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公开(公告)号：CN103590103A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310505537.9
申请日：2013-10-24
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多晶硅铸锭炉氩气导流系统及其导流方法，包括氩气进口直管、石墨坩埚和盖板，石墨坩埚的开口边缘开有凹槽，顶部盖板上绕氩气进口直管对称分布盖板排气口，氩气进口直管出口端与喇叭形进口管的进口端连接，氩气进口直管出口端侧壁上对称分布有出口气孔，喇叭形进口管的出口端与喷淋式进口管的进口端连接，喷淋式进口管为有底管，喷淋式进口管的底部对称分布有底部气孔，喷淋式进口管的侧壁上对称开有侧壁气孔。使用该系统时，针对熔料、生长和收尾的不同阶段，控制氩气进口直管的上下不同位置，从而能够优化氩气流动，降低晶体硅中的氧碳含量，同时方便地控制晶体硅和熔体硅的轴向温度梯度。
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公开(公告)号：CN112725885B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202011525157.8
申请日：2020-12-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅夹持爪装置，包括伸缩杆，内层套筒，电动推拉机构，外层套筒，连接部及夹持爪机构；电动推拉机构包括电机和推拉杆，通过螺栓固定在内层套筒上；夹持爪机构包括第一联动杆、第二联动杆及弯爪；使用该装置时需将单晶硅棒拉制出腰部，控制电动推拉机构推动外层套筒向下移动，带动联动杆使弯爪向内合拢，弯爪底部的刻纹斜面紧贴硅棒腰部斜面，可抓紧单晶硅棒边防止相对滑动，之后松弛提拉线，夹持爪装置可代替提拉线工作。本发明能解决目前传统提拉机构难以提拉承载超重单晶硅棒的不足，具强度大，装载可靠稳定等优点，可夹持超重单晶硅棒并防止细颈断裂。
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公开(公告)号：CN112725885A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011525157.8
申请日：2020-12-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅夹持爪装置，包括伸缩杆，内层套筒，电动推拉机构，外层套筒，连接部及夹持爪机构；电动推拉机构包括电机和推拉杆，通过螺栓固定在内层套筒上；夹持爪机构包括第一联动杆、第二联动杆及弯爪；使用该装置时需将单晶硅棒拉制出腰部，控制电动推拉机构推动外层套筒向下移动，带动联动杆使弯爪向内合拢，弯爪底部的刻纹斜面紧贴硅棒腰部斜面，可抓紧单晶硅棒边防止相对滑动，之后松弛提拉线，夹持爪装置可代替提拉线工作。本发明能解决目前传统提拉机构难以提拉承载超重单晶硅棒的不足，具强度大，装载可靠稳定等优点，可夹持超重单晶硅棒并防止细颈断裂。
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公开(公告)号：CN102162123B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110081268.9
申请日：2011-04-01
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种半导体材料生长设备，具体为一种用于半导体单晶生长的直拉型单晶炉。本发明利用热屏的向下移动替代坩埚的向上运动，使坩埚只有旋转而不再上升，减少了一个自由度，降低了系统的复杂性；采用分别位于坩埚底部和侧面的双加热器，针对晶体生长的不同阶段分别控制，使晶体和熔体的温度梯度控制更加方便；坩埚与加热器的相对位置保持平行且不变，加热器的热辐射直接烘烤坩埚，与传统单晶炉中坩埚不断远离加热区域相比，传热效率大大提高；导流筒引导氩气对晶体强化换热，抑制了熔体上方的氩气对流涡旋，有利于减少晶体中的杂质和微缺陷，并降低氩气消耗量。
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公开(公告)号：CN101411293A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810236220.9
申请日：2008-11-18
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02A40/266 , Y02A40/268 , Y02E10/44 , Y02P60/124 , Y02P60/147
