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公开(公告)号：CN118963061A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411203319.4
申请日：2024-08-30
Applicant: 武汉柔显科技股份有限公司 , 柔显(仙桃)光电半导体材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明提供种正型感光性树脂组合物固化膜及固化膜图案加工方法，包含碱溶性树脂，其中碱溶性树脂包含以下二胺化合物，其中该二胺化合物包含具有化学式(2)所示的结构；本发明中在感光树脂中引入含有丙烯酸侧基的二胺化合物，配合特定结构的热交联剂使用，可使得感光树脂组合物膜获得良好的耐热性，再配合以适量的酚是羟基二胺以及脂环族二酐化合物，在固化膜保持有良好耐热性的同时还可以获得适当的碱溶性，良好曝光敏感性以及较低的CTE。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118243160A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410042798.X
申请日：2024-01-11
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙汇盛新材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明涉及一种聚氨酯中聚酯多元醇的组成单体含量的分析方法，其特征在于，包含使用水解液将聚氨酯水解的步骤，将水解后的样品制备成强碱性水溶液的步骤，将强碱性水溶液稀释制备待测样品的步骤，以及将待测样品进行HNMR测试的步骤，该方法不涉及传统方法中的液液萃取和固液萃取的操作，更易于实施，检测过程高效，结果准确，更加适用于微量检测的优点。
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公开(公告)号：CN117733728A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311826819.9
申请日：2023-12-28
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙汇盛新材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 抛光垫及抛光系统。本发明涉及一种抛光垫，包含抛光层，所述抛光层表面包含至少一个微单元，多个所述微单元组成微单元群，所述微单元的投影形状为六边形，所述六边形中包含两条第一边长L1，两条第一边长L1相互平行且长度相等，所述六边形中两条第一边长L1中点的连线与第一边长L1的夹角为θ1，所述θ1的范围为45°≤θ1≤90°；所述微单元为相对于抛光层平面的凸起或凹坑，所述微单元相对于抛光层平面的高度为H，所述H介于0.6mm～1mm之间，所述微单元投影形状的面积与微单元侧面积的比值介于0.9～2.2之间，本发明通过对抛光层表面沟槽进行设计，通过调节微单元投影形状的面积与微单元侧面积的比值等参数，达到了优异的综合抛光性能。
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公开(公告)号：CN113703296B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110998940.4
申请日：2021-08-28
Applicant: 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种调色剂的及其制备方法，通过将芳香族二酸与二硫醇进行酯化反应，经过乳化法制备出了新型聚酯树脂，使用该聚酯树脂制备而来的调色剂表现出了优异的显影特性，不仅保证调色剂的低温定影性，而且在高温条件下不容易发生偏移，且带电初期和一段时间后带电均匀，打印图像画质优异且具有良好的储存性，不仅提高了打印复印的品质，而且降低了其对环境的污染。
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公开(公告)号：CN116749076A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310538633.7
申请日：2023-05-15
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙汇盛新材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种检测窗口，化学机械抛光垫以及抛光系统。所述检测窗口中包含具有一定孔隙结构的聚氨酯基材，所述检测窗口应用于化学机械抛光中对晶圆进行平坦化处理时用于抛光终点的检测，所述填充物能使检测窗口的整个使用寿命内透光率稳定，有效避免由于透光率波动产生的误抓，有效提高抛光垫的使用寿命，减少缺陷数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116262330A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111515573.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种分级设备及抛光垫，其中抛光垫包括聚氨酯抛光层，聚氨酯抛光层是原料组合的反应产物，所述原料组合包括多官能异氰酸酯与多元醇反应所得的异氰酸酯封端的预聚物、中空微球聚合物以及固化剂，本发明中通过严格控制中空微球聚合物的尺寸及尺寸分布，制备的抛光垫表现出了良好的理化特性，且具有适当的粗糙度和适量的金属元素含量，表现出良好抛光性能；适当粒径的中空微球聚合物制备出的抛光垫产品重复性良好，抛光性能稳定。
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公开(公告)号：CN114473857B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111633366.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抛光垫及半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括使用具有特定图案的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层包含有中心区域，环状沟槽区域以及外部区域，其中，中心区域未设置有沟槽，外部区域中包含有多条贯通沟槽，贯通沟槽用于环状沟槽区域与抛光垫外边缘的联通，进一步的相邻的两条贯通沟槽之间为抛光单元，抛光单元中包含有多条非贯通沟槽，本发明通过限定贯通沟槽的条数，抛光单元的个数，贯通沟槽的形状，非贯通沟槽的长度及条数，以及沟槽面积与抛光垫面积的比值等参数在合适的范围内，抛光垫具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN114473857A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111633366.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抛光垫及半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括使用具有特定图案的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层包含有中心区域，环状沟槽区域以及外部区域，其中，中心区域未设置有沟槽，外部区域中包含有多条贯通沟槽，贯通沟槽用于环状沟槽区域与抛光垫外边缘的联通，进一步的相邻的两条贯通沟槽之间为抛光单元，抛光单元中包含有多条非贯通沟槽，本发明通过限定贯通沟槽的条数，抛光单元的个数，贯通沟槽的形状，非贯通沟槽的长度及条数，以及沟槽面积与抛光垫面积的比值等参数在合适的范围内，抛光垫具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN114227530A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111506054.1
申请日：2021-12-10
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/3105
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及半导体器件的制造方法，其中，所述抛光垫在施加压力F0后的应力松弛阶段t时刻的回复力Ft与施加压力F0的比值与t满足如下式（1）中的拟合关系，其中，回复力Ft的取值频率为0.01s/次，0≤t≤30 s，所述a、b为常数，且满足：0.95≤a≤0.99和/或0.02≤b≤0.04，拟合优度R2≥0.94，满足上述拟合关系的抛光垫，去除速率曲线及边缘去除速率在抛光垫的整个生命周期内均保持稳定，波动较小，研磨速率不均一性NU值波动较小。f(t)=Ft/F0=a·t‑b （1）。
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公开(公告)号：CN119335811A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310895074.5
申请日：2023-07-20
Applicant: 湖北鼎龙控股股份有限公司 , 湖北鼎龙芯盛科技有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂组合物，包含主体树脂，光产酸剂以及有机溶剂；所述光产酸剂具有阴离子和阳离子，所述光产酸剂中的阴离子具有如通式(1)所示的结构，所述光产酸剂中的阳离子具有如通式(2)所示的结构；本发明中通过对光产酸剂内部取代基进行调控，实现了在高能量射线为光源的平版印刷技术中，抗蚀剂膜表现出了缺陷少、平版印刷性能优异的光学性能。#imgabs0#
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