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公开(公告)号：CN111189486B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010103958.9
申请日：2020-02-20
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及半导体传感器技术领域，尤其为一种垂直片状结构半导体传感器保护装置，包括框架和传感器本体，所述传感器本体的外侧设有框架，所述框架的后端面内侧螺纹连接有螺丝钉，所述螺丝钉的外侧设有固定板，所述固定板的一端固定连接有连接板，所述连接板的内侧设有限位杆，位于左端面的所述连接板的内侧设有螺纹杆，位于右端面的所述连接板的内侧设有套管，所述螺纹杆和套管的一端均固定连接有挡板，所述挡板的另一端固定连接有转盘，所述框架的内侧固定连接有第一弹簧，通过设置的第一弹簧和防护角，能够对传感器本体进行缓冲，有利于对传感器本体进行防护，便于对传感器本体进行使用，有效的提高了传感器本体的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117811321A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311665019.3
申请日：2023-12-06
Applicant: 江南大学
IPC: H02M1/08 , H02M1/00 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC‑MOSFET的自举式无源钳位驱动电路，属于第三代宽禁带半导体碳化硅器件的驱动技术领域。该电路使用无源组件以控制简化驱动器，通过设置正负串扰抑制电路在电路工作的不同阶段提供不同的电流通路实现同时对正向串扰和反向串扰的抑制作用；该电路还通过在自举电路中设置自举充放电电荷收集电容C1，正负串扰抑制电路中设置栅极电荷平衡电容C2，在SiC‑MOSFET开关导通期间对其寄生电容Cgs进行电荷充放，以此来平衡其在栅极处积累的多余的电荷，并将其多余的电荷收集至C1中，形成三个电容存储和收集电荷相互平衡的状态，提高电荷在栅极回路中的利用率，进而提高驱动的效率。
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公开(公告)号：CN115650297B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211404233.9
申请日：2022-11-10
Applicant: 江南大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本文公开了一种二维MoS2枝晶的大面积可控制备方法，属于二维材料制备领域。所述二维MoS2枝晶呈现星星、雪花或树枝状形态，有大量的MO边缘活性位点，具有更高的电催化析氢活性。该二维MoS2枝晶在高温预处理的生长衬底上通过CVD法制备得到。生长在比较成熟的传统层状MoS2制备方法的基础上进行，不同形态的枝晶可以通过调控生长衬底预处理的温度及时间得到。这种制备方法简单高效、稳定、可调控，能实现大面积制备，与其它形貌策略相比，具有非常巨大的优越性，在电催化制氢方面具有非常可观的应用前景。
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公开(公告)号：CN107478174B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710566436.0
申请日：2017-07-12
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种针对暗弱信号的夏克哈特曼探测器质心探测方法，属于自适应光学和光学元件面形检测技术领域。本发明公开了一种观测暗弱目标或加工过程中光学元件面形检测时，夏克哈特曼探测器光斑质心计算方法，利用此方法可计算出光斑质心，并且可以降低质心探测误差。
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公开(公告)号：CN107039565B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710251876.7
申请日：2017-04-18
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种侧壁和底部具有金属反射层的LED芯片结构及其制作方法，其中制作方法包括：在衬底上沉积二氧化硅薄膜，利用光刻技术制备二氧化硅掩膜，在二氧化硅掩膜层上沉积金属反射层，接着依次生长缓冲层、N型半导体、有源层、P型半导体、绝缘层、金属反射层以及钝化层。采用光刻技术对外延片进行刻蚀至P型半导体层，制备透明导电层，接着采用光刻技术对外延片进一步刻蚀至N型半导体层，分别在N型半导体层和透明导电层上制备N型和P型电极。本发明兼顾目前的工艺生产流程，在常用LED器件结构中引入金属反射层，能够将常规LED不能利用的光线经多次反射后被利用，减小光线在衬底表面发生全反射的几率，进而提升LED芯片的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107478174A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710566436.0
