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公开(公告)号：CN119160898A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411365977.3
申请日：2024-09-29
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B33/039
Abstract: 本发明属于硅材料技术领域，涉及一种光伏废硅制备多孔高纯硅材料的方法，包括以下步骤：步骤1：将光伏废硅粉碎的硅粉与镁粉反应合成硅化镁；步骤2：将硅化镁研磨，得研磨硅化镁粉末；步骤3：将研磨硅化镁粉末进行氮化反应处理；步骤4：将氮化反应处理得到的产物进行酸洗、抽滤、干燥，得到高纯多孔硅材料。本发明以光伏废硅为原料，在合金化、氮化及酸洗过程中去除了大部分的金属和非金属杂质，获得纯度高，B、P等杂质极少，孔隙率较大，可通过简单加工就可直接使用的高性能的多孔硅材料，且操作简单高效，工艺周期短，原料便宜且来源广泛，易于规模化生产，实现了光伏废硅的提纯再利用，达到整合资源、减少污染的目的。
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