Abstract: 本发明涉及一种利用太阳能的农业温室，特别是一种集主动式太阳能空气集热与土壤蓄热为一体的温室加热系统。该系统是由太阳能空气集热器、风机、地下埋管和土壤构成，太阳能空气集热器固定在温室外，与地下埋管相连通；地下埋管设置在温室下方的土壤中，地下埋管有两个伸出地面的端口，其中一端连接风机，另一端为自由开闭端。本发明的主动式太阳能温室集热储热系统与现有技术相比，具有环保节能，热效率高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112725879A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011523381.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种可提拉的直拉法单晶硅夹持机构及工作方法，主要包括电动推杆、单晶硅棒、电动滑块、夹持环机构、电动导轨、凸轴；炉壳上部设有套筒，所述凸轴设于所述电动导轨上部，所述电动推杆与所述凸轴通过螺纹连接；所述电动滑块一侧存在双层凹槽；所述夹持环机构分为夹持基座和夹持环，所述夹持基座侧部的旋块与双层凹槽嵌入配合；所述夹持环设有滚轮，两个夹持环通过插柱与凹槽配合对接。使用该装置时需将硅棒拉制出腰部，电动推杆推动凸轴，带动电动导轨从两侧向中心移动，使夹持环机构夹持住腰部，防止硅棒晃动，同时协助提拉线提拉，降低负载，并防止因单晶硅棒重量过大导致细颈断裂，有利于减小安全隐患并提升单晶硅质量。
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公开(公告)号：CN103590103B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310505537.9
申请日：2013-10-24
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多晶硅铸锭炉氩气导流系统及其导流方法，包括氩气进口直管、石墨坩埚和盖板，石墨坩埚的开口边缘开有凹槽，顶部盖板上绕氩气进口直管对称分布盖板排气口，氩气进口直管出口端与喇叭形进口管的进口端连接，氩气进口直管出口端侧壁上对称分布有出口气孔，喇叭形进口管的出口端与喷淋式进口管的进口端连接，喷淋式进口管为有底管，喷淋式进口管的底部对称分布有底部气孔，喷淋式进口管的侧壁上对称开有侧壁气孔。使用该系统时，针对熔料、生长和收尾的不同阶段，控制氩气进口直管的上下不同位置，从而能够优化氩气流动，降低晶体硅中的氧碳含量，同时方便地控制晶体硅和熔体硅的轴向温度梯度。
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公开(公告)号：CN112725879B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011523381.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种可提拉的直拉法单晶硅夹持机构及工作方法，主要包括电动推杆、单晶硅棒、电动滑块、夹持环机构、电动导轨、凸轴；炉壳上部设有套筒，所述凸轴设于所述电动导轨上部，所述电动推杆与所述凸轴通过螺纹连接；所述电动滑块一侧存在双层凹槽；所述夹持环机构分为夹持基座和夹持环，所述夹持基座侧部的旋块与双层凹槽嵌入配合；所述夹持环设有滚轮，两个夹持环通过插柱与凹槽配合对接。使用该装置时需将硅棒拉制出腰部，电动推杆推动凸轴，带动电动导轨从两侧向中心移动，使夹持环机构夹持住腰部，防止硅棒晃动，同时协助提拉线提拉，降低负载，并防止因单晶硅棒重量过大导致细颈断裂，有利于减小安全隐患并提升单晶硅质量。
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公开(公告)号：CN111041554B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010047321.2
申请日：2020-01-16
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种用于晶硅铸锭炉的载气导流装置及其导流方法，主要包括导流套筒、外导流管和内导流管；所述导流套筒上端和顶部隔热笼上方进气管接头螺纹连接，导流套筒内壁设置周向均匀分布的内壁凸台，导流套筒下端设置密封管；所述外导流管外壁设置周向均匀分布的外壁凸台，下端设置侧部喷管和侧流底座，外导流管通过外壁凸台挂靠在导流套筒的内壁凸台上；所述内导流管上端和牵引装置连接，下端设置底部喷管，内导流直管和底部喷管连接处设置支撑台；使用该系统时，针对不同生长阶段，独立控制内导流管和外导流管载气流量及出流位置，从而在加速熔体自由表面杂质蒸发的同时，抑制载气回流和化学反应，最终降低铸锭中的氧碳含量。
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公开(公告)号：CN102162123A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110081268.9
申请日：2011-04-01
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种半导体材料生长设备，具体为一种用于半导体单晶生长的直拉型单晶炉。本发明利用热屏的向下移动替代坩埚的向上运动，使坩埚只有旋转而不再上升，减少了一个自由度，降低了系统的复杂性；采用分别位于坩埚底部和侧面的双加热器，针对晶体生长的不同阶段分别控制，使晶体和熔体的温度梯度控制更加方便；坩埚与加热器的相对位置保持平行且不变，加热器的热辐射直接烘烤坩埚，与传统单晶炉中坩埚不断远离加热区域相比，传热效率大大提高；导流筒引导氩气对晶体强化换热，抑制了熔体上方的氩气对流涡旋，有利于减少晶体中的杂质和微缺陷，并降低氩气消耗量。
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