申请日：2017-07-12
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种针对暗弱信号的夏克哈特曼探测器质心探测方法，属于自适应光学和光学元件面形检测技术领域。本发明公开了一种观测暗弱目标或加工过程中光学元件面形检测时，夏克哈特曼探测器光斑质心计算方法，利用此方法可计算出光斑质心，并且可以降低质心探测误差。
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公开(公告)号：CN106876544A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710270077.4
申请日：2017-04-24
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种GaN基无荧光粉自发白光LED芯片结构及其制备方法，其中制作方法包括：在蓝宝石衬底上依次沉积GaN缓冲层、N型GaN、二氧化硅薄膜。利用光刻技术沿蓝宝石衬底[1‑100]和[11‑20]晶向在所述的SiO2薄膜上进行刻蚀，制备SiO2掩膜。在二氧化硅掩膜层上依次生长N型GaN、InGaN/GaN量子阱、P型GaN、透明导电层以及制备N型和P型电极。本发明兼顾目前的常用的半导体器件生产工艺流程，可以实现在无荧光粉的条件下出射白光，避免了荧光粉对白光LED的衰减作用的影响。
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公开(公告)号：CN106717532A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611107738.3
申请日：2016-12-06
Applicant: 江南大学
IPC: A01D46/00
CPC classification number: A01D46/00
Abstract: 一种采果机剪刀，包括剪刀后外壳，剪刀保护外壳，第二销轴，电机和弹簧，其特征在于，所述剪刀后外壳与保护外壳一体化设计，所述电机与剪刀后外壳固定连接，第二销轴与保护外壳固定连接，上剪刀柄与下剪刀柄左端连接有弹簧，第三连杆左端与转轮上转轴转动连接，并满足：转轴位于最右端时，剪刀口完全隐藏在剪刀保护外壳内。使用时，给电机供电，电机带动转轮转动，转轴通过第三连杆带动第一销轴向左运动，同时第一连杆与第二连杆在第一销轴带动下向左运动，上剪刀柄与下剪刀柄向下运动，通过第二销轴使剪刀口咬合，从而剪断果枝。使用结束后，使电机断电，上剪刀柄与下剪刀柄通过弹簧弹力作用返回原位置，下一次使用时再次给电机通电即可。
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公开(公告)号：CN104677875B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510131497.5
申请日：2015-03-24
Applicant: 江南大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种通过三维荧光光谱结合平行因子鉴别不同品牌白酒的方法，属于白酒鉴别技术领域。本发明步骤：(一)使用荧光光谱仪获得不同品牌白酒的三维荧光光谱数据；(二)建立不同品牌白酒的鉴别模型。利用平行因子方法对光谱数据分解，获得载荷矩阵和浓度得分，将浓度得分作为支持向量机的输入，建立白酒品牌的鉴别模型；(三)白酒品牌的预测。对于预测样品，通过实验获得三维荧光光谱数据，保持载荷矩阵不变，利用遗传算法获得待测样本的浓度得分。并将浓度得分输入鉴别模型，输出预测的品牌值。本发明避免了繁琐的化学分离过程，具有快速、安全、易
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公开(公告)号：CN104086589B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410343236.5
申请日：2014-07-17
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种易制备的可用做微电子材料的吡唑基Ge（Ⅱ）化合物，采用以下方法制备：1）将吡唑或其衍生物溶解在反应溶剂中，在-78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液中，吡唑或其衍生物与烷基锂的摩尔比为1:1～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应，得到反应混合物（；2）将步骤1）得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体与甲苯混合，得到锂盐的甲苯溶液；（3）在-78～0℃按照锂盐与二氯化锗摩尔比2:1～1.1，将锂盐的甲苯溶液滴加到二氯化锗的甲苯溶液中，升温至室温；（4）将步骤（3）得到的反应混合物进行过滤，所得滤渣进行低温结晶，得到所述的吡唑基Ge（Ⅱ）化合物。本发明合成方法简便、合成条件温和，具有良好的成膜性能。
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