公开(公告)号：CN114823892A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210396624.4

申请日：2022-04-15

Applicant: 江南大学

Inventor： 杨国锋 ,  蒋学成 ,  陈国庆 ,  陆乃彦 ,  谢峰 ,  曹通 ,  秦世清 ,  谷燕 ,  郭嘉睿 ,  张秀梅

IPC: H01L29/778 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明公开了一种具有InAlN背势垒层的重金属离子检测传感器，属于半导体、化学传感技术领域。所述重金属离子检测传感器，包括：衬底材料上依次形成的成核层、缓冲层、InAlN背势垒层、沟道层、势垒层、钝化层以及源极、漏极和栅极；本发明引入InAlN背势垒结构抬高了缓冲层势垒，降低了器件的寄生效应、抑制缓冲层漏电流，从而提高了传感器检测的可靠性；采用半胱氨酸溶液修饰栅极，半胱氨酸的羧基和氨基与重金属离子结合成螯合物的能力较强，提高了提高传感器的灵敏度；且半胱氨酸材料无毒害、自组装修饰效果好，修饰时间较短，操作简便，有效地改善检测环境，降低了器件的生产成本。

公开(公告)号：CN117811321A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311665019.3

申请日：2023-12-06

Applicant: 江南大学

Inventor： 杨国锋 ,  秦世清 ,  王博翔 ,  叶炳杰 ,  陈华志 ,  姜茂林 ,  李都豪 ,  王江铖 ,  刘玉申 ,  谢峰 ,  陈飞宇 ,  钱维莹 ,  张向阳 ,  张秀梅

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/00 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC‑MOSFET的自举式无源钳位驱动电路，属于第三代宽禁带半导体碳化硅器件的驱动技术领域。该电路使用无源组件以控制简化驱动器，通过设置正负串扰抑制电路在电路工作的不同阶段提供不同的电流通路实现同时对正向串扰和反向串扰的抑制作用；该电路还通过在自举电路中设置自举充放电电荷收集电容C1，正负串扰抑制电路中设置栅极电荷平衡电容C2，在SiC‑MOSFET开关导通期间对其寄生电容Cgs进行电荷充放，以此来平衡其在栅极处积累的多余的电荷，并将其多余的电荷收集至C1中，形成三个电容存储和收集电荷相互平衡的状态，提高电荷在栅极回路中的利用率，进而提高驱动的效率。

公开(公告)号：CN116595928A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310432255.4

申请日：2023-04-21

Applicant: 江南大学

Inventor： 秦世清 ,  杨国锋 ,  曹通 ,  谢峰 ,  李婷 ,  何映谊 ,  张秀梅 ,  应佳瑶 ,  陆乃彦 ,  钱维莹 ,  张向阳

IPC: G06F30/367 ,  G06N3/044 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明公开了一种GaN‑HEMT栅极开关振荡的预测方法，属于半导体及功率器件领域。本发明通过BPNN网络模型进行训练，得到了基于BPNN算法模型的寄生电容与栅源电压的初步映射关系后，建立基于Cascode型GaN HEMT二端口网络函数，通过实验获取GaN HEMT器件的全S参数下的寄生电容值，并将该提取寄生电容值作为数据集输入BPNN网络模型，得到VGS_m与全S参数下的VDS、CGS、CGD的关系曲面和曲线关系。仿真结果表明，本发明的预测方法的标准误差小于ANN和PSO，证明了本发明基于BPNN算法模型的GaN‑HEMT栅极开关振荡的检测方法预测准确度较高。

公开(公告)号：CN116760281A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310956851.2

申请日：2023-08-01

Applicant: 江南大学

Inventor： 杨国锋 ,  曹通 ,  陈飞宇 ,  秦世清 ,  张琦 ,  谢峰 ,  钱维莹 ,  陆乃彦 ,  张向阳 ,  张秀梅

IPC: H02M3/00 ,  H02M3/335 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明公开了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基准谐振反激式功率变换器，属于电力电子技术领域。本发明的具有自驱动有源缓冲器的GaN基准谐振反激式功率变换器包括直流输入电源VIN、主开关管S1、高频变压器T1、电流互感器T2、自驱动有源缓冲器、同步整流开关管SR、输出电容CF和输出负载RL；本发明可以缓解QR反激式变换器中开关管关断时电压过高的问题。与消耗能量的RCD缓冲器相比，自驱动有源缓冲器不消耗能量，因此可使变换器在满载条件下达到90%以上的能量转换效率。此外，所发明的功率变换器还具有兼容市面上传统的QR反激控制芯片的优点。

公开(公告)号：CN114553033A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210266088.6

申请日：2022-03-15

Applicant: 江南大学

Inventor： 曹通 ,  杨国锋 ,  秦世清 ,  谢峰 ,  蒋学成 ,  叶炳杰 ,  李婷 ,  何映谊 ,  张秀梅 ,  陈国庆

IPC: H02M7/219 ,  H02M1/42 ,  H02M1/14 ,  H02M1/36 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明公开了降压‑反激集成式单开关管功率因数校正变换器，属于开关电源技术领域。所述变换器包括：输入交流电源、整流桥BR、降压功率因数校正变换器、反激功率因数校正变换器、GaN功率开关管、输出电容C、输出负载RL和控制电路；本发明采用降压‑反激集成式拓扑，针对降压单元中输入电压低于输出电压是输入电流纯在死区现象，反激单元的导通消除了输入电流死区的影响，降低总谐波失真，提高变换器功率因数，使变换器达到IEC61000‑3‑2 C类标准；此外，通过将降压单元与反激单元采用输入并联输出并联结构共用一个GaN开关管，使变换器只需一套控制电路，降低了电路的复杂程度，成本低，可靠性高。