一种旋架镀膜机及其镀膜方法

    公开(公告)号:CN118407013A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410886286.1

    申请日:2024-07-03

    IPC分类号: C23C14/50 C23C14/54 C23C14/35

    摘要: 本发明涉及一种旋架镀膜机及其镀膜方法,包括真空腔室、溅射装置、太阳轴、旋转支架、太阳轴驱动装置,多个行星轴、多个镀膜品挂架、致摆件、多个从动件、多个引导磁铁和多个受引导磁铁,旋转支架固定安装在太阳轴上,真空腔室腔体处在溅射口正对的区域构成溅射区域;各个行星轴可转动安装在旋转支架上,镀膜品挂架、从动件安装在对应的行星轴上;处在溅射区域的行星轴上的从动件与致摆件相配合;受引导磁铁安装在对应行星轴上并与各个引导磁铁的位置相对应。本发明不仅能够一次针对多个镀膜品进行镀膜,而且可以改善镀膜品在被溅射镀膜时在水平方向上膜层不均的问题,可提高对镀膜品镀膜的均匀性,有利于保证溅射镀膜的品质。

    一种旋架镀膜机及其镀膜方法

    公开(公告)号:CN118407013B

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410886286.1

    申请日:2024-07-03

    IPC分类号: C23C14/50 C23C14/54 C23C14/35

    摘要: 本发明涉及一种旋架镀膜机及其镀膜方法,包括真空腔室、溅射装置、太阳轴、旋转支架、太阳轴驱动装置,多个行星轴、多个镀膜品挂架、致摆件、多个从动件、多个引导磁铁和多个受引导磁铁,旋转支架固定安装在太阳轴上,真空腔室腔体处在溅射口正对的区域构成溅射区域;各个行星轴可转动安装在旋转支架上,镀膜品挂架、从动件安装在对应的行星轴上;处在溅射区域的行星轴上的从动件与致摆件相配合;受引导磁铁安装在对应行星轴上并与各个引导磁铁的位置相对应。本发明不仅能够一次针对多个镀膜品进行镀膜,而且可以改善镀膜品在被溅射镀膜时在水平方向上膜层不均的问题,可提高对镀膜品镀膜的均匀性,有利于保证溅射镀膜的品质。

    一种氧化物TFT及其保护层的制造方法

    公开(公告)号:CN116031308A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202310128803.4

    申请日:2023-02-17

    IPC分类号: H01L29/786 H01L21/34

    摘要: 一种氧化物TFT及其保护层的制造方法,包括步骤:(1)在衬底上设置氧化物TFT;(2)在TFT上涂布正性透明的第一光敏树脂涂层并预固化;(3)在第一光敏树脂涂层上涂布负性黑色的第二光敏树脂涂层并预固化;(4)对第二光敏树脂涂层曝光,使其在第一区域的部分形成遮光性表层;(5)对第二光敏树脂涂层显影,溶解掉其在第二区域的部分,露出其底部的第一光敏树脂涂层;(6)对第一光敏树脂涂层曝光,使其在第二区域的部分受紫外光照射;(7)对第一光敏树脂涂层显影,溶解掉其在第二区域的部分,在第一区域留下叠层;(8)对叠层后固化形成保护层。本发明在制作TFT及其保护层的过程中能够减少紫外光对有源层造成的不良影响。

    一种氧化物薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号:CN114256078A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202111628273.7

    申请日:2021-12-29

    IPC分类号: H01L21/34 H01L29/786

    摘要: 一种氧化物薄膜晶体管的制造方法,包括如下步骤:(1)在基板上沉积金属层,并利用金属蚀刻液对其进行湿法刻蚀,形成栅极;(2)在基板和栅极的上表面沉积绝缘层;(3)在绝缘层上表面沉积氧化物半导体层形成有源层;(4)在有源层和绝缘层的上表面涂布光敏树脂涂层,并进行干燥、预固化、曝光显影、固化后形成具有源极孔、漏极孔的保护层;利用等离子体或紫外光照射对沟道部位两端进行导体化改性,形成有源层的接触部位;(5)在保护层的上表面上覆盖一层导体层,导体层延伸或填充到源极孔、漏极孔中分别形成源极、漏极。这种制造方法能够减少制作过程中对有源层造成不良影响,使得制造出的氧化物薄膜晶体管具有较好的导电一致性。

    一种氧化物薄膜晶体管
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114784114A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210465622.6

    申请日:2022-04-29

    IPC分类号: H01L29/786

    摘要: 本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管,包括设置在基板上的栅极和绝缘层,以及有源层、源极、漏极和沟道保护层,栅极被绝缘层所覆盖,有源层、源极、漏极均设置在绝缘层上,沟道保护层设置在沟道部位上,源极、漏极相对设置并与有源层顶部搭接;沟道保护层包括混有吸光物质的光敏树脂涂层;源极、漏极为由金属层图形化而成的金属电极,源极、漏极分别设有向沟道保护层顶部延伸的源极延伸部、漏极延伸部,源极延伸部和漏极延伸部覆盖光敏树脂涂层而构成沟道保护层的遮挡结构,源极延伸部与漏极延伸部之间设有缝隙。本发明不仅结构紧凑,而且遮光效果好,能够避免在外部光照环境下其沟道部位出现漏电的情况,从而保证沟道部位的半导体开关特性。

    一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管及液晶显示器

    公开(公告)号:CN114597265A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202111598543.4

    申请日:2021-12-24

    摘要: 本发明涉及一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管及液晶显示器,氧化物薄膜晶体管包括设置在基板上的栅极和绝缘层,以及有源层、源极和漏极,栅极被绝缘层所覆盖,有源层、源极、漏极均设置在绝缘层的上表面上,源极、漏极相对设置,其特征在于:所述有源层为氧化物半导体层,所述源极、漏极均由氧化物导体层图形化而成,源极、漏极与有源层搭接而构成导电通道。本发明能够有效改善导电性,并且结构稳定可控,可确保改性后具有较好的稳定性,而且应用在液晶显示器上,能够有效地解决不同TFT器件的导电一致性问题,进而解决显示器显示不均的问题。

    一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管

    公开(公告)号:CN114664950A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210298477.7

    申请日:2022-03-25

    摘要: 一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管,包括设置在基板上的栅极和绝缘层,以及有源层、源极和漏极;绝缘层包括叠合而成的第一薄膜和第二薄膜;第一薄膜为由多个第一晶柱构成的多晶结构,第二薄膜为由多个第二晶柱构成的多晶结构,各个第二晶柱与各个第一晶柱错开设置;绝缘层通过如下步骤制造而成:步骤(1)通过第一次PVC工艺在基板上生长第一薄膜;步骤(2)对第一薄膜的表面进行改性,破坏各个第一晶柱的末端,形成表面层;步骤(3)通过第二次PVC工艺在表面层上生长第二薄膜。本发明可以完全采用PVC工艺来制作,不仅能够有效增加绝缘层的致密性,而且可大大减少工艺复杂度和对设备的投资,有利于提高制造效率和安全性。