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公开(公告)号：CN104701301B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510107095.1
申请日：2015-03-10
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L23/544
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应用于晶圆键合工艺中的对准标记；该对准标记设置在晶圆切割道交叉的区域上，且该对准标记的尖端图形延伸至切割道的非交叉区域中，从而可以在不减小对准标记尺寸，不影响晶圆键合精度的情况下，适应更小尺寸的切割道，以获得更大的芯片有效面积。
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公开(公告)号：CN104952843A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510376823.9
申请日：2015-07-01
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明揭示了一种物联网系统芯片，包括：第一芯片，所述第一芯片包括多个排列的第一芯片器件；第二芯片，所述第二芯片包括多个排列的第二芯片器件，多个所述第二芯片器件排列后的总长度与多个所述第一芯片器件排列后的总长度之差小于等于多个所述第二芯片器件排列后的总长度的10％，多个所述第二芯片器件排列后的总宽度与多个所述第一芯片器件排列后的总宽度之差小于等于多个所述第二芯片器件排列后的总宽度的10％；所述第一芯片与所述第二芯片键合在一起；所述第一芯片通过一第一硅通孔结构电性引出，所述第二芯片通过一第二硅通孔结构电性引出。本发明同时提高一种上述物联网系统芯片的制备方法。在上述物联网系统芯片的成本低、集成度高。
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公开(公告)号：CN104701301A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510107095.1
申请日：2015-03-10
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L23/544
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应用于晶圆键合工艺中的对准标记；该对准标记设置在晶圆切割道交叉的区域上，且该对准标记的尖端图形延伸至切割道的非交叉区域中，从而可以在不减小对准标记尺寸，不影响晶圆键合精度的情况下，适应更小尺寸的切割道，以获得更大的芯片有效面积。
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公开(公告)号：CN104952843B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201510376823.9
申请日：2015-07-01
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明揭示了一种物联网系统芯片，包括：第一芯片，所述第一芯片包括多个排列的第一芯片器件；第二芯片，所述第二芯片包括多个排列的第二芯片器件，多个所述第二芯片器件排列后的总长度与多个所述第一芯片器件排列后的总长度之差小于等于多个所述第二芯片器件排列后的总长度的10％，多个所述第二芯片器件排列后的总宽度与多个所述第一芯片器件排列后的总宽度之差小于等于多个所述第二芯片器件排列后的总宽度的10％；所述第一芯片与所述第二芯片键合在一起；所述第一芯片通过一第一硅通孔结构电性引出，所述第二芯片通过一第二硅通孔结构电性引出。本发明同时提高一种上述物联网系统芯片的制备方法。在上述物联网系统芯片的成本低、集成度高。
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