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公开(公告)号：CN111584241A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010384843.1
申请日：2020-05-09
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法，依次包括WO3纳米片阵列薄膜的制备和WO3/Au光阳极的制备，其特征在于：所述WO3/Au光阳极的制备是将WO3纳米片阵列薄膜置于SnCl2的盐酸溶液浸泡，然后用无水乙醇冲洗吹干，再置于HAuCl4水溶液中浸泡一段时间，然后取出去离子水冲洗吹干，最后置于HNO3水溶液中浸泡一段时间，即制得WO3/Au光阳极。本发明方法制备WO3/Au光阳极，超细Au纳米颗粒在WO3表面均匀沉积、分散性优异，沉积的Au颗粒尺寸均匀，约为10nm，在Au与WO3界面形成肖特基结促进了电荷分离，WO3纳米片的单晶结构又提供了良好电子传输的通道，从而有效的提高了其光电催化性能。
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公开(公告)号：CN111584241B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010384843.1
申请日：2020-05-09
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法，依次包括WO3纳米片阵列薄膜的制备和WO3/Au光阳极的制备，其特征在于：所述WO3/Au光阳极的制备是将WO3纳米片阵列薄膜置于SnCl2的盐酸溶液浸泡，然后用无水乙醇冲洗吹干，再置于HAuCl4水溶液中浸泡一段时间，然后取出去离子水冲洗吹干，最后置于HNO3水溶液中浸泡一段时间，即制得WO3/Au光阳极。本发明方法制备WO3/Au光阳极，超细Au纳米颗粒在WO3表面均匀沉积、分散性优异，沉积的Au颗粒尺寸均匀，约为10nm，在Au与WO3界面形成肖特基结促进了电荷分离，WO3纳米片的单晶结构又提供了良好电子传输的通道，从而有效的提高了其光电催化性能。
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公开(公告)号：CN111575736B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010384712.3
申请日：2020-05-09
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C25B11/063 , C25B11/053 , C25B11/093 , C25B1/55 , C25B1/04 , C25D11/26 , C25D3/48 , C25D5/18 , C25D9/04
Abstract: 一种TiO2/Au/CoPi复合纳米管阵列光阳极的制备方法，依次包括TiO2纳米管阵列薄膜的制备、TiO2/Au纳米管阵列薄膜的制备和TiO2/Au/CoPi纳米管阵列薄膜的制备，其特征在于：所述TiO2/Au/CoPi纳米管阵列薄膜的制备是将TiO2/Au纳米管阵列薄膜作为工作电极，Pt片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，以Co(NO3)2磷酸盐缓冲溶液为电解液，在可见光下光电沉积磷酸钴盐（CoPi）助催化剂，然后取出用去离子水清洗、干燥。本发明制备方法Au纳米颗粒均匀沉积到TiO2表面，不发生团聚，且形貌均匀，磷酸钴盐（CoPi）助催化剂快速、精准地沉积到Au纳米颗粒表面，而不沉积到TiO2表面，增加了分解水产氧反应的活性位点，高效发挥磷酸钴盐（CoPi）助催化剂的催化性能，在相同偏压下，光电密度约为TiO2/Au的3倍。
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公开(公告)号：CN111575736A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010384712.3
申请日：2020-05-09
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 一种TiO2/Au/CoPi复合纳米管阵列光阳极的制备方法，依次包括TiO2纳米管阵列薄膜的制备、TiO2/Au纳米管阵列薄膜的制备和TiO2/Au/CoPi纳米管阵列薄膜的制备，其特征在于：所述TiO2/Au/CoPi纳米管阵列薄膜的制备是将TiO2/Au纳米管阵列薄膜作为工作电极，Pt片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，以Co(NO3)2磷酸盐缓冲溶液为电解液，在可见光下光电沉积磷酸钴盐（CoPi）助催化剂，然后取出用去离子水清洗、干燥。本发明制备方法Au纳米颗粒均匀沉积到TiO2表面，不发生团聚，且形貌均匀，磷酸钴盐（CoPi）助催化剂快速、精准地沉积到Au纳米颗粒表面，而不沉积到TiO2表面，增加了分解水产氧反应的活性位点，高效发挥磷酸钴盐（CoPi）助催化剂的催化性能，在相同偏压下，光电密度约为TiO2/Au的3倍。
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