端与喇叭形进口管的进口端连接，氩气进口直管出口端侧壁上对称分布有出口气孔，喇叭形进口管的出口端与喷淋式进口管的进口端连接，喷淋式进口管为有底管，喷淋式进口管的底部对称分布有底部气孔，喷淋式进口管的侧壁上对称开有侧壁气孔。使用该系统时，针对熔料、生长和收尾的不同阶段，控制氩气进口直管的上下不同位置，从而能够优化氩气流动，降低晶体硅中的氧碳含量，同时方便地控制晶体硅和熔体硅的轴向温度梯度。
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公开(公告)号：CN101701333B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200910232921.X
申请日：2009-10-09
Applicant: 江苏大学
Inventor： 左然
IPC: C23C16/44
Abstract: 一种矩形化学气相沉积反应器，涉及半导体和光电薄膜化学气相沉积技术领域。其特征在于：将传统的圆柱形反应腔改为长方体或正方体反应腔，将旋转的圆形托盘改为来回移动的矩形托盘，将圆形喷淋头改为若干条平行的下端开有密布小喷孔的喷淋管。生长时，反应气体从喷淋管下方的小喷孔均匀喷向下方的晶片，反应后的气体从喷淋管的两侧向上返回，一直到上方的出口排出。由于每个喷孔下方的气流都为独立的滞止流，而与周围环境无关，通过矩形托盘的来回往复移动，使得晶片上的每一点轮流受到同样浓度的气流喷射，从而实现均匀的薄膜生长。
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公开(公告)号：CN102162123A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110081268.9
申请日：2011-04-01
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种半导体材料生长设备，具体为一种用于半导体单晶生长的直拉型单晶炉。本发明利用热屏的向下移动替代坩埚的向上运动，使坩埚只有旋转而不再上升，减少了一个自由度，降低了系统的复杂性；采用分别位于坩埚底部和侧面的双加热器，针对晶体生长的不同阶段分别控制，使晶体和熔体的温度梯度控制更加方便；坩埚与加热器的相对位置保持平行且不变，加热器的热辐射直接烘烤坩埚，与传统单晶炉中坩埚不断远离加热区域相比，传热效率大大提高；导流筒引导氩气对晶体强化换热，抑制了熔体上方的氩气对流涡旋，有利于减少晶体中的杂质和微缺陷，并降低氩气消耗量。
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公开(公告)号：CN103590103B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310505537.9
申请日：2013-10-24
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多晶硅铸锭炉氩气导流系统及其导流方法，包括氩气进口直管、石墨坩埚和盖板，石墨坩埚的开口边缘开有凹槽，顶部盖板上绕氩气进口直管对称分布盖板排气口，氩气进口直管出口端与喇叭形进口管的进口端连接，氩气进口直管出口端侧壁上对称分布有出口气孔，喇叭形进口管的出口端与喷淋式进口管的进口端连接，喷淋式进口管为有底管，喷淋式进口管的底部对称分布有底部气孔，喷淋式进口管的侧壁上对称开有侧壁气孔。使用该系统时，针对熔料、生长和收尾的不同阶段，控制氩气进口直管的上下不同位置，从而能够优化氩气流动，降低晶体硅中的氧碳含量，同时方便地控制晶体硅和熔体硅的轴向温度梯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101560650B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910027837.4
申请日：2009-05-15
Applicant: 江苏大学
Inventor： 左然
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及化学气相沉积，公开了一种多喷淋头的化学气相沉积反应室结构。其特征为：反应室为圆柱形腔体，反应室下部为一整体石墨托盘，托盘上可放置多达几十片待镀的晶片(直径2英寸或4英寸均可)，托盘下方为电阻加热器。反应室上部有多个均匀分布、尺寸比晶片略大的喷淋头，喷淋头由密布的微喷孔和下方的导流管组成。每个导流管对准一个晶片，即喷淋头数与晶片数相等。反应气体从喷淋头喷向正对的晶片，形成滞止流，反应后的气体折转180度，从各喷淋头的周围向上返回，一直到上方的出口排出。由于每个晶片上方的气流都为独立的滞止流，与周围环境无关，通过调节喷淋头的高度和气体进口速度、压强等参数，可以实现薄膜的多片式均匀生长。
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公开(公告)号：CN101314844A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810122991.5
申请日：2008-06-20
Applicant: 江苏大学
IPC: C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种水平切向进口、中心垂直出口的MOCVD反应室。其特征为：反应室为圆柱形腔体，反应室内有水平旋转托盘，气体进口沿周向均匀布置在反应室侧壁上，尾气出口位于反应室的中心轴线上。反应气体沿切向喷入反应室，在反应室侧壁的约束下，气体在基片上方的平行平面内逐渐旋转和加速。通过调节喷管的角度和气体进口速度、压强等操作参数，在反应室内得到人为可控的螺旋流动，从而控制反应物浓度从边缘到中心均匀分布，实现薄膜的均匀生长。
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公开(公告)号：CN1712861A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510040068.3
申请日：2005-05-18
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种结合储热材料的太阳能空气集热器，它是在传统的平板式空气集热器的吸热板与底板之间，填充储热材料，利用储热材料来吸收和储存多余的太阳能热量。储热材料封装在金属容器内，避免了储热材料吸热融化后的泄漏和变形。本发明减小了太阳能空气集热器的热量损失，提高了热效率，并使太阳能空气集热器自身具备了储热功能。可方便地置于屋顶上或院子里，获得太阳热能。还可在白天太阳能充足时，将多余热量储存起来，供夜间使用。
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公开(公告)号：CN103628127A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310605437.3
申请日：2013-11-26
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种定向凝固法准单晶硅生长炉及准单晶硅的生长方法，包括石英坩埚、石墨坩埚、DS块和氩气冷却进口管，石英坩埚内底部开若干籽晶凹槽，在DS块上开氩气冷却孔和氩气流道，该流道最终使氩气沿DS块的四周流入炉体，底部氩气冷却进口管构成底部氩气强制冷却系统。使用该系统时，针对熔料、生长和收尾的不同阶段，控制底部氩气冷却进口管的氩气流量，从而控制籽晶的熔接、固液界面保持水平并略凸以及晶体硅和熔体硅的轴向温度梯度。与现有准单晶生长方法中籽晶铺满石英坩埚底部相比，籽晶用量大大减少，节约成本，准单晶硅的单晶率可达95%以上，大大提高了太阳光伏电池的效率。
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公开(公告)号：CN101701333A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910232921.X
申请日：2009-10-09
Applicant: 江苏大学
Inventor： 左然
IPC: C23C16/44
Abstract: 一种矩形化学气相沉积反应器，涉及半导体和光电薄膜化学气相沉积技术领域。其特征在于：将传统的圆柱形反应腔改为长方体或正方体反应腔，将旋转的圆形托盘改为来回移动的矩形托盘，将圆形喷淋头改为若干条平行的下端开有密布小喷孔的喷淋管。生长时，反应气体从喷淋管下方的小喷孔均匀喷向下方的晶片，反应后的气体从喷淋管的两侧向上返回，一直到上方的出口排出。由于每个喷孔下方的气流都为独立的滞止流，而与周围环境无关，通过矩形托盘的来回往复移动，使得晶片上的每一点轮流受到同样浓度的气流喷射，从而实现均匀的薄膜生长。
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