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公开(公告)号:CN119252901A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202411453986.8
申请日:2024-10-17
Applicant: 武汉科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/04 , H01M10/0525
Abstract: 本发明属于锂离子电池材料技术领域,涉及一种氮化镓碳层包覆多孔硅负极材料、制备方法及其应用,所述制备方法包括S1:柠檬酸与硝酸镓制备凝胶溶液;S2:多孔硅颗粒于凝胶溶液中搅拌得悬浊液,随后加热蒸干,获得络合物包覆的多孔硅材料;S3:氮化处理、两段式保温后,冷却至室温取出,得到氮化镓碳层包覆的多孔硅负极材料。本发明制得的氮化镓碳层包覆多孔硅负极材料,能够改善硅负极的倍率性能以及循环稳定性,有效改善了硅导电性不足的问题,缓解了硅脱嵌锂产生的巨大体积膨胀;且制备方法简单、能耗低、成本低,可适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号:CN120089838A
公开(公告)日:2025-06-03
申请号:CN202510264091.8
申请日:2025-03-06
Applicant: 武汉科技大学
IPC: H01M10/54 , H01M10/0525 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587
Abstract: 本发明属于电池材料回收技术领域,涉及一种原位重构富氟化锂界面直接再生石墨负极片的方法,包括如下步骤:(1)将氟化物溶液喷洒在废弃石墨负极片上,溶液中的溶剂干燥后得产物一;(2)将产物一冲洗,干燥后得到再生石墨负极片。本发明通过采用氟化物直接喷洒方式回收废弃电池电芯制备富氟化锂包覆的再生石墨负极片回收废旧石墨,有效的修复了石墨结构,恢复其存储锂能力,可重新用作锂离子电池负极材料,且电化学性能可达商业电池的要求;且该方法简单易行,成本低廉,可以大规模生产,为锂离子电池负极材料的回收提供新的方案。
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公开(公告)号:CN119191269A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411407244.1
申请日:2024-10-10
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B32/05 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明属于锂离子电池材料技术领域,涉及一种盐辅助内外双层碳包覆硅材料、制备方法及其应用,所述制备方法包括:S1:单层碳内包覆硅材料C@Si的制备;S2:无机盐来填充孔隙;S3:外层碳包覆层;S4:在惰性气氛下进行预碳化;S5:水溶液中洗涤、干燥;S6:在惰性气氛下进行高温碳化得盐辅助内外双层碳包覆硅材料C@Si@C。本发明通过盐辅助内外双层碳包覆的方式制备的特殊核壳结构的硅材料,用作锂离子电池负极材料,能够改善材料的电化学性能,提高电导率、化学稳定性和安全性;且制备方法简单,过程较短,且制备温度较低,制备过程中的安全隐患低,本发明的原料廉价易得,有利于节约生产成本。
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公开(公告)号:CN119160898A
公开(公告)日:2024-12-20
申请号:CN202411365977.3
申请日:2024-09-29
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B33/039
Abstract: 本发明属于硅材料技术领域,涉及一种光伏废硅制备多孔高纯硅材料的方法,包括以下步骤:步骤1:将光伏废硅粉碎的硅粉与镁粉反应合成硅化镁;步骤2:将硅化镁研磨,得研磨硅化镁粉末;步骤3:将研磨硅化镁粉末进行氮化反应处理;步骤4:将氮化反应处理得到的产物进行酸洗、抽滤、干燥,得到高纯多孔硅材料。本发明以光伏废硅为原料,在合金化、氮化及酸洗过程中去除了大部分的金属和非金属杂质,获得纯度高,B、P等杂质极少,孔隙率较大,可通过简单加工就可直接使用的高性能的多孔硅材料,且操作简单高效,工艺周期短,原料便宜且来源广泛,易于规模化生产,实现了光伏废硅的提纯再利用,达到整合资源、减少污染的目的。
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公开(公告)号:CN118619279A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410756340.0
申请日:2024-06-12
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B33/02 , C01B32/05 , H01M10/0525 , H01M4/38 , H01M4/587
Abstract: 一种双层碳包覆硅负极材料的制备方法及其应用。该方法包括如下步骤:S1:选用多孔硅或者纳米硅颗粒或者一维硅纳米线材料,放入回转炉或者流化床中,在惰性气氛下以一定升温速率加热至一定温度,通入含碳气氛,保温一定时间,冷却至室温得到单层碳包覆硅材料C/Si;S2:使用混料机将S1获得的样品C/Si与沥青粉按一定比例充分混合均匀;S3:将S2获得的样品放入高温包覆机中,在惰性气氛下以一定搅拌速率和一定升温速率,分三段保温,保温结束后冷却至室温取出;S4:将S3获得的样品放入箱式炉中,在惰性气氛下以一定升温速率升至高温碳化,保温一段时间后,冷却至室温取出,即可得到双层碳包覆的硅负极材料PC/C/Si。
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